晶片蚀刻装置制造方法及图纸

本公开涉及一种用于蚀刻晶片的晶片蚀刻装置，该晶片蚀刻装置包括：在其内部设置蚀刻剂和晶片的浴槽；输入管，所述输入管设置有第一孔，蚀刻剂通过所述第一孔被引入到浴槽中；和排出管，所述排出管设置有第二孔，蚀刻剂通过所述第二孔从浴槽内部离开，其中输入管的第一孔和排出管的第二孔被布置成相对于晶片具有高度差。

【技术实现步骤摘要】
晶片蚀刻装置
本公开总体涉及一种晶片蚀刻装置，更特别地，涉及一种能够有效地蚀刻晶片的晶片蚀刻装置。
技术介绍
在这里，提供了与本公开相关的
技术介绍
，但不一定是现有技术。图1示出在韩国专利公开号10-2003-0056702中提出的现有技术的晶片蚀刻装置的示例性实施方式的示意图。现有技术的晶片蚀刻装置具有化学浴槽10，其包括：填充有蚀刻剂的内部浴槽10a，其中待蚀刻的晶片浸入其中；以及形成在内部浴槽10a的外周的外部浴槽10b，供填充的蚀刻剂溢出于此。用于使蚀刻剂在内部浴槽10a和外部浴槽10b之间连续循环的蚀刻剂循环系统(由虚线表示)与化学浴槽10的内部浴槽10a和外部浴槽10b连接。蚀刻剂循环系统包括：蚀刻剂储罐20；泵22，用于使储存在蚀刻剂储罐20中的蚀刻剂循环；过滤器24，用于去除包含在蚀刻剂中的杂质；和换热器26，用于调节蚀刻剂的温度，其中蚀刻剂储罐20形成为通过管道连接到外部浴槽10b，换热器26形成为通过管道连接到内部浴槽10a。此外，随着蚀刻剂朝内部浴槽10a的上侧移动，溢出到外部浴槽10b中的蚀刻剂通过化学浴槽10的内部浴槽10a的底部处的泵被移向循环管道，从而再次流入内部浴槽。在具有这种结构的传统晶片蚀刻装置中，在多个晶片安装在单独的晶片引导件上的情况下，当晶片浸入内部浴槽10a中时，进行蚀刻。此时，在化学浴槽10中，蚀刻剂从内部浴槽10a到外部浴槽10a的连续溢出通过蚀刻剂循环系统进行。在这种状态下，浸入内部浴槽10a中的晶片的表面通过与溢出的蚀刻剂进行化学反应而被蚀刻。这里，通过供应在化学液供应喷嘴30中过滤的化学液来激活晶片与蚀刻剂之间的反应。然后，当蚀刻进行了预定时间时，将已浸入的晶片引导件从蚀刻剂中提起。图2图示出现有技术的晶片蚀刻装置的问题。当形成竖直存储器时，交替地层叠氧化物层和氮化物层。为了提高集成度，氧化物层和氮化物层的数量已经增加到24层、36层、48层和64层，并且预期其连续增加到200层。然而，在层叠氧化物层和氮化物层之后，当使用磷酸型蚀刻剂对氮化物层进行隔离蚀刻时出现问题。反应式可以表示为3Si3N4+27H2O+4H3PO44(NH4)3PO4+9H2SiO3(二氧化硅：含水二氧化硅)。此时，当堆叠的层数增加或者晶片W的数量增加时，如反应式所示，在晶片W上局部发生二氧化硅(含水二氧化硅)的再沉淀现象。图2(a)图示出二氧化硅A在晶片W上局部再沉淀的状态。图2(b)图示出二氧化硅A在竖直存储器上再沉淀的状态。确定为，与化学浴槽中的晶片的其它位置相比，图2(a)和2(b)中的这些位置是其中蚀刻剂的化学液流动更弱的位置。在现有技术的晶片蚀刻装置中，从内部浴槽10a到外部浴槽10b的蚀刻剂流动不足以蚀刻晶片，使得存在再沉淀的问题，因此，本公开提供了输入管和排出管以激活晶片周围的流动。
技术实现思路
1.技术问题这将在后面“具体实施方式”的最后部分中进行描述。2.解决问题的方案在此，提供了本公开的总体概述，其不应被解释为限制本公开的范围。根据本公开的一个方面，对于用于蚀刻晶片的晶片蚀刻装置，提供了一种晶片蚀刻装置，包括：在其内部设置有蚀刻剂和晶片的浴槽；输入管，所述输入管设置有第一孔，蚀刻剂通过第一孔被引入到浴槽中；和排出管，排出管设置有第二孔，蚀刻剂通过第二孔从浴槽内部离开，其中输入管的第一孔和排出管的第二孔被布置成相对于晶片具有高度差。附图说明图1示出在韩国专利公开号10-2003-0056702中提出的现有技术的晶片蚀刻装置的示例性实施方式的示意图。图2图示出现有技术的晶片蚀刻装置的问题。图3图示出根据本公开的晶片蚀刻装置的示例性实施方式。图4图示出根据本公开的晶片蚀刻装置的另一示例性实施方式。图5图示出根据本公开的晶片蚀刻装置的又一示例性实施方式。图6图示出根据本公开的晶片蚀刻装置的又一示例性实施方式。图7图示出根据本公开的晶片蚀刻装置的晶片。具体实施方式现在将参考附图来详细说明本公开。图3图示出根据本公开的晶片蚀刻装置的示例性实施方式。图3(a)是晶片蚀刻装置100的立体图，图3(b)是晶片蚀刻装置100的俯视图，图3(c)是晶片蚀刻装置100沿着线A-A'截取的横截面图。对于用于蚀刻晶片的晶片蚀刻装置100，晶片蚀刻装置100包括：浴槽110；输入管130；以及排出管150。蚀刻剂和晶片W设置在浴槽110内。提供蚀刻剂使得输入管130、排出管150和晶片W完全浸没。例如，蚀刻剂可以包括水和磷酸。输入管130包括第一孔131，蚀刻剂通过第一孔131被从输入管130引入到浴槽110的内部。排出管150包括第二孔151，并使得浴槽110中的蚀刻剂通过第二孔151流出到排出管150。输入管130和排出管150可以由石英形成。输入管130的第一孔131和排出管150的第二孔151被定位成相对于晶片W具有高度差。第一孔131和第二孔151可以被设置为多个，并且第一孔131的数量和第二孔151的数量可以形成为具有一一对应的关系。输入管130相对于晶片W布置在晶片W的下方，排出管150相对于晶片W布置在晶片W的上方。此时，在晶片W设置在浴槽110内的情况下，优选将排出管150布置在从晶片W的最下部开始的半径高度h1与从晶片W的最下部开始的直径高度h2之间。这是因为，有利于扩散排出反应副产物。在晶片W的附近设置有多个输入管130(130-1、130-2)，在晶片W的附近设置有多个排出管150(150-1、150-2)。输入管130之间的距离被形成为比排出管150之间的距离窄。这是因为从设置在下侧的输入管130注入的蚀刻剂可以相对于晶片W被有效地循环并供应。进口管130和排出管150可以被形成为具有长达浴槽110的内部长度的长度。晶片蚀刻装置100还可以包括进口孔113和排出孔115。细节如图6所示。图4图示出根据本公开的晶片蚀刻装置的另一示例性实施方式。晶片蚀刻装置100的输入管130的第一孔131和排出管150的第二孔151优选地形成为朝向晶片W。晶片蚀刻装置100的输入管130和排出管150设置在晶片W的附近的原因是为了在晶片W的周围形成强流动。此时，第一孔131和第二孔151形成为朝向晶片W从而产生朝向晶片W的中心c的流动。而且，还可以在输入管130中包括第三孔132，并且第三孔132可以形成为不面向输入管130与排出管150之间的晶片W，而是面向腔室110，从而在撞击腔室110之后产生流入晶片W之间的空间的流动。图5图示出根据本公开的晶片蚀刻装置的又一示例性实施方式。该图示出了设置在晶片蚀刻装置100中的输入管130和排出管150，并且示出了设置在输入管130中的多个第一孔131的位置和设置在排出管150中的多个第二孔151的位置，多个第一孔131和多个第二孔151以预定间隔间隔开设置。如图5(a)所示，第一孔131和第二孔151可以形成为具有一一对应的关系。晶片W设置在第一孔131与第一孔131之间以及第二孔151与第二孔151之间。如图5(b)所示，第一孔131和第二孔151可形成为具有之字形对应关系。由于形成之字形，从第一孔131引入的蚀刻剂遍布于晶片W上并通过第二孔151离开。因此，可以在晶片W之间快速形成流动。蚀刻剂蚀刻晶片W并使得蚀刻剂通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片蚀刻装置，包括：在其内部设置蚀刻剂和晶片的浴槽；输入管，所述输入管设置有第一孔，所述蚀刻剂通过所述第一孔被引入到所述浴槽中；和排出管，所述排出管设置有第二孔，所述蚀刻剂通过所述第二孔离开所述浴槽，其中所述第一孔和所述第二孔各自相对于所述晶片具有高度差。

