The invention discloses a BIXS method analysis device for tritium in a sample, which comprises an operation table, a vacuum cylinder, a guide rail, a detector mounting seat, an X-ray detector, a sample table, a resistance vacuum gauge and a thin film barometer; the vacuum cylinder is located above the operation table, the guide rail is located above the operation table and in the vacuum cylinder, and the detector mounting seat slides on the guide rail. The X-ray detector is arranged on the mounting seat of the detector, and the sample table is arranged above the operating platform and in the vacuum cylinder and the lower side of the X-ray detector. The resistance vacuum gauge and the film barometer are respectively arranged on both sides of the vacuum cylinder and extended to the vacuum cylinder. The invention makes full use of the characteristics of the interaction between beta rays and substances, has simple structure, small size, low price, fast detection speed, high sensitivity, and supports experiments in vacuum and argon-filled conditions; has the advantages of non-destructive analysis of samples, simple operation and no harm to the experimenters; and chooses vacuum and argon-filled methods to realize the two methods respectively. Sample analysis, which occupies a small space and is easy to move, is an ideal choice for colleges and universities with tritium analysis needs and relevant research institutes.
【技术实现步骤摘要】
样品中氚的BIXS方法分析装置
本专利技术属于氚的检测及分析
,具体涉及一种样品中氚的BIXS方法分析装置。
技术介绍
金属中氚的分析方法主要分为有损分析方法和无损分析方法。1、有损分析方法:它是基于金属在酸性溶液中溶解的蚀刻原理,这种方法常常需要繁重的工作且会对人体造成化学或者放射性危害。2、无损分析方法:它的原理是利用氚衰变放出的β射线与物质的相互作用的特征从而反推得到含氚样品中氚含量及深度分布信息。日本学者Matsuyama在1998年提出采用氚β衰变诱发X射线谱技术(BIXS技术)来分析含氚材料中氚含量及其深度分布。当时他们提出用Ar气作为β射线阻挡层来获取表面氚的信息。但其有两个缺陷:首先探测器与样品的距离不能调节过大,若材料中的含氚量高,则会造成探测器的死时间增大,并产生信号堆积;另一方面,β射线与气体靶物质发生相互作用会产生极化韧致辐射,但由于对极化韧致辐射的研究还不成熟,所以在数据处理的时候,还不能考虑极化韧致辐射的作用,因此,使用Ar气作为阻挡层可能会影响数据的准确分析。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的主要目的在于提供一种样品中氚的BIXS方法分析装置。为达到上述目的,本专利技术的技术方案是这样实现的:本专利技术实施例提供一种样品中氚的BIXS方法分析装置,其包括操作台、真空筒、导轨、探测器安装座、X射线探测器、样品台、电阻真空计、薄膜气压计;所述真空筒位于操作台上方,所述导轨设置在操作台上方并且位于真空筒内,所述探测器安装座滑动设置在导轨上,所述X射线探测器设置在探测器安装座上,所述样品台设置在操作台上方并且位于真空筒内以及X射 ...
【技术保护点】
1.一种样品中氚的BIXS方法分析装置,其特征在于,其包括操作台、真空筒、导轨、探测器安装座、X射线探测器、样品台、电阻真空计、薄膜气压计;所述真空筒位于操作台上方,所述导轨设置在操作台上方并且位于真空筒内,所述探测器安装座滑动设置在导轨上,所述X射线探测器设置在探测器安装座上,所述样品台设置在操作台上方并且位于真空筒内以及X射线探测器下侧,所述电阻真空计、薄膜气压计分别设置在真空筒的两侧并且延伸至真空筒内。
【技术特征摘要】
1.一种样品中氚的BIXS方法分析装置,其特征在于,其包括操作台、真空筒、导轨、探测器安装座、X射线探测器、样品台、电阻真空计、薄膜气压计;所述真空筒位于操作台上方,所述导轨设置在操作台上方并且位于真空筒内,所述探测器安装座滑动设置在导轨上,所述X射线探测器设置在探测器安装座上,所述样品台设置在操作台上方并且位于真空筒内以及X射线探测器下侧,所述电阻真空计、薄膜气压计分别设置在真空筒的两侧并且延伸至真空筒内。2.根据权利要求1所述的样品中氚的BIXS方法分析装置,其特征在于,所述真空筒包括真空室筒、真空...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱敬军,安竹,刘慢天,陈浩,张乐,
申请(专利权)人:四川大学,
类型:发明
国别省市:四川,51
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