数据存储方法、设备及计算机可读存储介质技术

本发明专利技术公开了一种数据存储方法、设备及计算机可读存储介质，所述数据存储方法包括：获取存储器的当前擦除频度，并根据所述当前擦除频度，对存储器的数据搬移阈值进行调整；根据调整后的数据搬移阈值，对数据块进行搬移。本方案中数据搬移阈值作为存储器中数据块的搬移触发条件，当前擦除频度表征存储器的当前擦除次数，数据块搬移时，需要进行相应的擦除操作，从而通过存储器的当前擦除频度，可获知存储器的实际搬移次数，进而根据当前擦除频度，调整数据搬移阈值，以便对数据块进行搬移操作，在搬移的过程中，对存储单元进行充电，对浮栅电荷进行补充，避免数据丢失，延长存储器中数据的保存时间。

Data Storage Method, Equipment and Computer Readable Storage Media

The invention discloses a data storage method, a device and a computer readable storage medium. The data storage method includes acquiring the current erasure frequency of the memory, adjusting the data removal threshold of the memory according to the current erasure frequency, and removing the data block according to the adjusted data removal threshold. In this scheme, the data removal threshold is used as the trigger condition for data block removal in memory. The current erasure frequency represents the current erasure times of memory. When data block is moved, corresponding erasure operations are needed. Thus, the actual removal times of memory can be known by the current erasure frequency of memory, and then the data removal threshold can be adjusted according to the current erasure frequency so as to facilitate data removal. In the process of data block removal, the storage unit is charged and the floating gate charge is supplemented to avoid data loss and prolong the storage time of data in the memory.

【技术实现步骤摘要】
数据存储方法、设备及计算机可读存储介质
本专利技术主要涉及存储器
，具体地说，涉及一种数据存储方法、设备及计算机可读存储介质。
技术介绍
在通讯设备领域，Nand-flash存储器以其大容量、高吞吐、低功耗、耐震、发热量小的优点，越来越被用来存储程序和数据。随着厂商的半导体工艺的不断升级，以及为了满足对日益增长的容量需求，Nand-flash存储器的工艺尺寸不断缩小。但是Nand-flash存储器是基于浮栅电荷存储实现数据的保存，随着工艺尺寸不断缩小，Nand-flash存储器的存储单元浮栅结构的几何尺寸不断缩小，导致绝缘层越来越薄，电荷泄漏越来越严重，浮栅电荷数量减少，而浮栅电荷的丢失将会导致数据错误产生，使数据保持能力严重下降，数据保存时间越来越短。同时，Nand-flash存储器还有一个技术缺陷就是读干扰，由于Nand-flash的存储单元是串联在一起的，当读出某一存储单元数据时，需要给其它单元施加电压使其导通。施加的电压虽然比较低，但也可能促使少量电荷注入或泄漏，从而影响了数据的保存时间。也就是说，即使数据保存在一个地方不搬移，也会因为读取附近的数据而导致其出错。现有的解决方案是增加ECC(ErrorCorrectionCode)可纠错比特数来提升纠错能力。但增加可纠错比特数，纠错电路复杂度呈级数增加，所以可纠错比特数是很有限的。随着Nand-flash存储器工艺尺寸不断缩小，数据保存时间的增加，数据错误的产生会爆发式增长，一旦超出可纠错范围，将无法纠正。能否提高Nand-flash存储器的数据存储能力，将影响Nand-flash存储器能否作为未来工业级存储解决方案的关键。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种数据存储方法、设备及计算机可读存储介质，旨在解决现有数据存储的有效存储时间短、易出错的问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种数据存储方法，所述数据存储方法包括以下步骤：获取存储器的当前擦除频度，并根据所述当前擦除频度，对存储器的数据搬移阈值进行调整；根据调整后的数据搬移阈值，对数据块进行搬移。优选地，所述根据所述当前擦除频度，对存储器的数据搬移阈值进行调整的步骤包括：根据存储器中预设的擦除频度与数据搬移阈值映射关系参考值，获取与当前擦除频度对应的参考数据搬移阈值；将数据搬移阈值调整为参考数据搬移阈值。优选地，所述根据调整后的数据搬移阈值，对数据块进行搬移的步骤包括：统计存储器中各数据块增加的擦除次数，并判断是否存在目标数据块，其中目标数据块为增加的擦除次数大于或等于调整后的数据搬移阈值的数据块；当存在所述目标数据块时，对目标数据块进行搬移。优选地，所述当存在所述目标数据块时，对目标数据块进行搬移的步骤包括：当存在目标数据块时，获取数据块中擦除次数最少的数据块，并将所述擦除次数最少的数据块作为待交换数据块；将所述目标数据块和待交换数据块交换，完成数据块的搬移。优选地，所述获取数据块中擦除次数最少的数据块，并将所述擦除次数最少的数据块作为待交换数据块的步骤包括：当擦除次数最少的数据块数量有多个时，根据多个所述擦除次数最少的数据块的存储地址确定待交换数据块优选地，所述获取存储器的当前擦除频度的步骤包括：获取存储器的总运行时间以及存储器中数据块的总擦除次数；根据所述总运行时间以及总擦除次数，确定存储器的当前擦除频度。优选地，所述根据所述总运行时间以及总擦除次数，确定存储器的当前擦除频度的步骤包括：将总擦除次数与总运行时间的比值作为当前擦除频度。优选地，所述记录并保存存储器的总运行时间以及存储器中数据块的总擦除次数的步骤包括：当存储器的运行时间到达预设记录周期时，在原总运行时间的基础上增加预设记录周期，形成新的总运行时间保存；当接收到擦除命令时，在原总擦除次数的基础上增加预设值，形成新的总擦除次数保存。此外，为实现上述目的，本专利技术还提出一种数据存储设备，所述数据存储设备包括：存储器、处理器、通信总线以及存储在所述存储器上的数据存储程序；所述通信总线用于实现处理器和存储器之间的连接通信；所述处理器用于执行所述数据存储程序，以实现以下步骤：获取存储器的当前擦除频度，并根据所述当前擦除频度，对存储器的数据搬移阈值进行调整；根据调整后的数据搬移阈值，对数据块进行搬移。此外，为实现上述目的，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有一个或者一个以上程序，所述一个或者一个以上程序可被一个或者一个以上的处理器执行以用于：获取存储器的当前擦除频度，并根据所述当前擦除频度，对存储器的数据搬移阈值进行调整；根据调整后的数据搬移阈值，对数据块进行搬移。本专利技术提出的数据存储方法，通过获取存储器的当前擦除频度，从而根据当前擦除频度调整存储器的数据搬移阈值，进而根据调整后的数据搬移阈值，对数据块进行搬移。本方案中数据搬移阈值作为存储器中数据块的搬移触发条件，当前擦除频度表征存储器的当前擦除次数。数据块搬移时，需要进行相应的擦除操作，从而通过存储器的当前擦除频度，可获知存储器的实际搬移次数。进而根据当前擦除频度，调整数据搬移阈值，以便对数据块进行搬移操作，在搬移的过程中，对存储单元进行充电，对浮栅电荷进行补充，避免数据丢失，延长存储器中数据的保存时间。附图说明图1是本专利技术的数据存储方法第一实施例的流程示意图；图2是本专利技术的数据存储方法第二实施例的流程示意图；图3是本专利技术的数据存储方法实施例的数据搬移阈值调整表示意图；图4是应用本专利技术的数据存储方法的CF卡一实施例框架示意图；图5是本专利技术的数据存储装置第一实施例的功能模块示意图；图6是本专利技术的数据存储装置第二实施例的获取模块的细化功能模块示意图；图7是本专利技术的数据存储装置第三实施例的获取模块的细化功能模块示意图；图8是本专利技术的数据存储装置第四实施例的搬移模块的细化功能模块示意图；图9是本专利技术的数据存储装置第五实施例的功能模块示意图；图10是本专利技术实施例方法涉及的硬件运行环境的设备结构示意图。本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术提供一种数据存储方法，请参照图1，在第一实施例中，本专利技术提出的数据存储方法包括以下步骤：步骤S10，获取存储器的当前擦除频度，并根据所述当前擦除频度，对存储器的数据搬移阈值进行调整；本专利技术的技术方案主要适用于固态存储器的数据存储，固态存储器通过存储芯片内部晶体管的开关状态来存储数据，没有读写头、不需要转动，主要包括CF卡、SD卡、U盘，其硬件结构包括控制器和Nand-flash存储器，控制器用于实现Nand-flash存储器接口到USB、SD、CF等接口的转换，同时实现ECC纠错、均衡磨损以及坏块管理等功能。Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，具有容量大、改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，广泛应用于嵌入式产品。Nand-flash存储器既可对程序数据进行存储，也可存储产品运行过程中产生的数据，且存储方式为数据块的方式，而不是单个数据的方式，数据块是一组或几组按顺序连续排列在一起的记录，是存储器与输入设备、输出设备或外存储器之间进行传输数据的最小单位。产品本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种数据存储方法，其特征在于，所述数据存储方法包括以下步骤：获取存储器的当前擦除频度，并根据所述当前擦除频度，对存储器的数据搬移阈值进行调整；根据调整后的数据搬移阈值，对数据块进行搬移。

【技术特征摘要】
1.一种数据存储方法，其特征在于，所述数据存储方法包括以下步骤：获取存储器的当前擦除频度，并根据所述当前擦除频度，对存储器的数据搬移阈值进行调整；根据调整后的数据搬移阈值，对数据块进行搬移。2.如权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，所述根据所述当前擦除频度，对存储器的数据搬移阈值进行调整的步骤包括：根据存储器中预设的擦除频度与数据搬移阈值映射关系参考值，获取与当前擦除频度对应的参考数据搬移阈值；将数据搬移阈值调整为参考数据搬移阈值。3.如权利要求1所述的数据存储方法，其特征在于，所述根据调整后的数据搬移阈值，对数据块进行搬移的步骤包括：统计存储器中各数据块增加的擦除次数，并判断是否存在目标数据块，其中目标数据块为增加的擦除次数大于或等于调整后的数据搬移阈值的数据块；当存在所述目标数据块时，对目标数据块进行搬移。4.如权利要求3所述的数据存储方法，其特征在于，所述当存在所述目标数据块时，对目标数据块进行搬移的步骤包括：当存在目标数据块时，获取数据块中擦除次数最少的数据块，并将所述擦除次数最少的数据块作为待交换数据块；将所述目标数据块和待交换数据块交换，完成数据块的搬移。5.如权利要求4所述的数据存储方法，其特征在于，所述获取数据块中擦除次数最少的数据块，并将所述擦除次数最少的数据块作为待交换数据块的步骤包括：当擦除次数最少的数据块数量有多个时，根据多个所述擦除次数最少的数据块的存储地址确定待交换数据块。6.如权利要求1-5任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶位彬，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44