The MEMS sensor includes a MEMS device with movable electrodes and stator electrodes, which are arranged relative to the movable electrodes. The MEMS sensor includes a first bias voltage source connected to the stator electrode, which is configured to apply the first bias voltage to the stator electrode. The MEMS sensor also includes a common-mode readout circuit connected to the stator electrode by capacitive coupling. The common-mode readout circuit includes a second bias voltage source, which is selected to apply the second bias voltage to the side of the capacitive coupling away from the stator electrode.
【技术实现步骤摘要】
MEMS传感器以及提供和运行MEMS传感器的方法
本公开涉及MEMS传感器,特别是用于与流体相互作用的MEMS传感器,例如MEMS麦克风或MEMS压力传感器。本公开还涉及提供这种MEMS传感器的方法以及运行MEMS传感器的方法。本公开还描述了MEMS麦克风的鲁棒读出。
技术介绍
MEMS传感器可以使用不同的物理效应来执行传感测量。这种情况的一个例子是膜的偏移,例如通过与流体即液体和/或气体接触。这种MEMS传感器可以基于半导体技术形成,即,它们可以包括诸如硅和/或砷化镓的半导体材料。而且,其他材料可以被布置,其允许适当的功能化和/或钝化,例如导电材料,例如金属和/或钝化材料,例如氧化硅和/或氮化硅。期望具有对使用MEMS传感器的周围环境鲁棒的MEMS传感器。
技术实现思路
实施例提供一种具有MEMS装置的MEMS传感器,MEMS装置具有可移动电极。与可移动电极相对布置有定子电极。MEMS传感器具有连接到定子电极的第一偏置电压源,第一偏置电压源被配置为将第一偏置电压施加到定子电极。MEMS传感器具有通过电容耦合连接到定子电极的共模读出电路,共模读出电路包括第二偏置电压源,第二偏置电压源被设计为将第二偏置电压施加到电容耦合的背离定子电极的一侧。根据一个实施例,可移动电极是第一可移动电极。MEMS传感器包括第二可移动电极,第二可移动电极与第一可移动电极相对第布置,其中定子电极布置在第一和第二可移动电极之间。由此与共模读出电路一起实现的是,彼此相向或彼此远离移动的可移动电极分别提供对从共模读出电路获得的测量信号的附加贡献,与相互补偿的贡献相反。这使得可以获得鲁棒的ME ...
【技术保护点】
1.一种MEMS传感器(10;10';20;30;40;50;60;70;80;90),具有以下特征:MEMS装置(12;12'),包括:可移动电极(14;141、142)定子电极(16),所述定子电极与所述可移动电极(14;141、142)相对地布置;连接到所述定子电极(16;16a、16b)的第一偏置电压源(18;181、182),所述第一偏置电压源被配置为将第一偏置电压(V1、V5)施加到所述定子电极(16、16a、16b);和通过电容耦合(24)连接到所述定子电极(16;16a、16b)的共模读出电路(22),所述共模读出电路包括第二偏置电压源(26),所述第二偏置电压源被设计为将第二偏置电压(U2)施加到所述电容耦合(24)的背离所述定子电极(16;16a、16b)的一侧。
【技术特征摘要】
2017.08.01 DE 102017213277.91.一种MEMS传感器(10;10';20;30;40;50;60;70;80;90),具有以下特征:MEMS装置(12;12'),包括:可移动电极(14;141、142)定子电极(16),所述定子电极与所述可移动电极(14;141、142)相对地布置;连接到所述定子电极(16;16a、16b)的第一偏置电压源(18;181、182),所述第一偏置电压源被配置为将第一偏置电压(V1、V5)施加到所述定子电极(16、16a、16b);和通过电容耦合(24)连接到所述定子电极(16;16a、16b)的共模读出电路(22),所述共模读出电路包括第二偏置电压源(26),所述第二偏置电压源被设计为将第二偏置电压(U2)施加到所述电容耦合(24)的背离所述定子电极(16;16a、16b)的一侧。2.根据权利要求1所述的MEMS传感器,其中所述可移动电极是第一可移动电极(141),并且所述MEMS传感器还包括第二可移动电极(142),所述第二可移动电极与所述第一可移动电极(141)相对地布置,其中所述定子电极(16;16a、16b)布置在所述第一可移动电极(141)和所述第二可移动电极(142)之间。3.根据权利要求2所述的MEMS传感器,其中所述第一可移动电极(141)和所述第二可移动电极(142)被配置为连接到共同的第一电位(Uref),并且其中所述定子电极(16;16a、16b)被配置为连接到不同于所述第一电位的第二电位(U1)。4.根据权利要求3所述的MEMS传感器,其中所述第一电位(Uref)是所述MEMS传感器的参考电位。5.根据权利要求2至4中任一项所述的MEMS传感器,其中所述第一可移动电极(141)和所述第二可移动电极(142)能够沿相同方向(z)移动。6.根据权利要求2至5中任一项所述的MEMS传感器,其中所述第一可移动电极(141)和所述第二可移动电极(142)穿过所述定子电极(16;16a、16b)的平面彼此机械连接,并且被构造成执行同时的移动。7.根据权利要求2至6中任一项所述的MEMS传感器,其中所述共模读出电路(22)被构造成检测所述第一可移动电极(141)与所述定子电极(16;16a、16b)之间的第一电容值(C1)和所述第二可移动电极(142)与所述定子电极(16;16a、16b)之间的第二电容值(C2)。8.根据前述权利要求中任一项所述的MEMS传感器,其中所述可移动电极(14;141、142)和所述定子电极(16;16A、16B)中的至少一个被衬底(17)保持,所述衬底被配置为与所述MEMS传感器的参考电位(Uref)连接。9.根据权利要求1至7中任一项所述的MEMS传感器,其中所述可移动电极(14;141、142)和所述定子电极(16;16a、16b)中的至少一个被衬底(17)保持,其中所述衬底与所述可移动电极(14;141、142)和所述衬底(17)的周围环境电绝缘。10.根据前述权利要求中任一项所述的MEMS传感器,其中所述第一偏置电压源(18;181、182)被构造成施加具有至少3V电位的第一偏置电压(U1、U5),并且其中所述第二偏置电压源(26)被构造成施加具有至多2.5V的第二偏置电压(U2)。11.根据前述权利要求中任一项所述的MEMS传感器,其中所述第一偏置电压(U1、U5)和所述第二偏置电压(U2)是直流电压。12.根据前述权利要求中任一项所述的MEMS传感器,其中所述可移动电极是第一可移动电极(141),并且所述MEMS传感器还包括第二可移动电极(142),所述第二可移动电极与所述第一可移动电极(141)相对地布置,其中所述定子电极(16;16a、16b)布置在所述第一可移动电极(141)和所述第二可移动电极(142)之间;其中所述第一可移动电极(141)在空闲状态中以距所述定子电极(16;16a、16b)第一距离(361)布置,并且所述第二可移动电极(142)在所述空闲状态中以距所述定子电极(16;16a、16b)第二距离(362)布置,所述第二距离与所述第一距离(361)不同。13.根据权利要求11所述的MEMS传感器,其中所述第一距离(361)与所述第二距离(362)的商具有至少1.1的值。14.根据前述权利要求中任一项所...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·德厄,M·菲尔德纳,A·韦斯鲍尔,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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