半导体芯片封装件制造技术

该半导体芯片封装件设置有：半导体芯片，其具有第一表面、位于第一表面的相对侧上的第二表面、电路部、以及用于将电压供应至电路部的电极；树脂层，形成在半导体芯片的周围；基板，被配置成面向树脂层、以及半导体芯片的第一表面，并且具有透光特性；以及多个外部端子，设置在半导体芯片的第二表面一侧并且电连接至任意一个电极。

Semiconductor chip packages

The semiconductor chip package is provided with: a semiconductor chip having a first surface, a second surface on the relative side of the first surface, a circuit section, and an electrode for supplying voltage to the circuit section; a resin layer formed around the semiconductor chip; a substrate configured to face the resin layer and a first surface of the semiconductor chip, and having light transmission characteristics; A plurality of external terminals are arranged on one side of the second surface of the semiconductor chip and electrically connected to any one of the electrodes.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体芯片封装件
本公开涉及一种包括外部端子的半导体芯片封装件(semiconductorchippackage，半导体芯片封装)。
技术介绍
近年来，作为对电子设备的小型化有利的半导体芯片封装件，例如，正在进行芯片尺寸封装件(CSP：芯片尺寸封装)或晶圆级(waferlevel，晶片级)封装件(WLP：晶圆级封装)的开发(例如，专利文献1和专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2009-10352号公报专利文献2：特开2009-182208号公报
技术实现思路
在如上述的半导体芯片封装件中，希望在实现小型化的同时，实现能够改善外部端子的配置自由度的封装结构。根据本公开的实施方式的半导体芯片封装件包括：半导体芯片，具有相对的第一表面和第二表面，并且具有电路部(circuitpart，回路部)和用于将电压供应至电路部的电极；树脂层，形成在半导体芯片的外围(periphery，周围，附近)；基板，被配置成面向半导体芯片的第一表面和树脂层，并且具有透光性(opticaltransparency，光透过性)；以及多个外部端子，设置在半导体芯片的第二表面一侧(sideofthesecondsurface，第二表面的侧面，第二表面侧)，多个外部端子中的每个外部端子电耦接(electricallycoupled，电连接)至多个电极中的任意电极。在根据本公开的实施方式的半导体芯片封装件中，树脂层形成在半导体芯片的外围并且半导体芯片的电极电耦接至形成在第二表面一侧的外部端子。这允许在半导体芯片的第二表面一侧的与半导体芯片对应的区域以及与树脂层对应的区域两者中形成外部端子。在根据本公开的实施方式的半导体芯片封装件中，树脂层形成在半导体芯片的外围并且半导体芯片的电极电耦接至形成在第二表面一侧的外部端子。这允许在半导体芯片的第二表面一侧的与半导体芯片对应的区域以及与树脂层对应的区域两者中形成外部端子。可以使得封装尺寸比其中外部端子仅配置在与半导体芯片的外围对应的区域中的封装结构更小。此外，外部端子的配置自由度比其中外部端子仅配置在与半导体芯片对应的区域(定位在比半导体芯片的周界更靠内的区域)中的封装结构更高。因此，可以在实现小型化的同时，改善外部端子的配置自由度。应注意，上述描述是本公开的实施例。本公开的效果不局限于上述那些效果，并且可以是其他不同的效果或可以进一步具有其他效果。附图说明[图1]是本公开的第一实施方式的传感器芯片封装件的构造的截面图。[图2]是描述图1中示出的传感器芯片封装件的配线连接构造的实施例的示意性平面图。[图3]是描述图1中示出的传感器芯片封装件的制造方法的过程的截面图。[图4A]是描述图3之后的过程的截面图。[图4B]是与图4A中的过程对应的平面图。[图4C]是与图4B中的过程对应的平面图。[图5]是描述图4C之后的过程的截面图。[图6]是描述图5之后的过程的截面图。[图7]是描述图6之后的过程的截面图。[图8]是描述图7之后的过程的截面图。[图9]是描述图8之后的过程的截面图。[图10]是描述图9之后的过程的截面图。[图11]是根据比较例1的传感器芯片封装件的构造的截面图。[图12]是根据比较例2的传感器芯片封装件的构造的截面图。[图13]是根据本公开的第二实施方式的传感器芯片封装件的构造的截面图。[图14]是描述图13中示出的传感器芯片封装件的配线连接构造的实施例的示意性平面图。[图15]是描述图13中示出的传感器芯片封装件的制造方法的过程的截面图。[图16A]是描述图15之后的过程的截面图。[图16B]是与图16A中的过程对应的平面图。[图17]是描述图16B之后的过程的截面图。[图18]是描述图17之后的过程的截面图。[图19]是描述图18之后的过程的截面图。[图20]是描述图19之后的过程的截面图。[图21]是描述图20之后的过程的截面图。[图22]是描述图21之后的过程的截面图。