The invention discloses a silicon carbide reinforced aluminium nitride ceramics. The weight percentage composition of the ceramics is 85%-93%, 5%-10% of silicon carbide and 2%-5% of silicon. The preparation method includes: (1) adding silicon carbide and silicon into deionized water, adding binder, milling and mixing 45 to 90min, and obtaining silicon carbide silicon slurry; (2) spraying silicon carbide silicon slurry by spray granulation process to obtain silicon carbide silicon powder; (3) adding aluminum nitride powder into silicon carbide silicon powder, sifting and mixing. Aluminum nitride green body was obtained by pressing at 60-100 MPa and drying at 80-90 (?) C for 12-24 hours; (4) SiC reinforced AlN ceramic was obtained by sintering the green body in a sintering furnace at 1600-2300 (?) C and holding at 100-1000 (?) C for 2-5 hours. The ceramics prepared by the method of the invention have high hardness, fracture toughness and bending strength.
【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅增强氮化铝陶瓷及其制备方法
本专利技术涉及材料
,特别是涉及一种碳化硅增强氮化铝陶瓷及其制备方法。
技术介绍
机械密封行业所需的陶瓷,要求材料具有高强度、高韧性、低蠕变性、耐磨擦磨损、耐腐蚀性以及良好的抗氧化性。碳化硅陶瓷具有优异的机械性能,较低的热膨胀系数和高的热传导系数,使得碳化硅陶瓷呈现出优异的抗热震性能,而且还具有高热稳定性、良好的耐腐蚀、耐磨擦性能,因此能广泛的应用在机械密封环领域。由于碳化硅化学键特性,其陶瓷烧结条件较为苛刻。常压烧结的出现使得碳化硅陶瓷工业化生产得到了广泛实现。常压烧结包括固相烧结和液相烧结,固相烧结需要较高的烧结温度(>2100℃),使得碳化硅晶粒尺寸较大,陶瓷断裂方式也多为穿晶断裂,导致断裂韧性较低。烧结助剂一般常用的有B-C、Al-B-C、Al2O3、Al2O3-Re2O3等,其中Re代表稀土元素的一种或几种;但是这些烧结助剂在高温时候和碳化硅发生反应或挥发比较严重,使得烧结体质量损失严重,不利于烧结致密。近年来人们发现,由于碳化硅和氮化铝材料在原子尺寸、分子量、密度和晶体结构上的相似,在1800~2100℃的温度范围内会形成固溶体;随着固溶体的形成,材料的烧结活性、显微结构、力学性能及抗氧化性均得到较大程度的改善和提高。但是因为氮化铝和水在机械搅拌的情况下会发生反应,目前采用氮化铝为烧结助剂制备碳化硅陶瓷的工艺大都采用乙醇为溶剂进行球磨混料,但是这种工艺生产出的陶瓷成本较高,喷雾造粒时容易发生爆炸。为此,有必要针对上述问题,提出一种碳化硅增强氮化铝陶瓷及其制备方法,其能够解决现有技术中存在的问题。专利技 ...
【技术保护点】
1.一种碳化硅增强氮化铝陶瓷,其特征在于,所述陶瓷的重量百分比组成为:氮化铝85%~93%,碳化硅5%~10%和硅2%~5%。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅增强氮化铝陶瓷,其特征在于,所述陶瓷的重量百分比组成为:氮化铝85%~93%,碳化硅5%~10%和硅2%~5%。2.根据权利要求1所述的碳化硅增强氮化铝陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将碳化硅和硅加入去离子水中,再添加粘结剂,球磨混合45~90min,获得碳化硅-硅浆料;(2)采用喷雾造粒工艺对所述碳化硅-硅浆料进行喷雾干燥,获得碳化硅-硅造粉粒,其中,干燥温度为80~100℃;(3)向上述碳化硅-硅造粉粒中加入氮化铝造粉粒,过筛,混合均匀,在60~100MPa条件下进行压制,然后在80~90℃条件下烘干12~24h,获得氮化铝素坯;(4)将上述氮化铝素坯后放入烧结炉中,在1600~2300℃条件下进行烧结,并在100~1000℃条件下保温2~5小时,获得碳化硅增强氮化铝陶瓷。3.根据权利要求2所述的碳化硅增强氮化铝陶瓷的制备方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:查萍华,
申请(专利权)人:张家港市五湖新材料技术开发有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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