【技术特征摘要】
2017.07.25 KR 10-2017-00940521.一种晶片蚀刻装置，包括：在其内部设置蚀刻剂和晶片的浴槽；输入管，所述输入管设置有第一孔，所述蚀刻剂通过所述第一孔被引入到所述浴槽中；和排出管，所述排出管设置有第二孔，所述蚀刻剂通过所述第二孔离开所述浴槽，其中所述第一孔和所述第二孔各自相对于所述晶片具有高度差。2.根据权利要求1所述的晶片蚀刻装置，其中，所述排出管相对于所述晶片位于所述晶片的半径高度和直径高度之间。3.根据权利要求1所述的晶片蚀刻装置，其中，所述输入管相对于所述晶片位于所述晶片的下侧，且所述排出管相对于所述晶片位于所述晶片的上侧。4.根据权利要求1所述的晶片蚀刻装置，其中，所述第一孔和所述第二孔面对所述晶片。5.根据权利要求1所述的晶片蚀刻装置，其中，所述输入管设有多个，所述排出管设置有多个，并且所述输入管之间的距离比所述排出管之间的距离窄。6.根据权利要求1所述的晶片蚀刻装置，还包括：多个入口孔，所述多个入口孔与所述输入管连接，清洗液...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹炳文，
申请(专利权)人：无尽电子有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR