显示面板及其制作方法技术

技术编号:20276095 阅读:35 留言:0更新日期:2019-02-02 04:58
本申请提出了一种显示面板及其制作方法,所述制作方法包括:提供一阵列基板;在所述阵列基板上形成第一电极层及像素定义层,所述像素定义层包括至少一第一开口;利用喷墨打印机中的特定喷头,将混合有微发光二极管单元的溶液滴入所述第一开口内,使所述微发光二极管单元形成于所述第一开口内;在所述微发光二极管单元上形成第二电极层;在所述第二电极层上形成封装层。本申请利用喷墨打印机中的特定喷头,将混合有微发光二极管单元的溶液滴入阵列基板上,完成所述微发光二极管单元从母板到阵列基板的转移,降低了所述微发光二极管的转移难度,提高了微发光二极管显示面板的良率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法
本申请涉及显示领域,特别涉及一种显示面板及其制作方法。
技术介绍
微发光二极管(MicroLED)技术是指在衬底上以高密度集成的微小尺寸的LED阵列。作为新兴显示技术,微发光二极管显示相较于LCD、OLED显示有较多优势,如较低的功耗,较高的色域,较快的相应速率等,但其技术难度大于LCD或OLED。在制造微发光二极管的过程中,首先在施主晶圆上形成微发光二极管,接着将微发光二极管转移到接受衬底上,接受衬底例如是显示屏;而由于需要把巨量的微发光二极管从母版转移到目标显示基板,因此,此项精确转移被认为是目前微发光二极管主要的制作瓶颈之一,导致使用这种方法转移微发光二极管的效率和良率均有较大的问题,大大降低微发光二极管显示面板的良率。本申请基于此技术问题,提出了下列技术方案。
技术实现思路
本申请提供一种显示面板及其制作方法,以解决现有制作微发光二极管显示面板良率较低的技术问题。为实现上述目的,本申请提供的技术方案如下:本申请提出了一种显示面板的制作方法,其包括:提供一阵列基板;在所述阵列基板上形成第一电极层及像素定义层,所述像素定义层包括至少一第一开口;在所述第一开口内设置微发光二极管单元;在所述微发光二极管单元上形成第二电极层;在所述第二电极层上形成薄膜封装层。在本申请的制作方法中,在所述第一开口内设置微发光二极管单元的步骤包括:在所述第一开口内填充第一溶液;在所述第一溶液上设置所述微发光二极管单元,使所述微发光二极管单元悬浮在所述第一溶液上;利用预定工艺去除所述第一溶液,使所述微发光二极管单元与所述第一电极连接。在本申请的制作方法中,在所述第一溶液上设置所述微发光二极管单元,使所述微发光二极管单元悬浮在所述第一溶液上的步骤,包括:在母板上制作所述微发光二极管单元;将所述微发光二极管单元均匀地分散在第二溶液中;利用喷墨打印机中的特定喷头,将所述第二溶液滴入所述第一开口内,使所述微发光二极管单元悬浮在所述第一溶液上。在本申请的制作方法中,所述微发光二极管单元包括二极管单元、第一介质及第二介质;所述第一介质设置于所述二极管单元的表面;所述第二介质设置于靠近所述阵列基板一侧的所述第一介质的表面;其中,所述第一介质与所述第一溶液互相排斥,所述第二介质与所述第一溶液互相吸引。在本申请的制作方法中,所述二极管单元包括第一电极、设置于所述第一电极上的发光单元、及设置于所述发光单元上的第二电极;所述第二介质靠近所述第一电极设置。在本申请的制作方法中,所述二极管单元还包括第二开口和第三开口,所述第二开口使部分所述第一电极裸露,所述第三开口使部分所述第二电极裸露;其中,所述第一电极层通过所述第二开口与所述第一电极电连接,所述第二电极层通过所述第三开口与所述第二电极电连接。在本申请的制作方法中,在所述第一开口内填充第一溶液之前,还包括步骤:在所述第一电极层上形成第一金属层;所述第一金属层包括铟、锡、镓、铅、铟锡合金、铟镓合金中的至少一种。在本申请的制作方法中,利用预定工艺去除所述第一溶液,使所述微发光二极管单元与所述第一电极连接的步骤包括:利用第一烘烤工艺,去除所述第一开口内的第一溶液,使所述微发光二极管单元与所述第一金属层接触;利用第二烘烤工艺,去除所述第二介质及使所述第一金属层呈熔融状态,使所述第一金属层通过所述第二开口与所述第一电极连接。在本申请的制作方法中,在所述微发光二极管单元上形成第二电极层之前,还包括步骤:在所述第一开口内形成平坦层,所述平坦层的厚度不大于所述微发光二极管单元的厚度;利用灰化工艺去除所述微发光二极管单元上所述平坦层。本申请还提出了一种显示面板,其中,所述显示面板采用上述的制作方法制成。有益效果:本申请利用喷墨打印机中的特定喷头,将混合有微发光二极管单元的溶液滴入阵列基板上,完成所述微发光二极管单元从母板到阵列基板的转移,降低了所述微发光二极管的转移难度,提高了微发光二极管显示面板的良率。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请显示面板制作方法的步骤图;图2A~2J为本申请显示面板制作方法的工艺流程图;图3为本申请显示面板制作方法的另一步骤图;图4为本申请显示面板中微发光二极管单元的结构图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本申请,而非用以限制本申请。