闪存器的擦除方法及闪存器技术

本发明专利技术公开了一种闪存器的擦除方法及闪存器。其中，闪存器包括：多个块，每个所述块由多个存储单元组成，所述存储单元为所述闪存器的最小数据存储单位；控制器，用于从外部主控制器接收携带擦除参数的写入指令，将所述擦除参数写入寄存器；以及用于从外部主控制器接收针对目标块的擦除指令，获取所述目标块的擦除参数；基于所述目标块的擦除参数，确定对应所述目标块的擦除电压；以及，基于所确定的所述擦除电压，对所述目标块执行擦除操作；所述寄存器，用于存储所述擦除参数。

Erasing method of flash memory and flash memory

The invention discloses an erasing method of a flash memory and a flash memory. The flash memory includes: a plurality of blocks, each of which consists of a plurality of storage units, the storage unit being the smallest data storage unit of the flash memory; a controller for receiving write instructions carrying erasure parameters from an external master controller and writing the erase parameters to a register; and for receiving erase instructions for the target block from an external master controller for acquisition. The erasing parameters of the target block; the erasing voltage corresponding to the target block is determined based on the erasing parameters of the target block; and the erasing operation is performed on the target block based on the determined erasing voltage; the register is used to store the erasing parameters.

【技术实现步骤摘要】
闪存器的擦除方法及闪存器
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种闪存器的擦除方法及闪存器。
技术介绍
在NAND闪存中，P(Program)/E(Erase)Cycle，称为擦除周期(次数)，是判断NAND闪存寿命的关键参数。随着P/ECycle的增加，浮栅与沟道之间的氧化层被磨损的越来越严重，导致浮栅中电子的控制越来越艰难，最终结果就是，NAND的寿命走到了尽头，所以，减少P/Ecycle，是延长NAND寿命的主要方式。相关技术中，对NAND执行擦除操作，往往需要多次调整擦除电压，产生多个擦除脉冲才能擦除成功，擦除效率低。
技术实现思路
为解决现有存在的技术问题，本专利技术实施例提供一种闪存器的擦除方法及闪存器，能够有效的减少无效的擦除脉冲的数量，提高擦除效率。本专利技术实施例的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例提供了一种闪存器，包括：多个块，每个所述块由多个存储单元组成，所述存储单元为所述闪存器的最小数据存储单位；控制器，用于从外部主控制器接收携带擦除参数的写入指令，将所述擦除参数写入寄存器；并且用于从所述外部主控制器接收针对目标块的擦除指令，从所述寄存器获取所述目标块的所述擦除参数；基于所述目标块的所述擦除参数，确定对应于所述目标块的擦除电压；以及基于所确定的所述擦除电压，对所述目标块执行擦除操作；以及所述寄存器，用于存储所述擦除参数。上述方案中，所述擦除参数为擦除次数，所述寄存器用于存储所述目标块的擦除次数，以及擦除次数与擦除电压的映射关系；相应的，所述控制器还用于基于所述目标块的擦除次数，在所述映射关系中查找对应的擦除电压，并将其作为所述目标块的擦除电压。上述方案中，所述擦除参数为擦除次数，所述寄存器用于存储所述目标块的擦除次数；所述控制器还用于确定擦除次数与擦除电压的对应关系；基于所述目标块的擦除次数及所述对应关系，确定所述目标块的擦除电压。上述方案中，所述擦除参数为擦除脉冲数，所述寄存器用于存储所述目标块对应的擦除脉冲数；相应的，所述控制器还用于根据所述目标块所对应的擦除脉冲数，计算得到所述目标块的擦除电压。上述方案中，所述控制器，还用于接收携带擦除脉冲数的写入指令，将所述目标块对应的擦除脉冲数写入所述寄存器；其中，所述擦除脉冲数为基于所述目标块的擦除次数、以及参考块的擦除次数与擦除脉冲数的映射关系表所得到。上述方案中，所述控制器，还用于确定所述目标块的初始擦除电压及用于调整擦除电压的步长；根据所述初始擦除电压、所确定的所述步长及所述擦除脉冲数，计算得到所述目标块的擦除电压。