医疗移动设备的节能电路制造技术

技术编号:20049115 阅读:31 留言:0更新日期:2019-01-09 05:33
本发明专利技术公开了一种医疗移动设备的节能电路,包括第一N沟道MOS管,其漏极并联有芯片电源引脚及开机信号引脚,所述第一N沟道MOS管的栅极与电池正极并联于第二N沟道MOS管的漏极,所述第二N沟道MOS管栅极并联有所述电池正极及第六N沟道MOS管栅极,所述第六N沟道MOS管的漏极并联有所述电池正极及第四N沟道MOS管的栅极,所述第四N沟道MOS管的漏极并联有第五N沟道MOS管的漏极、第三N沟道MOS管的栅极、所述电池正极以及芯片电源控制引脚,所述第五N沟道MOS管的栅极连接有芯片断电引脚,所述第三N沟道MOS管的漏极并联有所述电池正极和芯片电源启用引脚。

【技术实现步骤摘要】
医疗移动设备的节能电路
本专利技术涉及一种应用于医疗移动设备心电图测量,具体而言,设计一种医疗移动设备的节能电路。
技术介绍
在政府推动下,医疗信息化在中国飞速发展,其中“移动医疗”作为最热门的部分正在国内移动设备制造商和软件开发商的助推下,在国内各大医疗机构实施部署。完善的“移动医疗”解决方案可以帮助医护人员提高诊疗质量,甚至再晚就病患生命时可以与死神赛跑。同时,在手机病患数据、建档等基础数据的上传可以不受时间地域的限制,完全可以统一到同一个平台上,帮助医护人员了解病患所有情况。此外,移动医疗还改变了过去人们只能前往医院“看病”的传统生活方式。无论在家里还是在路上,人们都能够随时听取医生的建议,或者是获得各种与健康相关的资讯。医疗服务,因为移动通信技术的加入,不仅将节省之前大量用于挂号、排队等候乃至搭乘交通工具前往的时间和成本,而且会更高效地引导人们养成良好的生活习惯,变治病为防病。目前的移动医疗设备中,心电图测量仪器在关机状态下,仍然有芯片正常工作,一直处于待命开机状态中。此颗工作芯片一直处于工作中,随时接受外界开机命令,这样会消耗电池电,导致心电图测量仪器待机时间大大缩短。现有技术设备关机状态下电源一直存在,不断耗电,减少设备待机时间。问题的关键在于,在关闭所有电源后,机器如何可以接受到有效命令开机。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术存在的以上问题,提供一种医疗移动设备的节能电路,解决关机状态下,电池继续跑电问题,S5关机下,关闭所有IC电源,解决耗电源头。为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本专利技术通过以下技术方案实现:一种医疗移动设备的节能电路,包括第一N沟道MOS管,其漏极并联有芯片电源引脚及开机信号引脚,所述第一N沟道MOS管的栅极与电池正极并联于第二N沟道MOS管的漏极,所述第二N沟道MOS管栅极并联有所述电池正极及第六N沟道MOS管栅极,所述第六N沟道MOS管的漏极并联有所述电池正极及第四N沟道MOS管的栅极,所述第四N沟道MOS管的漏极并联有第五N沟道MOS管的漏极、第三N沟道MOS管的栅极、所述电池正极以及电源控制引脚,所述第五N沟道MOS管的栅极连接有芯片断电引脚,所述第三N沟道MOS管的漏极并联有所述电池正极和电源芯片引脚。本专利技术进一步设置为,所述第二N沟道MOS管、所述第三N沟道MOS管、所述第四N沟道MOS管、所述第五N沟道MOS管和所述第六N沟道MOS管的漏极通过上拉电阻连接于所述电池正极,所述第一N沟道MOS管通过上拉电阻连接于所述控制芯片电源引脚。本专利技术进一步设置为,所述第二N沟道MOS管的栅极通过上拉电阻连接于所述电池正极,所述第二N沟道MOS管的栅极还并联有电源按钮开关、下拉电阻接地和接地电容。本专利技术进一步设置为,所述第一N沟道MOS管、所述第二N沟道MOS管、所述第三N沟道MOS管、所述第四N沟道MOS管、所述第五N沟道MOS管和所述第六N沟道MOS管的源极接地。本专利技术进一步设置为,所述第二N沟道MOS管、所述第三N沟道MOS管、所述第四N沟道MOS管和所述第六N沟道MOS管的漏极通过下拉电阻接地。本专利技术的有益效果是:1、本专利技术采用的技术方案是解决关机状态下,电池继续跑电问题,S5关机下,关闭所有IC电源,解决耗电源头。2、整个机器处于完全断电的模式下,此时接受外界开机命令是无效的。当按下开机按钮后,控制芯片同时受到按钮信号和电源,透过两路MOS的控制,一路控制开机信号(第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管),另一路控制电源(第三N沟道MOS管、第四N沟道MOS管和第六N沟道MOS管),最终目标使信号和电源同时到控制芯片。随后控制芯片工作,第一时间发出断电信号通过第五N沟道MOS管钳制住电池,使控制芯片工作电源一直保持输出,紧接着反馈开机信号给主板,从而机器开机。3、现有技术设备关机状态下电源一直存在,不断耗电,减少设备待机时间。解决信号和电源同时有效的问题,使设备关机状态下不消耗电,进而增加待机时间,延长电池使用。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述,为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本专利技术的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解,构成本申请的一部分,本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1为医疗移动设备的节能电路示意图。具体实施方式下面将参考附图并结合实施例,来详细说明本专利技术。参照图1所示,一种医疗移动设备的节能电路,包括控制芯片及电源芯片(图中均未示意),节能电路一路控制开机信号电路:第一N沟道MOS管Q1、第二N沟道MOS管Q2,另一路控制电源电路:第三N沟道MOS管Q3、第四N沟道MOS管Q4和第六N沟道MOS管Q6。其中,第一N沟道MOS管Q1,其漏极并联有控制芯片电源引脚及控制芯片的开机信号引脚,控制芯片电源引脚与第一N沟道MOS管Q1的漏极之间串联有第一电阻R1。所述第一N沟道MOS管Q1的源极接地。所述第一N沟道MOS管Q1的栅极、电池正极通过第三电阻R3并联于第二N沟道MOS管Q2的漏极,第二N沟道MOS管Q2的漏极通过第五电阻R5接地,第二N沟道MOS管Q2的源极接地。所述第二N沟道MOS管Q2栅极并联有第四电阻R4、第六N沟道MOS管Q6栅极、电源按钮开关、第一电容C1以及第七电阻R7。其中,第四电阻R4连接于电源正极,第一电容C1和第七电阻R7接地。所述第六N沟道MOS管Q6的漏极并联有第十电阻R10、第十二电阻R12、第二电容C2以及第四N沟道MOS管Q4。其中,第十电阻R10连接于电池正极,第十二电阻R12和第二电容C2接地。所述第六N沟道MOS管Q6的源极接地。所述第四N沟道MOS管Q4的漏极并联有第五N沟道MOS管Q5的漏极、第三N沟道MOS管Q3的栅极、第八电阻R8、第十一电阻R11以及芯片电源。其中,第八电阻R8连接于电源正极,第十一电阻R11接地。所述第四N沟道MOS管Q4的源极接地。所述第五N沟道MOS管Q5的栅极并联有芯片断电引脚和第十三电阻R13。其中,第十三电阻R13接地。所述第三N沟道MOS管Q3的漏极并联有第六电阻R6、第九电阻R9和芯片电源启用引脚。其中,第六电阻R6连接于电池正极,第九电阻R9接地。所述第三N沟道MOS管Q3的源极接地。当电源按钮开关有效时:1、低电平信号发送给控制芯片的开机信号引脚,2、高电平发送给电源芯片引脚,当1和2满足条件后,控制芯片发出高电平,钳住第五N沟道MOS管Q5,保证第五N沟道MOS管Q5漏极一直为低电平,最终保证第三N沟道MOS管Q3的漏极一直为高电平,从而电源芯片一直输出控制芯片所需工作电压。本实施例的工作原理如下:整个机器处于完全断电的模式下,此时接受外界开机命令是无效的。当按下开机按钮后,控制芯片同时受到按钮信号和电源,透过两路MOS的控制,一路控制开机信号(第一N沟道MOS管Q1、第二N沟道MOS管Q2),另一路控制电源(第三N沟道MOS管Q3、第四N沟道MOS管Q4和第六N沟道MOS管Q6),最终目标使信号和电源同时到控制芯片。随后控制芯片工作,第一时间发出断电信号通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种医疗移动设备的节能电路,其特征在于:包括第一N沟道MOS管(Q1),其漏极并联有控制芯片电源引脚及开机信号引脚,所述第一N沟道MOS管(Q1)的栅极与电池正极并联于第二N沟道MOS管(Q2)的漏极,所述第二N沟道MOS管(Q2)栅极并联有所述电池正极及第六N沟道MOS管(Q6)栅极,所述第六N沟道MOS管(Q6)的漏极并联有所述电池正极及第四N沟道MOS管(Q4)的栅极,所述第四N沟道MOS管(Q4)的漏极并联有第五N沟道MOS管(Q5)的漏极、第三N沟道MOS管(Q3)的栅极、所述电池正极以及电源控制引脚,所述第五N沟道MOS管(Q5)的栅极连接有芯片断电引脚,所述第三N沟道MOS管(Q3)的漏极并联有所述电池正极和电源芯片引脚。

