智能卡门锁制造技术

一种智能卡门锁，由ＣＰＵ、控制电路，门锁机构组成，控制电路由储能元件电容、晶体三极管搭成的充电电路与场效应管及光电耦合器联结而成。光电耦合器接收ＣＰＵ产生的控制信号并控制场效应管导通与截止，使电容能通过场效应管向门锁机构的电机放电从而控制门闩开门和关门。本实用新型专利技术的智能卡门锁可广泛应用于智能大厦、现代化宾馆、政府机关等场所，使用安全、方便、可靠性高。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种智能卡控制的电子锁，更具体地说是关于智能卡门锁的。目前，在智能卡门锁的驱动电路中，普遍采用一个开关电路，将负载接入电源，待开(关)门动作完成后将电源切断。这种电路工作时，由于电机、电磁铁将从电源吸取较大的电流，会造成电源电压下降，对干电池供电的门锁影响尤为严重，同时还会给电路带来干扰，使电路的可靠性下降。本技术的目的是克服现有技术中的缺点，提供一种能延长电源供电时间，提高整个门锁系统可靠性的智能卡门锁。本技术的目的可以通过下述的技术方案予以实现。本技术的智能卡门锁由CPU、控制电路和门锁机构组成。CPU和I/O端为控制电路提供开、关门的控制信号，控制电路产生驱动信号驱动门锁机构的电机来完成开、关门动作。控制电路由开门电路和关门电路组成，开、关门电路为对称电路连接。开门电路由晶体三极管Q3、电容C3、结型场效应管Q1和光电耦合器O2组成；晶体三极管Q3的发射极与电源VCC相连接，其集电极与电容C3的阳极及场效应管Q1的漏极相连接，晶体三极管Q3的集电极与基极之间串接有电阻R3、R4，电阻R3与R4的连接处与电源VCC之间跨接有电容C2，电容C3的阴极与场效应管Q2的源极相连接并作为控制电路的一个输出端与门锁机构的电机连接，为门锁机构的电机提供开门驱动信号。在电容C3的阴阳与地线之间串接有逆止元件D1，光电耦合器O2的光电管侧一路接场效应管的控制极，另一路接电源VCC，发光管侧一路通过电阻R7与+5V稳压电源相联，另一路接CPU的I/O控制端，在场效应管Q1的源极和控制极间跨接有电阻R5。场效应管Q2、晶体三极管Q4、电容C4、光电耦合器O1、电容C1、逆止元件D2、电阻R1、R2、R3、R6、R8采用与开门电路相同的连接方法形成了关门电路。电源VCC可采用6V、9V或12V几个标准的干电池。电容C3、C4的容值范围为3200μF～3500μF，电容C1、C2的容值范围为47μF～470μF，电阻R1、R2、R3、R4的阻值范围为4.7KΩ～200KΩ，R5、R6的阻值范围为100KΩ～500KΩ，R7、R8的阻值范围为100Ω～500Ω。以下结合附图对本技术做进一步说明。附图为本技术控制电路的电路图。图中Q1、Q2为结型场效应管，Q3、Q4为晶体三极管，C3、C4为容值较大的电容，O1、O2为光电耦合器，D1、D2为逆止元件，C1、C2为电容，R1～R8为电阻。晶体三极管Q3与电阻R3、R4和电容C2构成电容C3的充电电路；晶体管Q4与电容C1、电阻R、R2构成电容C4的充电电路；光电耦合器O1、O2的输入端接CPU的I/O输出端，接收CPU发出的开、关门控制信号，用于控制场效应管Q1、Q2的工作状态，同时将CPU与控制电路隔离开来。场效应管Q1、Q2工作时，分别接收C3、C4电容放电，通过源极给门锁机构的电机提供驱动电流完成开、关门的动作。具体工作过程是当CPU通过I/O端发出开门信号时，光电耦合器O1饱和导通，场效应管Q1饱和导通，电容C3通过场效应管Q1向门锁机构的电机放电，电机正转打开门闩。开门后，场效应管Q1、光电耦合器O1截止，晶体三极管Q3向C3充电为下一次动作做好准备。当CPU发出关门信号时，光电耦合器O2和场效应管Q2饱和导通，电容C4通过场效应管Q2向门锁机构的电机放电、电机反转关门闩；关门后，场效应管Q2和光电耦合器O2截止，晶体三极管Q4向电容C4充电为下次动作做好准备。本技术与现有技术相比具有如下优点由于在控制电路中增加了以容值较大的电容C3、C4为核心的储能结构，使电机的用电高峰与CPU用电高峰错开，避免了电源干扰，同时光电耦合器O1、O2将CPU与控制电路隔开，减少了电路信号干扰，因而提高了整个门锁系统的可靠性，延长了电池的使用寿命。