具有反射器的器件和用于制造器件的方法技术

提出一种器件(100)，其具有半导体芯片(1)、包套(3)和反射器(2)，其中半导体芯片(1)具有前侧(11)、背离前侧(11)的后侧(12)和侧面(10)，其中半导体芯片(1)至少部分地能够经由其后侧(12)电接触，反射器(2)在横向方向上全环周地包围半导体芯片(1)，具有第一子区域(21)和直接邻接于第一子区域(21)的第二子区域(22)，其中第一子区域(21)与半导体芯片(1)在空间上间隔开，并且第二子区域(22)直接邻接于半导体芯片(1)，并且包套(3)完全覆盖半导体芯片(1)的前侧(11)并且至少部分地覆盖半导体芯片(1)的侧面(10)，使得包套(3)具有朝向半导体芯片(1)的边界面(32)，所述边界面局部地仿照半导体芯片(1)的轮廓。此外，提出一种用于制造多个这种器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有反射器的器件和用于制造器件的方法
提出一种具有反射器的器件。此外，提出一种用于制造多个这种器件的方法。
技术介绍
芯片级封装(CSP)通常遭受在效率和关于放射角的色彩不均匀性方面的问题。在这种芯片装置中常常出现：光沿反向方向放射，这常常导致光损失并因此导致芯片装置的效率降低。由于沿反向方向发射光而降低效率在体积发射器中是特别显著的。在此，色彩不均匀性通常会归因于发射的或转换的光沿不同方向穿过芯片装置的不同的光学路径长度。
技术实现思路
本专利技术的目的是：提供一种具有提高效率和提高的关于放射角的色彩均匀的器件。另一目的在于：提出一种用于制造一个或多个这种器件的成本适宜的且简化的方法。在该器件的至少一个实施方式中，所述器件具有半导体芯片、包套和反射器。半导体芯片具有前侧、背离前侧的后侧和侧面。尤其是，半导体芯片构成为体积发射体。在体积发射体的情况下，能够将在半导体芯片运行时产生的电磁辐射例如经由前侧和经由侧面从半导体芯片射出。半导体芯片可至少部分地经由其后侧电接触。在此，半导体芯片能够在其后侧上具有至少一个电接触层或不同极性的两个电接触层。反射器构成为，使得所述反射器在横向方向上全环周地包围半导体芯片。在此，反射器能够具有第一子区域和直接邻接于第一子区域的第二子区域，其中第一子区域与半导体芯片在空间上间隔开，并且第二子区域尤其是直接邻接于半导体芯片。在此，第二子区域能够邻接于半导体芯片的侧面和/或其至少一个接触层。包套尤其完全覆盖半导体芯片的前侧并且至少部分地覆盖半导体芯片的侧面。因此，包套具有朝向半导体芯片的边界面，所述边界面局部地仿照半导体芯片的轮廓。边界面在此可以是包套和半导体芯片的共同的表面。包套能够单层地或多层地构成。尤其是，边界面对包套在竖直方向上的空间扩展限界。将竖直方向理解为如下方向：所述方向垂直于半导体芯片的前侧和/或后侧的主延伸方向定向。将横向方向理解为如下方向，所述方向平行于主延伸平面伸展。因此，竖直方向和横向方向尤其彼此垂直地定向。通过反射器的该设计方案，能够避免沿反向方向、即朝后侧的方向发射光并因此避免潜在的光损失，其中根据该设计方案，反射器在横向方向上全环周地包围半导体芯片并且具有一个子区域，所述子区域直接邻接于半导体芯片的且建立半导体芯片与反射器的另一子区域之间的机械连接。此外，反射器的第二子区域能够用作为半导体芯片和反射器的与半导体芯片在空间上间隔开的第一子区域之间的粘接连接。尤其是，反射器的第二子区域部分地覆盖半导体芯片的后侧和/或邻接于后侧的侧面。