一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法。本发明专利技术属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备、结构陶瓷领域,特别是涉及一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法。本发明专利技术是要解决现有SiC纳米线力学性能及吸波性能低的问题方法:一、前处理:裁剪碳纤维布,分别用无水乙醇和氢氧化钠浸泡处理,冲洗干燥得前处理后碳纤维布;二、浸渍处理:前处理后碳纤维布在催化剂溶液中浸渍、干燥后得负载催化剂的碳布原料;三、烧结:将负载催化剂的碳纤维布原料上放置反应硅源,以惰性气体作为保护气,烧结,冷却至室温,得到试管刷状SiC纳米线。本发明专利技术用于制备具有优异力学性能、优良吸波性能的新型试管刷形貌的碳化硅纳米线。
【技术实现步骤摘要】
一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法
本专利技术属于吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备、结构陶瓷领域,特别是涉及一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法。
技术介绍
作为宽带隙(2.3eV)的碳化硅(SiC)是具有一系列优异性能的半导体材料,具有高热传导率、低热膨胀系数、高机械性能、耐腐蚀和抗氧化性、良好的热稳定性和化学稳定性等。碳化硅目前已应用于汽车、航空航天、化工、石油钻探、雷达、高温的辐射环境等领域。SiC陶瓷材料由大量共价键结合而成,具有强度高的优点,但是共价键的方向性使其脆性大,导致传统SiC材料普遍存在韧性低的缺点。
技术实现思路
本专利技术是要解决现有SiC纳米线力学性能及吸波性能低的问题,而提供一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法。本专利技术一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法具体是按以下步骤完成的:一、前处理:按实际需要裁剪碳纤维布,然后先采用无水乙醇浸泡,再采用质量分数为1~30%的氢氧化钠溶液浸泡,然后冲洗干净,干燥后得到前处理后的碳纤维布;二、浸渍处理:将前处理后的碳纤维布浸渍在催化剂溶液中,干燥后得到负载催化剂的碳纤维布原料;三、烧结:在负载催化剂的碳纤维布原料上放置反应硅源,以惰性气体作为保护气进行烧结,冷却至室温,即得到试管刷状SiC纳米线。本专利技术的有益效果:本专利技术开发了一种简便、易于放大的制备SiC纳米线方法,本专利技术以碳布纤维为碳源和硅粉为硅源,以镍盐为催化剂,然后在惰性气体环境下进行高温烧结,最终形成具有试管刷状形貌SiC纳米线,制备的试管刷状SiC纳米线形貌可调、吸波性能优异;二、本专利技术可以通过改变烧结温度、烧结时间、催化剂用量来调节SiC纳米线的试管刷状分枝纳米线的数量以及长度,进而制备出具有优异吸波性能的SiC纳米线。附图说明图1为实施例1中碳纤维布的微观形貌图;图2为实施例1制备的试管刷状SiC纳米线的SEM照片;图3为实施例1、实施例2和实施例3制备的试管刷状SiC纳米线的XRD对比图,其中1为实施例1,2为实施例2,3为实施例3,△为SiC,◇为Si;图4为实施例2制备的试管刷状SiC纳米线的SEM照片;图5为实施例3制备的试管刷状SiC纳米线的SEM照片;图6为实施例4制备的试管刷状SiC纳米线的SEM照片;图7为实施例5制备的试管刷状SiC纳米线的SEM照片;图8为实施例3、实施例6和实施例7制备的试管刷状SiC纳米线的XRD对比图,其中1为实施例6,2为实施例3,3为实施例7;图9为实施例6制备的试管刷状SiC纳米线的SEM照片;图10为实施例6制备的试管刷状SiC纳米线的反射损耗与频率、厚度的关系图;图11为实施例7制备的试管刷状SiC纳米线的SEM照片。具体实施方式具体实施方式一:本实施方式一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法具体是按以下步骤完成的:一、前处理:按实际需要裁剪碳纤维布,然后先采用无水乙醇浸泡,再采用质量分数为1~30%的氢氧化钠溶液浸泡,然后冲洗干净,干燥后得到前处理后的碳纤维布;二、浸渍处理:将前处理后的碳纤维布浸渍在催化剂溶液中,干燥后得到负载催化剂的碳纤维布原料;三、烧结:在负载催化剂的碳纤维布原料上放置反应硅源,以惰性气体作为保护气进行烧结,冷却至室温,即得到试管刷状SiC纳米线。本实施方式在SiC生成的过程中,碳纤维与硅粉主要通过以下反应生成SiC:C(s)+Si(l)=SiC(s),即硅粉先融化,渗入碳纤维中再与碳反应生成SiC。本实施方式得到的试管刷状SiC纳米线的分支与周边的SiC纳米线盘织在一起,在自身超塑性和拔出桥联作用下将极大地优化SiC陶瓷以及其它被增韧材料的力学性能,使其具有高韧性。同时,试管刷状SiC纳米线由于纳米枝干存在,有较高的几何效应,增加了界面复杂程度,增强界面极化;又由于大量分枝节点存在,改变了材料在电磁场中时表面的电荷分布,形成新的极化中心,因此试管刷状SiC纳米线作为吸波材料应用时能够增加电磁波能量消耗,吸波性能得以优化。具体实施方式二:本实施方式与具体实施方式一不同的是:步骤一中所述碳纤维布中碳纤维的直径为1~15μm。其它与具体实施方式一相同。具体实施方式三:本实施方式与具体实施方式一或二不同的是:步骤一中所述碳纤维布的型号为3k-200g,所述碳纤维布中碳纤维的直径为5μm。其它与具体实施方式一或二相同。具体实施方式四:本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是:步骤一中按实际需要裁剪碳纤维布是将碳纤维布裁剪成30mm×60mm规格。其它与具体实施方式一至三之一相同。