一种铸造单晶籽晶加工及铺设方法技术

一种铸造单晶籽晶加工及铺设方法，该方法包括以下步骤，（1）用单晶截断机截取多根单晶圆棒；（2）用单晶开方机将截取的多根单晶圆棒开方成方棒；（3）再利用截断机将每根方棒均匀截断成多块等厚度的籽晶块；（4）分别将每根方棒截取下来的籽晶块进行清洗，清洗好之后按照整排或者整列的方式进行籽晶块铺底，其中整排或整列的籽晶块必须来源于同一根单晶方棒。该铺设方法通过将每排或每列的籽晶块统一来源于同一根单晶圆棒，可有效保证单晶籽晶之间的误差控制在0.1mm以内，有效减少籽晶铺设过程中的缝隙，降低晶锭的位错密度。

【技术实现步骤摘要】
一种铸造单晶籽晶加工及铺设方法
本专利技术涉及一种铸造单晶籽晶加工及铺设方法。
技术介绍
当前的太阳能材料市场晶体硅占据着绝对优势，晶体硅太阳能产品主要包括单晶硅及多晶硅，其中单晶硅电池中杂质与缺陷的含量低，转换效率高；但制备工艺复杂，对原料的纯度要求高，生产成本较高；多晶硅电池内部存在大量的晶界、高密度的位错和杂质，其转换效率比单晶电池效率低1.5%左右，生产成本较低，性价比更高。铸造类单晶硅是一种同时具有单晶硅转换效率高及多晶硅高性价比的新产品，其生产成本明显低于单晶硅，具有重要的商业价值。现有铸造单晶底部籽晶是利用多块单晶块拼接而成，但是由于籽晶块尺寸在加工过程中，会存在一定的偏差，籽晶块拼接相交处容易出现缝隙、错缝等问题，为有效的提升晶锭的质量，需要对籽晶之间的拼接缝进行控制。
技术实现思路
本专利技术其目的就在于提供一种铸造单晶籽晶加工及铺设方法，解决了现有铸造单晶底部籽晶是利用多块单晶块拼接而成，但是由于籽晶块尺寸在加工过程中，会存在一定的偏差，籽晶块拼接相交处容易出现缝隙、错缝的问题。为实现上述目的而采取的技术方案是，一种铸造单晶籽晶加工及铺设方法，该方法包括以下步骤：（1）用单晶截断机截取多根单晶圆棒；（2）用单晶开方机将截取的多根单晶圆棒开方成方棒；（3）再利用截断机将每根方棒均匀截断成多块等厚度的籽晶块；（4）分别将每根方棒截取下来的籽晶块进行清洗，清洗好之后按照整排或者整列的方式进行籽晶块铺底，其中整排或整列的籽晶块必须来源于同一根单晶方棒。有益效果与现有技术相比本专利技术具有以下优点。本专利技术的优点是，通过将每排或每列的籽晶块统一来源于同一根单晶圆棒，可有效保证单晶籽晶之间的误差控制在0.1mm以内，有效减少籽晶铺设过程中的缝隙，降低晶锭的位错密度。具体实施方式一种铸造单晶籽晶加工及铺设方法，该方法包括以下步骤：（1）用单晶截断机截取多根单晶圆棒；（2）用单晶开方机将截取的多根单晶圆棒开方成方棒；（3）再利用截断机将每根方棒均匀截断成多块等厚度的籽晶块；（4）分别将每根方棒截取下来的籽晶块进行清洗，清洗好之后按照整排或者整列的方式进行籽晶块铺底，其中整排或整列的籽晶块必须来源于同一根单晶方棒。所述的每根方棒加工而成的籽晶块数量必须为籽晶铺底排数或列数的整数倍。实施例本实施例采用的单晶棒为一定需要长度的单晶棒，单晶棒的长度需根据籽晶块的高度和单排籽晶块数量需要使用量来确定。本实施例籽晶的高度在15-30mm；单排籽晶块的数量为5-9块；对应单晶棒加工而成的籽晶块的数量在10-18块；当使用籽晶块的厚度为20mm，晶锭底部需铺设的单晶单排籽晶块数量为5块，即单晶棒加工而成的籽晶块的数量为10或15块；对应单晶棒有效长度为200mm或300mm。籽晶铺设过程中，籽晶铺设方式必须采用整排或整列的方式进行铺设；当采用整排方式进行铺设时，单晶单排的籽晶块必须来源同一块单晶棒。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铸造单晶籽晶加工及铺设方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）用单晶截断机截取多根单晶圆棒；（2）用单晶开方机将截取的多根单晶圆棒开方成方棒；（3）再利用截断机将每根方棒均匀截断成多块等厚度的籽晶块；（4）分别将每根方棒截取下来的籽晶块进行清洗，清洗好之后按照整排或者整列的方式进行籽晶块铺底，其中整排或整列的籽晶块必须来源于同一根单晶方棒。

【技术特征摘要】
1.一种铸造单晶籽晶加工及铺设方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）用单晶截断机截取多根单晶圆棒；（2）用单晶开方机将截取的多根单晶圆棒开方成方棒；（3）再利用截断机将每根方棒均匀截断成多块等厚度的籽晶块；（4）分别将每根方棒截取下来的籽...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘超，刘世龙，漆龙武，姚晨，王超，雷琦，董朝龙，张泽兴，黄林，
申请(专利权)人：江西旭阳雷迪高科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36