用于存储器装置的异构性扇出结构制造方法及图纸

一种装置，可以包含扇出结构，其具有多个集成电路。集成电路可以为不同类型，比如通过以不同方式配置或配置为执行不同功能。扇出结构可以耦接到另一集成电路结构，比如裸芯堆叠体。例如，扇出结构可以耦接到集成电路结构的顶部表面或底部表面，或者可以设置在由集成电路结构限定的垂直轮廓内。水平延伸的路径和垂直延伸的路径可以设置为在组合的扇出结构和集成电路结构之间和周围，以使得两个结构的集成电路能够通信。

【技术实现步骤摘要】
用于存储器装置的异构性扇出结构
本专利技术涉及一种用于存储器装置的异构性扇出结构。
技术介绍
非易失性存储器系统可以实现为多个裸芯。裸芯中的至少一个可以配置为存储器裸芯，其包含将数据存储在存储器系统中的存储器单元。裸芯中的另一个可以配置为充当控制器，其控制或以其他方式管理数据在存储器系统中的存储。可以有其他类型的裸芯，比如递送电力的、执行路由或切换操作以在控制器裸芯与存储器裸芯之间通信信号的、或包含用于数据或其他信息的临时存储的易失性存储器的那些裸芯。存储器系统中除了存储器裸芯之外的裸芯可以整体上称为附属(accessory)或辅助(auxiliary)裸芯。对于下一代存储器系统的设计规范持续要求存储空间的提高，并且可能需要更多的存储器裸芯以符合这些要求。随需要更多存储器裸芯，也可能需要更多的附属裸芯。可以将多个存储器裸芯集成在一起的一种方式是通过将它们以平面方式取向，比如通过将它们中的每一个安装在基板的表面的相应的部分上。随着将越来越多的裸芯添加到存储器系统，以此方式集成存储器裸芯持续增加表面积。可以将多个存储器裸芯集成在一起的另一种方式是通过将存储器裸芯上下叠置。随着将越来越多的存储器裸芯添加到存储器系统，将存储器裸芯堆叠而非将它们彼此相邻地安装在基板表面上可以降低或最小化表面积的增加。此外，可以将存储器裸芯电连接到附属裸芯的一种方式是通过引线键合。经由引线键合形成的信号路径可以将多个存储器裸芯的裸芯电容并联耦接。因此，增加存储器裸芯的数目会增加信号路径的总电容，其进而可能限制系统中可以包含的存储器裸芯的数目。另外，存储器裸芯和附属裸芯能够以各种方式封装在一起。在一些示例性配置中，存储器裸芯堆叠体可以安装在基板的表面的一部分上，一个或多个附属裸芯可以安装在基板表面的另一部分上且引线键合到存储器裸芯堆叠体，并且存储器裸芯堆叠体和附属裸芯可以包封在一起。载有存储器裸芯堆叠体和附属裸芯的基板可以进而安装在第二基板上或主基板上，第二基板或主基板也可以具有安装到其上的载有其他存储器裸芯堆叠体和/或附的加附属裸芯(比如控制器裸芯和易失性存储器裸芯)的其他基板。安装在第二基板上的部件可以经由第二包封工艺包封在一起。尽管这样的配置能够包含非易失性存储器系统的全部部件，但其可能由于具有分开安装到主基板的表面的不同部分上的多个部件而具有不期望的大的规格(长度、高度以及宽度)。另外，由于可能使用引线键合，单个封装体中可以包含的存储器裸芯的数目可能受到限制。如果这样的数目少于符合存储容量要求所需的存储器裸芯的总数，则可以包含多个分开包封的存储器裸芯堆叠体，其为造成存储器系统的相对大的规格的另一因素。为了在减小存储器系统的总体尺寸同时提高其存储容量，以下设计或配置可能是期望的：在单个包封的堆叠体内增加存储器裸芯的数目，减少承载存储器裸芯所需的基板的数目，以及最小化安装在主基板上的部件的数目。
技术实现思路
下面的实施例描述了与多裸芯堆叠体集成的异构性扇出结构。在第一实施例中，一种装置包含：裸芯堆叠体，以及设置在由裸芯堆叠体的垂直轮廓所限定的容积中的扇出结构。在一些实施例中，扇出结构包含不同类型的第一裸芯和第二裸芯。在一些实施例中，扇出结构包含第一重新分布层和第二重新分布层，其中第一裸芯和第二裸芯设置在第一重新分布层与第二重新分布层之间。在一些实施例中，垂直互连部分在裸芯堆叠体和扇出结构的侧表面之上延伸，其中第一裸芯和第二裸芯配置为经由垂直互连部分以及第一重新分布层和第二重新分布层与裸芯堆叠体通信。在一些实施例中，扇出结构的裸芯的平坦表面积小于裸芯堆叠体的裸芯的平坦表面积。在一些实施例中，裸芯堆叠体包含多个存储器裸芯。在一些实施例中，扇出结构包含第一裸芯和第二裸芯，其中第一裸芯配置为多个存储器裸芯的控制器，并且第二裸芯配置为路由裸芯，该路由裸芯配置为在控制器与存储器裸芯之间路由信号。在一些实施例中，没有基板设置在裸芯堆叠体与扇出结构之间。在一些实施例中，裸芯堆叠体和扇出结构包封在单个封装体中。在另一实施例中，一种装置包含：第一裸芯；与第一裸芯平行取向的第二裸芯；水平信号路径，其设置在第一裸芯与第二裸芯之间，且平行于第一裸芯和第二裸芯延伸；以及垂直信号路径，其垂直于第一裸芯和第二裸芯的平行取向延伸。第一裸芯配置为经由水平信号路径和垂直信号路径与第二裸芯通信。在一些实施例中，第三裸芯与第一裸芯和第二裸芯平行取向，并且第三裸芯设置在第一裸芯与第二裸芯之间。在一些实施例中，第一裸芯包含存储器单元的阵列。第二裸芯和第三裸芯为附属裸芯，以控制存储器单元的阵列中的数据的存储。在一些实施例中，第二裸芯设置在第一水平信号路径与第二水平信号路径之间。在一些实施例中，第一水平信号路径和第二水平信号路径均配置为重新分布层。在一些实施例中，没有基板设置在第一裸芯与第二裸芯之间。在一些实施例中，第一裸芯、第二裸芯、水平信号路径以及垂直信号路径包封在单个封装体内。在另一实施例中，一种装置包含：第一重新分布层；第二重新分布层；以及设置在第一重新分布层与第二重新分布层之间的第一集成电路和第二集成电路。第一集成电路的有源表面与第一重新分布层接触。此外，第一集成电路和第二集成电路为不同类型。在一些实施例中，第一集成电路配置为从外部主机装置接收主机读取和写入命令，并且第二集成电路配置为执行路由操作，以在第一集成电路与多个存储器裸芯之间通信数据。在一些实施例中，多个存储器裸芯配置为裸芯堆叠体。在一些实施例中，第一重新分布层与裸芯堆叠体的平坦表面接触。其他实施例是可能的，并且每个实施例可以单独使用，或组合在一起使用。相应地，现将参考附图描述各种实施例。附图说明整合到本说明书且构成本说明书一部分的附图图示了本专利技术的各方面，且与说明书一起用于解释其原理。在方便的情况下，附图通篇将使用相同的附图标记指代相同或相似的元件。图1为示例性多裸芯堆叠体结构的截面侧视图。图2为示例性裸芯的立体图，其可以代表图1的多裸芯堆叠体结构的裸芯。图3为图1的多裸芯堆叠体结构的裸芯堆叠体部分的立体图。图4为图3的裸芯堆叠体部分的立体图，进一步标识了由裸芯堆叠体部分的垂直轮廓所限定的容积。图5为图1、图3、以及图4的裸芯堆叠体部分的最接近于多裸芯堆叠体结构的扇出部分的平坦表面的示例性配置的立体图。图6为扇出结构的第二示例性配置的截面侧视图。图7为扇出结构的第三示例性配置的截面侧视图。图8为扇出结构的第四示例性配置的截面侧视图。图9A为设置在支承结构上的扇出结构的第一扇出裸芯的截面侧视图。图9B为设置在图9A的第一扇出裸芯上的第二扇出裸芯、以及穿过且围绕第一扇出裸芯和第二扇出裸芯形成的垂直互连体的截面侧视图。图9C为被包封材料包封的图9B所示的部件截面侧视图。图9D为图9C所示的包封的部件的截面侧视图，还具有在由第二扇出裸芯的平坦表面所限定的表面之上形成的重新分布层。图9E为图9D所示的部件的截面侧视图，还具有在由第一扇出裸芯的平坦表面所限定的表面之上形成的重新分布层。图9F为图9E的部件的截面侧视图，还具有在由第一扇出裸芯的平坦表面所限定的表面之上形成的重新分布层上形成的焊料凸块。图10A为孤立地示出的图1的多裸芯堆叠体结构的部分的截面侧视图，其中待形成垂直互连部分。图10B为图10A的部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，包括：裸芯堆叠体；以及扇出结构，所述扇出结构设置在由所述裸芯堆叠体的垂直轮廓限定的容积中。