使用现有技术的智能卡门锁，整机工作电流200mA左右，开关门动作5000次即出现偶然不开门或不关门现象。而用本技术的智能卡门锁，用同一牌号新的碱性电池，工作电流仅60mA，开关门动作连接可达1万次以上而不会出现不开门、不关门现象。权利要求1.一种智能卡门锁，由CPU、控制电路和门锁机构组成；CPU和I/O端为控制电路提供开、关控制信号；控制电路的输出端接门锁机构的驱动电机，其特征是所述控制电路由开门电路和关门电路组成，开门电路与关门电路为结构相同的对称电路，所述开门电路由晶体三极管Q3、电容C3、结型场效应管Q1及光电耦合器O2组成；晶体三极管Q3的发射极与电源VCC相联连接，集电极与电容C3的阳极及场效应管Q1的漏极相连接，在集电极与基极之间串接有电阻R3、R4，电阻R3和R4的连接处与电源VCC之间跨接有电容C2；电容C3的阴极与场效应管Q2的源相相连接做为控制电路的一个输出端与门锁机构的驱动电机相连接，场效应管Q1的源极与电容C4的阴极相连接作为控制电路的另一个输出端与门锁机构的驱动电机相连接；在电容C3的阴极与地线之间串接有逆止元件D1，光电耦合器O2的光电管侧一路接场效应管的控制板，另一路接CPU的I/O控制端；在场效应管Q1的源极和控制极之间还跨接有电阻R5。2.根据权利要求1所述的智能卡门锁，其特征是所述的电源VCC可以采用6V、9V或12V几个标准的干电池。3.根据权利要求1所述的智能卡门锁，其特征是所述的电容C3、C4的容值范围为3200μF～3500μF。4.根据权利要求1所述的智能卡门锁，其特征是所述的电阻R1、R2、R3、R4的阻值范围为4.7KΩ～200KΩ；电容C1、C2的容值范围为47μF～470μ；电阻R5、R6的阻值范围为100KΩ～500KΩ；电阻R7、R8的阻值范围为100Ω～500Ω。专利摘要一种智能卡门锁,由CPU、控制电路、门锁机构组成,控制电路由储能元件电容、晶体三极管搭成的充电电路与场效应管及光电耦合器联结而成。光电耦合器接收CPU产生的控制信号并控制场效应管导通与截止,使电容能通过场效应管向门锁机构的电机放电从而控制门闩开门和关门。本技术的智能卡门锁可广泛应用于智能大厦、现代化宾馆、政府机关等场所,使用安全、方便、可靠性高。文档编号E05B47/00GK2371288SQ9920563公开日2000年3月29日 申请日期1999年3月18日 优先权日1999年3月18日专利技术者张钧, 冯更 申请人:天津天大天财股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种智能卡门锁，由ＣＰＵ、控制电路和门锁机构组成；ＣＰＵ和Ｉ／Ｏ端为控制电路提供开、关控制信号；控制电路的输出端接门锁机构的驱动电机，其特征是所述控制电路由开门电路和关门电路组成，开门电路与关门电路为结构相同的对称电路，所述开门电路由晶体三极管Ｑ３、电容Ｃ３、结型场效应管Ｑ１及光电耦合器Ｏ２组成；晶体三极管Ｑ３的发射极与电源Ｖ↓［ＣＣ］相联连接，集电极与电容Ｃ３的阳极及场效应管Ｑ１的漏极相连接，在集电极与基极之间串接有电阻Ｒ３、Ｒ４，电阻Ｒ３和Ｒ４的连接处与电源Ｖ↓［ＣＣ］之间跨接有电容Ｃ２；电容Ｃ３的阴极与场效应管Ｑ２的源相相连接做为控制电路的一个输出端与门锁机构的驱动电机相连接，场效应管Ｑ１的源极与电容Ｃ４的阴极相连接作为控制电路的另一个输出端与门锁机构的驱动电机相连接；在电容Ｃ３的阴极与地线之间串接有逆止元件Ｄ１，光电耦合器Ｏ２的光电管侧一路接场效应管的控制板，另一路接ＣＰＵ的Ｉ／Ｏ控制端；在场效应管Ｑ１的源极和控制极之间还跨接有电阻Ｒ５。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张钧，冯更，
申请(专利权)人：天津天大天财股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：12[中国|天津]