【技术特征摘要】
1.一种医疗移动设备的节能电路,其特征在于:包括第一N沟道MOS管(Q1),其漏极并联有控制芯片电源引脚及开机信号引脚,所述第一N沟道MOS管(Q1)的栅极与电池正极并联于第二N沟道MOS管(Q2)的漏极,所述第二N沟道MOS管(Q2)栅极并联有所述电池正极及第六N沟道MOS管(Q6)栅极,所述第六N沟道MOS管(Q6)的漏极并联有所述电池正极及第四N沟道MOS管(Q4)的栅极,所述第四N沟道MOS管(Q4)的漏极并联有第五N沟道MOS管(Q5)的漏极、第三N沟道MOS管(Q3)的栅极、所述电池正极以及电源控制引脚,所述第五N沟道MOS管(Q5)的栅极连接有芯片断电引脚,所述第三N沟道MOS管(Q3)的漏极并联有所述电池正极和电源芯片引脚。2.根据权利要求1所述的节能电路,其特征在于:所述第二N沟道MOS管(Q2)、所述第三N沟道MOS管(Q3)、所述第四N沟道MOS管(Q4)、所述第五N...

【专利技术属性】
技术研发人员:王志钢何建伟陈小兵黎小兵辛大勇华国环
申请(专利权)人:昆山嘉提信息科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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