【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：裸芯堆叠体；以及扇出结构，所述扇出结构设置在由所述裸芯堆叠体的垂直轮廓限定的容积中。2.如权利要求1所述的装置，其中所述扇出结构包括不同类型的第一裸芯和第二裸芯。3.如权利要求2所述的装置，其中所述扇出结构包括第一重新分布层和第二重新分布层，并且其中所述第一裸芯和所述第二裸芯设置在所述第一重新分布层和所述第二重新分布层之间。4.如权利要求3所述的装置，还包括在所述裸芯堆叠体和所述扇出结构的侧表面之上延伸的垂直互连部分，其中所述第一裸芯和所述第二裸芯配置为经由所述垂直互连部分、所述第一重新分布层和所述第二重新分布层与所述裸芯堆叠体通信。5.如权利要求1所述的装置，其中所述扇出结构的裸芯的平坦表面积小于所述裸芯堆叠体的裸芯的平坦表面积。6.如权利要求1所述的装置，其中所述裸芯堆叠体包括多个存储器裸芯。7.如权利要求6所述的装置，其中所述扇出结构包括第一裸芯和第二裸芯，其中所述第一裸芯配置为所述多个存储器裸芯的控制器，并且所述第二裸芯配置为路由裸芯，所述路由裸芯配置为路由所述控制器与所述存储器裸芯之间的信号。8.如权利要求1所述的装置，其中没有基板设置在所述裸芯堆叠体与所述扇出结构之间。9.如权利要求1所述的装置，其中所述裸芯堆叠体和所述扇出结构包封在单个封装体中。10.一种装置，包括：第一裸芯；第二裸芯，所述第二裸芯平行于所述第一裸芯取向；水平信号路径，所述水平信号路径设置在所述第一裸芯与所述第二裸芯之间，并且与所述第一裸芯和所述第二裸芯平行地延伸；以及垂直信号路径，所述垂直信号路径垂直于所述第一裸芯和所述第二裸芯的所述平行取向延伸，其中所述第一裸芯配置为经由所述水平信号路径和...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱进添，H塔基亚，廖致钦，姜卫挺，
申请(专利权)人：晟碟半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31