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。图1所示为本申请一种显示面板的制作方法,其包括步骤:S10、提供一阵列基板;如图2A所示,在本步骤中,所述阵列基板包括基板10及位于所述基板10上的薄膜晶体管层20;所述基板10的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等中的一种;进一步的,所述基板10可以为但限定于柔性基板,可选地可以为有机聚合物,作为示例,有机聚合物可以是聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、聚碳酸酯(PC)、聚苯醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、环烯烃共聚物(COC)中的一种;所述薄膜晶体管层20包括ESL(蚀刻阻挡层型)、BCE(背沟道蚀刻型)或Top-gate(顶栅薄膜晶体管型)结构,具体没有限制;例如,如图2A所示,顶栅薄膜晶体管型包括:缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、间绝缘层、源漏极层以及平坦层。S20、在所述阵列基板上形成第一电极层及像素定义层;在本步骤中,首先在所述平坦层上形成过孔,使部分所述源漏极层裸露;其次,在所述平坦层上沉积一金属层,经光阻层涂覆,采用掩模板(未画出)曝光,经显影以及蚀刻的构图工艺处理后,形成如图2B所示的第一电极层30;可以理解的,当所述显示面板为底发射型发光器件时,所述第一电极层30为透明的金属层;选为铟锡氧化物(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)或氧化锌铝(AZO)中的至少一种;最后,在所述第一电极层30涂覆一层所述像素定义层40,所述像素定义层40包括至少一第一开口401;可以理解的,每一所述第一开口401内用于设置微发光二极管单元,即通过所述像素定义层40将不同颜色的所述微发光二极管单元隔开,防止颜色的串扰。S30、在所述第一开口内设置微发光二极管单元;本步骤主要为将所述微发光二极管单元从母板上转移到目标基板中,即转移到图2B所示的图案中,如图3所示,包括步骤:S301、在所述第一电极层上形成第一金属层;如图2C所示,本步骤首先在所述第一电极层30上形成第一金属层50,所述第一金属层50位于所述第一开口401内,将所述第一电极层30覆盖;优选的,所述第一金属层50包括铟、锡、镓、铅、铟锡合金、铟镓合金中的至少一种。S302、在所述第一开口内填充第一溶液;如图2D所示,本步骤主要在所述第一开口401内填充第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:提供一阵列基板;在所述阵列基板上形成第一电极层及像素定义层,所述像素定义层包括至少一第一开口;在所述第一开口内设置微发光二极管单元;在所述微发光二极管单元上形成第二电极层;在所述第二电极层上形成薄膜封装层。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:提供一阵列基板;在所述阵列基板上形成第一电极层及像素定义层,所述像素定义层包括至少一第一开口;在所述第一开口内设置微发光二极管单元;在所述微发光二极管单元上形成第二电极层;在所述第二电极层上形成薄膜封装层。2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述第一开口内设置微发光二极管单元的步骤包括:在所述第一开口内填充第一溶液;在所述第一溶液上设置所述微发光二极管单元,使所述微发光二极管单元悬浮在所述第一溶液上;利用预定工艺去除所述第一溶液,使所述微发光二极管单元与所述第一电极连接。3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,在所述第一溶液上设置所述微发光二极管单元,使所述微发光二极管单元悬浮在所述第一溶液上的步骤,包括:在母板上制作所述微发光二极管单元;将所述微发光二极管单元均匀地分散在第二溶液中;利用喷墨打印机中的特定喷头,将所述第二溶液滴入所述第一开口内,使所述微发光二极管单元悬浮在所述第一溶液上。4.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述微发光二极管单元包括二极管单元、第一介质及第二介质;所述第一介质设置于所述二极管单元的表面;所述第二介质设置于靠近所述阵列基板一侧的所述第一介质的表面;其中,所述第一介质与所述第一溶液互相排斥,所述第二介质与所述第一溶液互相吸引。5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述二极管单元包括第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢马才樊勇柳铭岗
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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