一种管脚保护装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种管脚保护装置。一种管脚保护装置包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NMOS管、第一二极管、第四电阻和第五电阻。利用本发明专利技术提供的管脚保护装置可以对输入管脚会有过冲电流的冲击进行保护。

【技术实现步骤摘要】
一种管脚保护装置
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及到管脚保护装置。
技术介绍
在芯片管脚设计时考虑到输入管脚会有过冲电流的冲击而损坏，为此设置了输入管脚保护装置。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种管脚保护装置。一种管脚保护装置，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NMOS管、第一二极管、第四电阻和第五电阻：所述第一电阻的一端接输入管脚PA，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一NMOS管的源极和所述第一二极管的N极；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的源极和所述第一二极管的N极，另一端接地；所述第三电阻的一端接输入管脚PA，另一端接所述第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的栅极接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端，漏极接所述第三电阻的一端，源极接所述第一二极管的N极和所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端；所述第一二极管的N极接所述第一NMOS管的源极和所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，P极接地；所述第四电阻的一端接输入管脚PA，另一端接所述第五电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极；所述第五电阻的一端接所述第四电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极；另一端接地。正常工作情况下所述第一NMOS管是不工作的，当输入管脚PA有上冲电压时，此时所述第四电阻和所述第五电阻的电压都升高，当所述第五电阻上的电压使得所述第一NMOS管导通，上冲的电压就会经过所述第三电阻、所述第一NMOS管的源漏极和所述第二电阻这一通路进行泄放过冲电压；当输入管脚PA有下冲电压时，此时所述第一电阻和所述第一二极管形成一个通路可以对下冲电压进行补充。附图说明图1为本专利技术的管脚保护装置的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。一种管脚保护装置，如图1所示，包括第一电阻10、第二电阻20、第三电阻30、第一NMOS管40、第一二极管50、第四电阻60和第五电阻70：所述第一电阻10的一端接输入管脚PA，另一端接所述第二电阻20的一端和所述第一NMOS管40的源极和所述第一二极管50的N极；所述第二电阻20的一端接所述第一电阻10的一端和所述第一NMOS管40的源极和所述第一二极管50的N极，另一端接地；所述第三电阻30的一端接输入管脚PA，另一端接所述第一NMOS管40的漏极；所述第一NMOS管40的栅极接所述第四电阻60的一端和所述第五电阻70的一端，漏极接所述第三电阻30的一端，源极接所述第一二极管50的N极和所述第一电阻10的一端和所述第二电阻20的一端；所述第一二极管50的N极接所述第一NMOS管40的源极和所述第一电阻10的一端和所述第二电阻20的一端，P极接地；所述第四电阻60的一端接输入管脚PA，另一端接所述第五电阻70的一端和所述第一NMOS管40的栅极；所述第五电阻70的一端接所述第四电阻60的一端和所述第一NMOS管40的栅极；另一端接地。正常工作情况下所述第一NMOS管40是不工作的，当输入管脚PA有上冲电压时，此时所述第四电阻60和所述第五电阻70的电压都升高，当所述第五电阻70上的电压使得所述第一NMOS管40导通，上冲的电压就会经过所述第三电阻30、所述第一NMOS管40的源漏极和所述第二电阻20这一通路进行泄放过冲电压；当输入管脚PA有下冲电压时，此时所述第一电阻10和所述第一二极管50形成一个通路可以对下冲电压进行补充。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种管脚保护装置，其特征在于：包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NMOS管、第一二极管、第四电阻和第五电阻；所述第一电阻的一端接输入管脚PA，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一NMOS管的源极和所述第一二极管的N极；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的源极和所述第一二极管的N极，另一端接地；所述第三电阻的一端接输入管脚PA，另一端接所述第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的栅极接所述第四电阻的一端和所述第五电阻的一端，漏极接所述第三电阻的一端，源极接所述第一二极管的N极和所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端；所述第一二极管的N极接所述第一NMOS管的源极和所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端，P极接地；所述第四电阻的一端接输入管脚PA，另一端接所述第五电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极；所述第五电阻的一端接所述第四电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极；另一端接地。

【技术特征摘要】
1.一种管脚保护装置，其特征在于：包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NMOS管、第一二极管、第四电阻和第五电阻；所述第一电阻的一端接输入管脚PA，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一NMOS管的源极和所述第一二极管的N极；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的源极和所述第一二极管的N极，另一端接地；所述第三电阻的一端接输入管脚PA，另一端接所述第一NMOS管的漏极；所述第一NMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗红飞，
申请(专利权)人：杭州展虹科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33