The present invention relates to a heat sink composite material plating treatment method and its products. Specifically, a method for treating heat sink composite matrix to improve its electroplating adhesion includes providing a corrosion resistant metal substrate with a metal oxide layer, implanting a first metal ion onto the surface of the corrosion resistant metal substrate by ion implantation to form an ion implanted transition layer, and coating a second metal ion on the ion implanted transition layer by electroplating. Formation of electroplating. In addition, a heat sink composite material reinforced by electroplating bonding force and a high frequency PCB board embedded with the heat sink composite material are also provided.
【技术实现步骤摘要】
热沉复合材料电镀处理方法及其制品
本专利技术涉及集成电路的热沉封装领域,并且具体地涉及用于处理热沉复合材料以提高其电镀结合力的方法及其制品。
技术介绍
由于集成电路集成度迅猛增加,更高集成度和更快的运行速度会导致芯片发热量急剧上升,使得芯片寿命下降。据报道,温度每升高18℃,会导致半导体芯片寿命缩短、失效可能性提升3倍。这是因为在集成电路、大功率器件中,材料间散热性能不佳会导致热疲劳、热膨胀系数(CTE)不匹配而引起热应力所造成。因此,解决该问题的关键在于选择合适的封装热沉材料。传统的金属热沉材料有Cu、A1、Mo、W、Kovar(可伐)、Invar等,关键的导热性、CTE(10-6/k)和密度(g/cm3)性能如下表1-1所示。表1-1传统电子封装材料的性能材料导热系(W/m·k)CTE(10-6/k)密度(g/cm3)硅1504.12.3氧化铝206.73.9AlN2705.83.29BeO2108.02.86Al230232.7Cu400178.9W1744.519.3Mo1405.010.2SiC2705.03.21Invar110.48.04可伐175.98.3环氧树脂1.75.41.2对于单一的Cu或Al金属而言,虽导热性能优异,可达到200-400W/m·k,但Cu、A1的金属热膨胀系数CTE与Si的CTE差异较大,导致芯片容易受热应力影响而产生脆性裂纹。对于单一的Mo或W金属,虽然热膨胀系数较低,导热性能远高于合金Invar和合金Kovar,而且强度和硬度也高,应用较为普遍,但Mo和W存在价格昂贵、加工困难、可焊性差以及密度大的不足。由此, ...
【技术保护点】
1.一种用于处理热沉复合材料基材以提高其电镀结合力的方法,包括:提供带有金属氧化层的耐腐蚀金属基材;通过离子注入在所述耐腐蚀金属基材的表面上注入第一金属离子以形成离子注入过渡层;以及通过电镀在所述离子注入过渡层上镀覆第二金属离子以形成电镀层。
【技术特征摘要】
1.一种用于处理热沉复合材料基材以提高其电镀结合力的方法,包括:提供带有金属氧化层的耐腐蚀金属基材;通过离子注入在所述耐腐蚀金属基材的表面上注入第一金属离子以形成离子注入过渡层;以及通过电镀在所述离子注入过渡层上镀覆第二金属离子以形成电镀层。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一金属离子被注入到所述金属氧化层上并且覆盖所述金属氧化层以形成所述离子注入过渡层。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述耐腐蚀金属基材包括W、Mo、合金Kovar或合金Invar。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括在形成所述离子注入过渡层的过程中,在离子注入所述第一金属离子之后接着又一次进行离子注入另一金属离子。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括在形成所述离子注入过渡层之后再进行磁过滤沉积Cu离子以形成Cu离子沉积过渡层。6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一金属离子和第二金属离子分别包括Ni或Cu。7.一种用于处理热沉复合材料基材以提高其电镀结合力的方法,包括:提供基材,所述基材包括C纤维、B纤维、石墨、金刚石或AlN;通过离子注入在所述基材的表面上注入第一金属离子以形成离子注入过渡层;以及通过电镀在所述离子注入过渡层上镀覆第二金属离子以形成电镀层。8.根据权利要求7所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员:张志强,杨志刚,
申请(专利权)人:武汉光谷创元电子有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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