上述方案中，所述擦除参数为擦除脉冲数，所述寄存器用于存储所述目标块的擦除次数、以及参考块的擦除次数与擦除脉冲数的映射关系表；相应的，所述控制器还用于根据所述目标块的擦除次数、以及参考块的擦除次数与擦除脉冲数的映射关系表，确定所述目标块对应的擦除脉冲数；以及，根据所述目标块所对应的擦除脉冲数，计算得到所述目标块的擦除电压。上述方案中，所述控制器，还用于将所述目标块的擦除次数与所述映射关系表中各个参考块的擦除次数进行比较，以确定与所述目标块的擦除次数最接近的参考块；在所述映射关系表中查找所述最接近的参考块的擦除脉冲数，将其作为所述目标块的擦除脉冲数。上述方案中，所述擦除参数为擦除时间，所述寄存器用于存储所述目标块对应的擦除时间；相应的，所述控制器还用于根据所述目标块所对应的擦除时间，计算得到所述目标块的擦除电压。本专利技术实施例还提供一种闪存器的擦除方法，包括：响应于从外部主控制器接收到的携带擦除参数的写入指令，将所述擦除参数写入寄存器；响应于从所述外部主控制器接收到的接收针对目标块的擦除指令，从所述寄存器获取所述目标块的所述擦除参数；基于所述目标块的所述擦除参数，确定对应于所述目标块的擦除电压；基于所确定的所述擦除电压，对所述目标块执行擦除操作。上述方案中，所述擦除参数为擦除次数，所述基于所述目标块的擦除参数，确定对应所述目标块的擦除电压，包括：获取所述目标块的擦除次数，以及擦除次数与擦除电压的映射关系；基于所述目标块的擦除次数，在所述映射关系中查找对应的擦除电压，并将其作为所述目标块的擦除电压。上述方案中，所述擦除参数为擦除脉冲数，所述基于所述目标块的擦除参数，确定对应所述目标块的擦除电压，包括：获取所述目标块对应的擦除脉冲数；根据所述目标块所对应的擦除脉冲数，计算得到所述目标块的擦除电压。上述方案中，所述擦除参数为擦除脉冲数，所述基于所述目标块的擦除参数，确定对应所述目标块的擦除电压，包括：获取所述目标块的擦除次数、以及参考块的擦除次数与擦除脉冲数的映射关系表；根据所述目标块的擦除次数、以及参考块的擦除次数与擦除脉冲数的映射关系表，确定所述目标块对应的擦除脉冲数；根据所述目标块所对应的擦除脉冲数，计算得到所述目标块的擦除电压。上述方案中，所述擦除参数为擦除时间，所述基于所述目标块的擦除参数，确定对应所述目标块的擦除电压，包括：获取所述目标块对应的擦除时间；根据所述目标块所对应的擦除时间，计算得到所述目标块的擦除电压。应用本专利技术实施例提供的闪存器的擦除方法及闪存器具有以下技术效果：闪存器在进行目标块的擦除时，基于目标块的擦除参数确定对应的擦除电压，可以有效的减少无效(擦除失败)的擦除脉冲的数量，提高擦除效率，变相延长了闪存器的使用寿命。附图说明图1为本专利技术实施例提供的闪存器的组成结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的擦除次数与擦除电压的映射关系的示意图；图3为本专利技术实施例提供的闪存器的擦除方法的流程示意图一；图4为本专利技术实施例提供的闪存器的擦除方法的流程示意图二；图5为本专利技术实施例提供的闪存器的擦除方法的流程示意图三。具体实施方式以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所提供的实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。另外，以下所提供的实施例是用于实施本专利技术的部分实施例，而非提供实施本专利技术的全部实施例，在不冲突的情况下，本专利技术实施例记载的技术方案可以任意组合的方式实施。需要说明的是，在本专利技术实施例中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的方法或者装置不仅包括所明确记载的要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为实施方法或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的方法或者装置中还存在另外的相关要素(例如方法中的步骤或者装置中的单元，例如的单元可以是部分电路、部分处理器、部分程序或软件等等)。首先对本专利技术实施例提供的闪存器进行说明。图1是本专利技术实施例提供的闪存器的组成结构示意图，参见图1，本专利技术实施例中的闪存器包括：多个块11，每个所述块由多个存储单元组成，所述存储单元为所述闪存器的最小数据存储单位；控制器12，用于接收针对目标块的擦除指令，获取所述目标块的擦除参数；基于所述目标块的擦除参数，确定对应所述目标块的擦除电压；以及，基于所确定的所述擦除电压，对所述目标块执行擦除操作。这里，在实际实施时，本专利技术实施例中的闪存器可以为NAND闪存，NOR闪存等，以闪存器是NAND闪存为例，构成块的存储单元为NAND的最小存储单位页(page)，多个页构成一个块(block)，所形成的块为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存器，其特征在于，包括：多个块，每个所述块由多个存储单元组成，所述存储单元为所述闪存器的最小数据存储单位；控制器，用于从外部主控制器接收携带擦除参数的写入指令，将所述擦除参数写入寄存器；并且用于从所述外部主控制器接收针对目标块的擦除指令，从所述寄存器获取所述目标块的所述擦除参数；基于所述目标块的所述擦除参数，确定对应于所述目标块的擦除电压；以及基于所确定的所述擦除电压，对所述目标块执行擦除操作；以及所述寄存器，用于存储所述擦除参数。

【技术特征摘要】
1.一种闪存器，其特征在于，包括：多个块，每个所述块由多个存储单元组成，所述存储单元为所述闪存器的最小数据存储单位；控制器，用于从外部主控制器接收携带擦除参数的写入指令，将所述擦除参数写入寄存器；并且用于从所述外部主控制器接收针对目标块的擦除指令，从所述寄存器获取所述目标块的所述擦除参数；基于所述目标块的所述擦除参数，确定对应于所述目标块的擦除电压；以及基于所确定的所述擦除电压，对所述目标块执行擦除操作；以及所述寄存器，用于存储所述擦除参数。2.如权利要求1所述的闪存器，其特征在于，所述擦除参数为擦除次数，所述寄存器用于存储所述目标块的擦除次数，以及擦除次数与擦除电压的映射关系；相应的，所述控制器还用于基于所述目标块的擦除次数，在所述映射关系中查找对应的擦除电压，并将其作为所述目标块的擦除电压。3.如权利要求1所述的闪存器，其特征在于，所述擦除参数为擦除次数，所述寄存器用于存储所述目标块的擦除次数；所述控制器还用于确定擦除次数与擦除电压的对应关系；基于所述目标块的擦除次数及所述对应关系，确定所述目标块的擦除电压。4.如权利要求1所述的闪存器，其特征在于，所述擦除参数为擦除脉冲数，所述寄存器用于存储所述目标块对应的擦除脉冲数；相应的，所述控制器还用于根据所述目标块所对应的擦除脉冲数，计算得到所述目标块的擦除电压。5.如权利要求4所述的闪存器，其特征在于，所述控制器，还用于接收携带擦除脉冲数的写入指令，将所述目标块对应的擦除脉冲数写入所述寄存器；其中，所述擦除脉冲数为基于所述目标块的擦除次数、以及参考块的擦除次数与擦除脉冲数的映射关系表所得到。6.如权利要求4所述的闪存器，其特征在于，所述控制器，还用于确定所述目标块的初始擦除电压及用于调整擦除电压的步长；根据所述初始擦除电压、所确定的所述步长及所述擦除脉冲数，计算得到所述目标块的擦除电压。7.如权利要求1所述的闪存器，其特征在于，所述擦除参数为擦除脉冲数，所述寄存器用于存储所述目标块的擦除次数、以及参考块的擦除次数与擦除脉冲数的映射关系表；相应的，所述控制器还用于根据所述目标块的擦除次数、以及参考块的擦除次数与擦除脉冲数的映射关系表，确定所述目标块对应的擦除脉冲数；以及，根据所述目标块所对应的擦除脉冲数，计算得到所述目标块的擦除电压。...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁轲，李跃平，侯春源，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42