本发明专利技术提供亮度不均得到抑制的发光装置。发光装置具备：基体(10)，其具有导体配线；发光元件(21)，其以与导体配线电连接的方式配置于基体；以及电介质多层膜(22)，其设置于发光元件(21)的上表面(21a)，在电介质多层膜(22)中，比发光元件的发光峰值波长区域长50nm的长波长侧的区域中的光谱反射率比发光元件的发光峰值波长区域中的光谱反射率大10％以上。
Light emitting devices, integrated light emitting devices and light emitting modules
The invention provides a luminescent device with inhibited uneven brightness. The luminescent device has a matrix (10) with a conductor wiring, a luminescent element (21) with a conductor wiring connection, and a dielectric multilayer (22), which is arranged on the upper surface (21a) of the luminescent element (21), and a spectral reflectance ratio luminescence in a long wavelength side region 50 nm longer than the peak wavelength region of the luminescent element in a dielectric multilayer (22). The spectral reflectance in the peak wavelength region of the device is more than 10%.
【技术实现步骤摘要】
发光装置、集成型发光装置以及发光模块
本专利技术涉及发光装置、集成型发光装置以及发光模块。
技术介绍
近年来，作为液晶显示装置等显示装置所使用的背光装置，提出了使用半导体发光元件的直下型的面发光装置。基于功能性、外观设计性等观点，有时要求显示装置为薄型，从而背光装置也要求进一步为薄型。另外，在通常照明用的发光装置中，基于功能性、外观设计性等观点，有时也要求薄型。当将这种用途的发光装置薄型化时，通常容易产生发光面的亮度不均。特别是在将多个发光元件一维或者二维地排列的情况下，发光元件的正上方的亮度比其周围高。因此，例如，专利文献1公开了如下技术：在对发光元件进行密封且作为透镜而发挥功能的树脂体的表面中的、发光元件的正上方区域附近局部地配置有散射构件，从而提高从光源出射的光的均匀性。在先技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2012/099145号
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术提供亮度不均得到抑制的发光装置。用于解决课题的方案本专利技术的发光装置具备：基体，其具有导体配线；发光元件，其以与所述导体配线电连接的方式配置于所述基体；以及电介质多层膜，其设置于所述发光元件的上表面，比所述发光元件的发光峰值波长区域长50nm的长波长侧的区域中的光谱反射率比所述发光元件的发光峰值波长区域中的光谱反射率大10％以上。专利技术效果根据本专利技术，提供发光元件的上方的区域和其周围的区域的亮度不均得到抑制的宽配光的发光装置。附图说明图1是示出第一实施方式的发光装置的一例的剖视图。图2是示出图1所示的发光装置的电介质多层膜的光谱反射特性的一例的图。图3是示出在发光元件的上表面设置有通常的电介质多层膜且经由散射板而观察到的发光的情形的图。图4是示出电介质多层膜的光谱反射特性的入射角依存性的图。图5是示出在图1所示的发光装置中从发光元件出射的光的情形的示意图。图6A是示出第二实施方式的发光模块的一例的剖视图。图6B是图6A所示的发光模块的集成型发光装置的俯视图。图7A是示出第三实施方式的背光装置的一例的剖视图。图7B是示出第三实施方式的背光装置的另一例的剖视图。附图标记说明10基体；11基材；11a上表面；12导体配线；13绝缘层；14绝缘构件；15光反射构件；17发光空间；21发光元件；21a上表面；21c侧面；22电介质多层膜；23连接部件；24底部填充构件；30密封构件；50透光层叠体；51散射板；52波长转换构件；60壳体；60A底部；60B侧部；60a第一平面；60b第二平面；60c侧面；62反射膜；63反射板；101发光装置；102发光模块；103集成型发光装置；104背光装置。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的发光装置、集成型发光装置以及发光模块的实施方式进行说明。以下说明的发光装置、集成型发光装置以及发光模块仅为实施方式的一例，在实施方式所说明的方式中能够进行各种改变。在以下的说明中，有时使用表示特定的方向或者位置的用语(例如，“上”、“下”、“右”、“左”以及包括它们的其他用语)。上述用语仅用于易于理解地示出所参照的附图中的相对方向或者位置。只要所参照的附图中的“上”、“下”等用语表示的相对方向或者位置的关系相同，则在本专利技术以外的附图、实际的产品等中也可以不为与所参照的附图相同的配置。另外，为了易于理解，附图示出的构成要素的大小以及位置关系等存在夸张的情况，有时并不严格地反应实际的发光装置中的大小、或者实际的发光装置中的构成要素间的大小关系。需要说明的是，为了避免附图过度复杂，在示意性的剖视图等中有时省略部分要素的图示。(第一实施方式)图1是示出本实施方式的发光装置101的剖面结构的示意图。发光装置101具备基体10、发光元件21、以及电介质多层膜22。以下，对各构成要素详细地进行说明。[基体10]基体10具有上表面，对发光元件21进行支承。另外，基体10向发光元件21供给电力。基体10例如包括基材11和导体配线12。基体10也可以还具备绝缘层13。基材11例如由酚醛树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、BT树脂、聚邻苯二甲酰胺(PPA)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)等树脂、陶瓷等构成。其中，基于低成本、成型容易性的观点，优选选择具有绝缘性的树脂。或者，为了实现耐热性以及耐光性优异的发光装置，可以选择陶瓷作为基材11的材料。作为陶瓷，例如能够列举氧化铝、莫来石、镁橄榄石、玻璃陶瓷、氮化物系(例如，AlN)、碳化物系(例如，SiC)等。其中，优选由氧化铝构成或者以氧化铝为主成分的陶瓷。另外，在构成基材11的材料使用树脂的情况下，通过在树脂中混合玻璃纤维、SiO2、TiO2、Al2O3等无机填料，还能够实现机械强度的提高、热膨胀率的降低、光反射率的提高等。另外，基材11可以为在金属板形成有绝缘层的复合板。导体配线12具有规定的配线图案。导体配线12与发光元件21的电极电连接，将来自外部的电力向发光元件21供给。配线图案包括与发光元件21的正极连接的正极配线和与发光元件21的负极连接的负极配线。导体配线12形成在成为发光元件21的载置面的、基体10的至少上表面。导体配线12的材料能够根据基材11的材料、基材11的制造方法等而从导电性材料中适当选择。例如，在使用陶瓷作为基材11的材料的情况下，导体配线12的材料优选为具有能够耐受陶瓷片的烧制温度的高熔点的材料，例如优选使用钨、钼这样的高熔点的金属。也可以在由上述的高熔点金属构成的配线图案上通过镀敷、溅射、蒸镀等而还具备镍、金、银等其他金属材料的层。在使用树脂作为基材11的材料的情况下，导体配线12的材料优选为容易加工的材料。另外，在使用注塑成形的树脂的情况下，导体配线12的材料优选为容易进行冲裁加工、蚀刻加工、弯曲加工等加工并且具有较大的机械强度的材料。具体而言，优选为通过铜、铝、金、银、钨、铁、镍等金属、或者铁-镍合金、磷青铜、含铁铜、钼等的金属层、引线框等形成导体配线12。另外，导体配线12也可以在由上述金属形成的配线图案的表面上还具备其他金属材料的层。其材料并不特别限定，例如可以使用仅由银构成的层，或者由银与铜、金、铝、铑等的合金构成的层，或者使用上述银、各合金的多层。由其他金属材料形成的层能够通过镀敷、溅射、蒸镀等而形成。[绝缘层13]基体10可以具备绝缘层13。绝缘层13在基体10中覆盖导体配线12中的与发光元件21等连接的部分且设置在基材11上。即，绝缘层13具有电绝缘性，覆盖导体配线12的至少一部分。优选为，绝缘层13具有光反射性。通过绝缘层13具有光反射性，能够反射从发光元件21向基体10侧出射的光，从而提高光的导出效率。另外，通过绝缘层13具有光反射性，还能够反射从光源出射并到达于例如包括散射板、波长转换构件等的透光层叠体的光中的进行了反射的光，从而提高光的导出效率。通过上述基体反射的光也透过透光层叠体，从而能够进一步抑制亮度不均。绝缘层13的材料只要为对于从发光元件21出射的光的吸收少且具有绝缘性的材料，则并不特别限制。例如，可以使用环氧树脂、硅酮、改性硅酮、聚氨酯树脂、氧杂环丁烷树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯、聚酰亚胺等树脂材料。在对绝缘层13赋予光反射性的情况下，绝缘层13可以在上述的树脂材料中含有向后述的底部填充材料添加的白色系的填料。以下对白色系的填本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光装置，具备：基体，其具有导体配线；发光元件，其以与所述导体配线电连接的方式配置于所述基体；以及电介质多层膜，其设置于所述发光元件的上表面，在所述电介质多层膜中，比所述发光元件的发光峰值波长区域长50nm的长波长侧的区域中的光谱反射率比所述发光元件的发光峰值波长区域中的光谱反射率大10％以上。
【技术特征摘要】
2017.07.21 JP 2017-141924;2017.10.05 JP 2017-195351.一种发光装置，具备：基体，其具有导体配线；发光元件，其以与所述导体配线电连接的方式配置于所述基体；以及电介质多层膜，其设置于所述发光元件的上表面，在所述电介质多层膜中，比所述发光元件的发光峰值波长区域长50nm的长波长侧的区域中的光谱反射率比所述发光元件的发光峰值波长区域中的光谱反射率大10％以上。2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光元件的发光峰值波长区域中的所述光谱反射率为70％以上且95％以下。3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其中，所述电介质多层膜的垂直入射时的反射波长频带包括所述发光元件的发光峰值波长，同比所述发光峰值波长短的短波长侧相比，比所述发光峰值波长长的长波长侧更宽。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，其中，所述发光装置出射的光的全部光量的25％以上相对于所述基体的上表面而以小于20°的仰角出射。5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其中，所述发光装置还具备覆盖所述发光元件以及所述电介质多层膜的密封构件，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：山田元量，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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