具体实施方式五:本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是:步骤一中无水乙醇的浸泡时间为0.2~5h,质量分数为1~30%的氢氧化钠溶液的浸泡时间为0.2~5h。其它与具体实施方式一至四之一相同。具体实施方式六:本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是:步骤二中所述催化剂溶液为氯化镍溶液、硫酸镍溶液、硝酸镍溶液、乙酸镍溶液、氨基磺酸镍溶液或柠檬酸镍溶液;所述催化剂溶液的浓度为0.1~1.0mol/L。其它与具体实施方式一至五之一相同。具体实施方式七:本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是:步骤二中所述浸渍的时间为0.2~4h。其它与具体实施方式一至六之一相同。具体实施方式八:本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是:步骤二中所述浸渍的时间为1h。其它与具体实施方式一至七之一相同。具体实施方式九:本实施方式与具体实施方式一至八之一不同的是:步骤二中所述干燥的温度为40~100℃,时间为0.2~4h。其它与具体实施方式一至八之一相同。具体实施方式十:本实施方式与具体实施方式一至九之一不同的是:步骤二中所述干燥的温度为70℃,时间为2h。其它与具体实施方式一至九之一相同。具体实施方式十一:本实施方式与具体实施方式一至十之一不同的是:步骤三中所述反应硅源为硅粉;反应硅源中Si元素与步骤一所述碳纤维布中C元素的摩尔比为1:(1~4)。其它与具体实施方式一至十之一相同。具体实施方式十二:本实施方式与具体实施方式一至十一之一不同的是:步骤三中所述反应硅源中Si元素与步骤一所述碳纤维布中C元素的摩尔比为1:2。其它与具体实施方式一至十一之一相同。具体实施方式十三:本实施方式与具体实施方式一至十二之一不同的是:步骤三中所述惰性气体为氮气或氩气。其它与具体实施方式一至十二之一相同。具体实施方式十四:本实施方式与具体实施方式一至十三之一不同的是:步骤三中所述烧结具体是按以下步骤进行:将负载催化剂的碳纤维布原料铺放在刚玉坩埚底部,并将反应硅源放置在负载催化剂的碳纤维布原料上,得到盛有反应物的刚玉坩埚;以惰性气体作为保护气,将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1100~1700℃下烧结1h~5h,冷却至室温,即得到试管刷状SiC纳米线。其它与具体实施方式一至十三之一相同。具体实施方式十五:本实施方式与具体实施方式一至十四之一不同的是:步骤三中所述烧结具体是按以下步骤进行:将负载催化剂的碳纤维布原料铺放在刚玉坩埚底部,并将反应硅源放置在负载催化剂的碳纤维布原料上,得到盛有反应物的刚玉坩埚;以惰性气体作为保护气,将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1300~1500℃下烧结2h~4h,冷却至室温,即得到试管刷状SiC纳米线。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法,其特征在于一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法具体是按以下步骤完成的:一、前处理:按实际需要裁剪碳纤维布,然后先采用无水乙醇浸泡,再采用质量分数为1~30%的氢氧化钠溶液浸泡,然后冲洗干净,干燥后得到前处理后的碳纤维布;二、浸渍处理:将前处理后的碳纤维布浸渍在催化剂溶液中,干燥后得到负载催化剂的碳纤维布原料;三、烧结:在负载催化剂的碳纤维布原料上放置反应硅源,以惰性气体作为保护气进行烧结,冷却至室温,即得到试管刷状SiC纳米线。
【技术特征摘要】
1.一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法,其特征在于一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法具体是按以下步骤完成的:一、前处理:按实际需要裁剪碳纤维布,然后先采用无水乙醇浸泡,再采用质量分数为1~30%的氢氧化钠溶液浸泡,然后冲洗干净,干燥后得到前处理后的碳纤维布;二、浸渍处理:将前处理后的碳纤维布浸渍在催化剂溶液中,干燥后得到负载催化剂的碳纤维布原料;三、烧结:在负载催化剂的碳纤维布原料上放置反应硅源,以惰性气体作为保护气进行烧结,冷却至室温,即得到试管刷状SiC纳米线。2.根据权利要求1所述的一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法,其特征在于步骤一中所述碳纤维布中碳纤维的直径为1~15μm。3.根据权利要求1所述的一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法,其特征在于步骤一中无水乙醇的浸泡时间为0.2~5h,质量分数为1~30%的氢氧化钠溶液的浸泡时间为0.2~5h。4.根据权利要求1所述的一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法,其特征在于步骤二中所述催化剂溶液为氯化镍溶液、硫酸镍溶液、硝酸镍溶液、乙酸镍溶液、氨基磺酸镍溶液或柠檬酸镍溶液;所述催化剂溶液的浓度为0.1~1.0mol/L。5.根据权利要求1所述的一种新型试管刷状SiC纳米线的制备方法,其特征在于步骤二中所述浸渍的时间为0.2~4h。6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:王志江,兰晓琳,
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学,
类型:发明
国别省市:黑龙江,23
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