[图23]是根据变形例的传感器芯片封装件的配线连接构造的实施例的示意性平面图。具体实施方式在下文中，将参考附图详细描述本公开的一些实施方式。应注意，按照下列顺序展开描述。1.第一实施方式(贯通电极形成在传感器芯片的外围的树脂层中并且传感器芯片经由贯通电极电耦接至外部端子的芯片封装件的实施例)2.第二实施方式(树脂层形成在传感器芯片的外围、贯通电极形成在传感器芯片中、并且传感器芯片经由贯通电极电耦接至外部端子的芯片封装件的实施例)3.变形例(通过树脂层的贯通电极与传感器芯片的贯通电极二者的使用执行与外部端子耦接的情况的实施例)<第一实施方式>[构造]图1示出了本公开的第一实施方式的半导体芯片封装件(传感器芯片封装件1)的截面构造。传感器芯片封装件1是例如称为芯片尺寸封装件(CSP)或晶圆级封装件(WLP)的电子部件并且包括例如传感器芯片10(半导体芯片)。树脂层13形成在传感器芯片10的外围(通过树脂层13密封传感器芯片10的外围)。基板12被配置成面向半导体芯片10的一个表面(光入射侧的表面，例如，表面S11)和树脂层13。传感器芯片10的面向表面S11的表面S12一侧设置有绝缘膜15、再配线层(再分布层：RDL)16、以及用于外部耦接的多个端子(外部端子17)。例如，传感器芯片10包括诸如CCD(电荷耦合设备图像传感器)和CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器等成像器件(光接收器件)。在传感器芯片10中，例如，通过微制造过程在硅基板上形成包括晶体管的多个电路(电路部)并且集成各种功能。例如，包括滤色片和片上透镜等的光接收部10A形成在传感器芯片10的表面S11上。在该实施方式中，在表面S11上，传感器芯片10包括电耦接至上述电路部并且旨在用于将电压供应至电路部的多个电极10e。空隙(腔11)设置在传感器芯片10的表面S11与基板12之间。换言之，传感器芯片10与基板12间隔开并且配置成彼此面对。腔11的厚度t1(传感器芯片10的表面S11与基板12之间的距离)不受具体限制，但是希望确保尺寸不损坏传感器芯片10的光接收部10A(具体地，片上透镜)。根据需要，可以在光接收部10A上形成保护膜。基板12包括具有透光性的材料。例如，希望基板12包括具有密封性能的透明基板，诸如玻璃基板。这是因为光从基板12的顶表面(表面S1)一侧进入传感器芯片10，并且基板12与树脂层13密封传感器芯片10。树脂层13可以包括固化剂，固化剂包含酚醛清漆树脂和苯酚树脂(例如，其中将环氧树脂作为基础树脂)、以及添加了诸如球形二氧化硅的填料的热固性树脂。除此之外，例如，根据需要，树脂层13可以包括反应促进剂、硅烷偶联剂、阻燃剂。尽管树脂层13的厚度t不受具体限制，然而，例如，根据传感器芯片10的厚度、腔11的厚度t1、以及树脂层13中包括的材料的粘度适当地设置厚度t。尽管树脂层13的宽度d不受具体限制，然而，例如，根据传感器芯片封装件1的尺寸和外部端子17的布局适当地设置宽度d。例如，树脂层13具有覆盖传感器芯片10的侧表面的一部分或全部的侧面填充树脂13a(第一树脂层)。更具体地，侧面填充树脂13a形成为在截面上至少覆盖接近于传感器芯片10的侧表面的配线部18的区域。例如，在平面图中，侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体芯片封装件，包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有相对的第一表面和第二表面，并且具有电路部和用于将电压供应至所述电路部的多个电极；树脂层，所述树脂层形成在所述半导体芯片的外围；以及基板，所述基板被配置成面向所述半导体芯片的所述第一表面以及所述树脂层，并且具有透光性；以及多个外部端子，所述多个外部端子设置在所述半导体芯片的第二表面一侧，所述多个外部端子中的每一个外部端子电耦接至所述多个电极中的任一电极。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.20 JP 2016-1213161.一种半导体芯片封装件，包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有相对的第一表面和第二表面，并且具有电路部和用于将电压供应至所述电路部的多个电极；树脂层，所述树脂层形成在所述半导体芯片的外围；以及基板，所述基板被配置成面向所述半导体芯片的所述第一表面以及所述树脂层，并且具有透光性；以及多个外部端子，所述多个外部端子设置在所述半导体芯片的第二表面一侧，所述多个外部端子中的每一个外部端子电耦接至所述多个电极中的任一电极。2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，其中，所述电极设置在所述半导体芯片的所述第一表面上，所述半导体芯片封装件进一步包括：配线部，所述配线部设置在所述半导体芯片的第一表面一侧并且电耦接至所述电极；和第一贯通电极，所述第一贯通电极通过贯通所述树脂层形成，所述第一贯通电极的一端电耦接至所述配线部并且另一端电耦接至所述多个外部端子中的任一外部端子。3.根据权利要求2所述的半导体芯片封装件，其中，所述配线部包括：耦接部，所述耦接部电耦接至所述半导体芯片的所述电极；和配线层，所述配线层设置在所述基板与所述树脂层之间，所述配线层的一部分电耦接至所述耦接部并且另一部分电耦接至所述第一贯通电极。4.根据权利要求1所述的半导体芯片封装件，其中，所述树脂层包括：第一树脂层，所述第一树脂层覆盖所述半导体芯片的侧表面的一部分或全部；和第二树...

【专利技术属性】
技术研发人员：重田博幸，西谷祐司，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP