光刻预湿设备以及光刻预湿方法技术

一种光刻预湿设备以及光刻预湿方法，所述光刻预湿设备包括：晶圆基座，用于放置晶圆；预湿溶剂容器，用于放置预湿溶剂；预湿溶剂管路，所述预湿溶剂管路与所述预湿溶剂容器连接，所述预湿溶剂管路用于将所述预湿溶剂引导至所述晶圆的表面；微纳气泡发生装置，所述微纳气泡发生装置与所述预湿溶剂管路连接，所述微纳气泡发生装置用于生成微纳气泡，并将所述微纳气泡传输至所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂中。本发明专利技术方案有助于减少晶圆表面的缺陷以及后续工艺中的胶膜缺陷。

【技术实现步骤摘要】
光刻预湿设备以及光刻预湿方法
本专利技术涉及半导体设备领域，尤其是涉及一种光刻预湿设备以及光刻预湿方法。
技术介绍
在现有的半导体制造工艺中，光刻作为一种精密的微细加工技术，具有极其重要的地位。在光刻工艺中，需要采用光刻胶涂布工艺，将掩膜版图案转移到晶圆表面，为了使光刻胶更顺畅地涂布于晶圆表面，可以在光刻胶涂布前，先向晶圆表面输入溶剂，进行预湿(Pre-wet)，以使晶圆表面在存在水分的情况下，更容易实现均匀性涂布光刻胶。然而在现有的预湿工艺中，溶剂消耗较多，且晶圆表面存在有颗粒(Particle)缺陷时，容易在涂布光刻胶后产生胶膜缺陷。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种光刻预湿设备以及光刻预湿方法，有助于减少晶圆表面的缺陷以及后续工艺中的胶膜缺陷。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种光刻预湿设备，包括：晶圆基座，用于放置晶圆；预湿溶剂容器，用于放置预湿溶剂；预湿溶剂管路，所述预湿溶剂管路与所述预湿溶剂容器连接，所述预湿溶剂管路用于将所述预湿溶剂引导至所述晶圆的表面；微纳气泡发生装置，所述微纳气泡发生装置与所述预湿溶剂管路连接，所述微纳气泡发生装置用于生成微纳气泡，并将所述微纳气泡传输至所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂中。可选的，所述光刻预湿设备还包括：第一过滤器，安装于所述预湿溶剂管路上，且位于连接点与所述预湿溶剂管路的出口之间，所述第一过滤器用于对所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂进行过滤，所述微纳气泡发生装置在所述连接点与所述预湿溶剂管路连接。可选的，当所述微纳气泡的粒径超过预设粒径时，被所述第一过滤器过滤。可选的，所述的光刻预湿设备还包括：第二过滤器，安装于所述预湿溶剂管路上，且位于所述预湿溶剂管路的入口与所述连接点之间，所述第二过滤器用于对所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂进行过滤。可选的，所述第二过滤器的过滤精度大于所述第一过滤器的过滤精度。可选的，所述的光刻预湿设备还包括：流量计，安装于所述预湿溶剂管路上，用于检测所述预湿溶剂管路的流量。可选的，所述微纳气泡发生装置选自：加压溶气式装置、射流析出气泡装置以及电解析出气泡装置。可选的，所述预湿溶剂管路的出口具有喷嘴。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种基于上述光刻预湿设备的光刻预湿方法，包括：将晶圆放置于所述晶圆基座；通过所述预湿溶剂管路将预湿溶剂引导至所述晶圆的表面；开启所述微纳气泡发生装置，以将所述微纳气泡发生装置生成的微纳气泡输至所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂中。可选的，通过所述预湿溶剂管路的第二端向所述晶圆的表面输入所述预湿溶剂包括：将所述预湿溶剂管路的第二端悬于所述晶圆的中心上方；向所述晶圆的表面的中心区域输入所述预湿溶剂并控制所述晶圆绕中心旋转。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：在本专利技术实施例中，提供一种光刻预湿设备，包括：晶圆基座，用于放置晶圆；预湿溶剂容器，用于放置预湿溶剂；预湿溶剂管路，所述预湿溶剂管路与所述预湿溶剂容器连接，所述预湿溶剂管路用于将所述预湿溶剂引导至所述晶圆的表面；微纳气泡发生装置，所述微纳气泡发生装置与所述预湿溶剂管路连接，所述微纳气泡发生装置用于生成微纳气泡，并将所述微纳气泡传输至所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂中。采用上述方案，通过设置微纳气泡发生装置，可以生成微纳气泡，并将所述微纳气泡传输至所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂中，从而可以利用微纳气泡破裂时减小晶圆表面张力的特性，使得光刻胶更顺畅地涂布于晶圆表面，减少溶剂消耗；进一步地，在微纳气泡破裂时，还可以利用微纳气泡的吸附性将晶圆上的颗粒带走，有助于减少晶圆表面的缺陷以及后续工艺中的胶膜缺陷。进一步，通过设置第一过滤器，可以对预湿溶剂进行过滤，从而去除预湿溶剂中的杂质以及粒径较大的微纳气泡，有助于实现对预湿溶剂进行复用，并且避免预湿溶剂管路内的杂质对光刻预湿工艺产生影响。进一步，通过设置第二过滤器，可以在输入微纳气泡之前，对预湿溶剂进行过滤，有助于降低经过连接点处以及第一过滤器处的杂质。进一步，所述第二过滤器的过滤精度大于所述第一过滤器的过滤精度，可以过滤掉粒径较小的杂质，以免所述粒径较小的杂质在后续经过第一过滤器时，由于粒径小于预湿工艺需要的微纳气泡的粒径而到达晶圆表面，有助于提高光刻预湿工艺的洁净度。进一步，将所述预湿溶剂管路的第二端悬于所述晶圆的中心上方，向所述晶圆的表面的中心区域输入所述预湿溶剂并控制所述晶圆绕中心旋转，可以使溶剂更均匀地涂布在晶圆表面，并且更容易带走将微纳气泡吸附的颗粒，进一步提高光刻预湿工艺的洁净度。附图说明图1是现有技术中一种光刻预湿设备的结构示意图；图2是本专利技术实施例中一种光刻预湿设备的结构示意图；图3是本专利技术实施例中一种光刻预湿设备的光刻预湿方法的流程图。具体实施方式在现有的光刻工艺中，为了使光刻胶更顺畅地涂布于晶圆表面，可以在光刻胶涂布前，先向晶圆表面输入溶剂，进行预湿，以使晶圆表面在存在水分的情况下，更容易实现均匀性涂布光刻胶。参照图1，图1是现有技术中一种光刻预湿设备的结构示意图。所述光刻预湿设备可以包括晶圆基座100，预湿溶剂管路110以及预湿溶剂容器130。其中，所述晶圆基座100可以用于放置晶圆102，所述预湿溶剂容器130可以用于放置预湿溶剂。所述预湿溶剂管路110可以与所述预湿溶剂容器130连接，所述预湿溶剂管路110可以用于将所述预湿溶剂引导至所述晶圆102的表面。进一步地，所述光刻预湿设备还可以包括过滤器120以及流量计140。其中，所述过滤器120可以安装于所述预湿溶剂管路110上，用于对预湿溶剂进行过滤，从而去除预湿溶剂中的杂质，有助于避免预湿溶剂管路110内的杂质对光刻预湿工艺产生影响。所述流量计140可以安装于所述预湿溶剂管路110上，用于检测所述预湿溶剂管路110的流量，以确定预湿溶剂的消耗量。然而在光刻预湿设备中，溶剂消耗较多，且晶圆102表面存在有颗粒缺陷时，容易在涂布光刻胶后产生胶膜缺陷。本专利技术的专利技术人经过研究发现，在现有技术中，使预湿溶剂流至晶圆102表面(例如中心区域)并向晶圆102的其他区域流动，直至流满整个晶圆102的表面，需要的溶剂消耗较大；并且预湿溶剂仅起到使晶圆102的表面从干转变为湿的作用，当晶圆102表面存在有颗粒缺陷时，预湿溶剂反而会包裹颗粒，导致在后续工艺中涂布光刻胶后产生胶膜缺陷。在本专利技术实施例中，提供一种光刻预湿设备，包括：晶圆基座，用于放置晶圆；预湿溶剂容器，用于放置预湿溶剂；预湿溶剂管路，所述预湿溶剂管路与所述预湿溶剂容器连接，所述预湿溶剂管路用于将所述预湿溶剂引导至所述晶圆的表面；微纳气泡发生装置，所述微纳气泡发生装置与所述预湿溶剂管路连接，所述微纳气泡发生装置用于生成微纳气泡，并将所述微纳气泡传输至所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂中。采用上述方案，通通过设置微纳气泡发生装置，可以生成微纳气泡，并将所述微纳气泡传输至所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂中，从而可以利用微纳气泡破裂时减小晶圆表面张力的特性，使得光刻胶更顺畅地涂布于晶圆表面，减少溶剂消耗；进一步地，在微纳气泡破裂时，还可以利用微纳气泡的吸附性将晶圆上的颗粒带走，有助于减少晶圆表面的缺陷以及后续工艺中的胶膜缺陷。为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻预湿设备，其特征在于，包括：晶圆基座，用于放置晶圆；预湿溶剂容器，用于放置预湿溶剂；预湿溶剂管路，所述预湿溶剂管路与所述预湿溶剂容器连接，所述预湿溶剂管路用于将所述预湿溶剂引导至所述晶圆的表面；微纳气泡发生装置，所述微纳气泡发生装置与所述预湿溶剂管路连接，所述微纳气泡发生装置用于生成微纳气泡，并将所述微纳气泡传输至所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂中。

【技术特征摘要】
1.一种光刻预湿设备，其特征在于，包括：晶圆基座，用于放置晶圆；预湿溶剂容器，用于放置预湿溶剂；预湿溶剂管路，所述预湿溶剂管路与所述预湿溶剂容器连接，所述预湿溶剂管路用于将所述预湿溶剂引导至所述晶圆的表面；微纳气泡发生装置，所述微纳气泡发生装置与所述预湿溶剂管路连接，所述微纳气泡发生装置用于生成微纳气泡，并将所述微纳气泡传输至所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂中。2.根据权利要求1所述的光刻预湿设备，其特征在于，所述光刻预湿设备还包括：第一过滤器，安装于所述预湿溶剂管路上，且位于连接点与所述预湿溶剂管路的出口之间，所述第一过滤器用于对所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂进行过滤，所述微纳气泡发生装置在所述连接点与所述预湿溶剂管路连接。3.根据权利要求2所述的光刻预湿设备，其特征在于，当所述微纳气泡的粒径超过预设粒径时，被所述第一过滤器过滤。4.根据权利要求2所述的光刻预湿设备，其特征在于，还包括：第二过滤器，安装于所述预湿溶剂管路上，且位于所述预湿溶剂管路的入口与所述连接点之间，所述第二过滤器用于对所述预湿溶剂管路内的预湿溶剂进行过滤。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈雪，苏延洪，柯汎宗，黄志凯，叶日铨，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32