侧面因此能够具有如下区域，所述区域未被反射器的第二子区域覆盖，使得在器件运行时从半导体芯片发射的电磁辐射还能够经由半导体芯片的侧面射出。由于与半导体芯片在空间上间隔开的第一子区域，反射器的造型还能够自由地成形，使得器件的放射特性例如关于放射角的色彩均匀性或亮度分布方面能够通过反射器的可自由成形的造型来设定。因为半导体芯片的侧面不直接或最多部分直接地由反射器覆盖，所以能够有助于从半导体芯片中提取光，由此提高器件的效率。根据器件的至少一个实施方式，半导体芯片能够经由反射器或穿过反射器电接触。如果能够穿过反射器电接触半导体芯片，那么反射器能够电绝缘地构成。尤其是，反射器能够在其后侧上具有开口，半导体芯片能够穿过所述开口例如与外部的电压源电接触。也可行的是：反射器具有过孔，所述过孔在竖直方向上穿过反射器延伸至半导体芯片的电接触部。器件能够具有后侧，所述后侧包括半导体芯片的和反射器的后侧，其中半导体芯片的和/或器件的电接触层在器件的后侧上可自由触及。半导体芯片的后侧和反射器的后侧能够局部地彼此平接。在半导体芯片能够经由反射器电接触的情况下，反射器以适宜方式导电地构成。半导体芯片能够与反射器形成电接触。为了避免可能的短路，能导电的反射器能够具有如下区域，所述区域彼此电绝缘。如果经由反射器或穿过反射器能够从外部电接触半导体芯片，那么器件能够以小的结构高度特别紧凑地构成。器件能够没有金属的载体组成部分，例如导体框，所述导体框例如由模塑体包围，并且尤其在反射器上或在反射器的腔室之内没有印制导线。根据该器件的至少一个实施方式，包套具有灌封材料和磷光体颗粒，其中磷光体颗粒嵌入在灌封材料中。将磷光体颗粒理解为如下发光材料颗粒，所述发光材料颗粒吸收第一峰值波长的由半导体芯片发射的电磁辐射并且将所述电磁辐射转换成第二峰值波长的电磁辐射，其中第二峰值波长与第一峰值波长不同并且尤其大于第一峰值波长。包套能够具有不同类型的磷光体颗粒，所述磷光体颗粒将第一峰值波长的辐射转换成不同峰值波长的辐射，使得从被发射的和经转换的辐射的混合中产生对于人眼显现白色的光。通过包套完全覆盖半导体芯片的前侧并且至少部分地覆盖半导体芯片的侧面的设计方案，能够改进器件关于放射角的色位稳定性。具有灌封材料和嵌入其中的磷光体颗粒的包套能够单层地、尤其一件式地构成。包套能够具有唯一的灌封层，所述灌封层例如在唯一的方法步骤中构成。因此，具有半导体芯片轮廓的包套的朝向半导体芯片的边界面能够通过灌封层的表面形成。根据器件的至少一个实施方式，包套具有转换器层，所述转换器层具有磷光体颗粒。转换器层尤其完全覆盖半导体芯片的前侧并且至少部分地覆盖半导体芯片的侧面。尤其是，转换器层非平坦地构成。转换器层在此能够具有基本上恒定的层厚度。这尤其引起转换器层的更好的散热并且引起特别均匀的空间的色位分布。包套在该情况下能够具有转换器层和灌封层，其中转换器层设置在半导体芯片和灌封层之间。可行的是：转换器层和灌封层具有相同的基体材料，其中转换器层具有比灌封层明显更高浓度的磷光体颗粒，例如为其至少三倍、五倍、十倍或至少二十倍的浓度。当转换器层和灌封层具有相同的基体材料并且转换器层例如通过磷光体颗粒沉淀或通过类似的方法构成时，转换器层在有疑问的情况下可视作为灌封层的一部分。在该情况下，磷光体颗粒例如不均匀地或基本上均匀地分布在包套中。包套尤其划分成两个子区域，其中第一子区域形成灌封层并且第二子区域形成转换器层。替选地，转换器层能够构成为独立的层，所述层设置在灌封层和半导体芯片之间。在该情况下，转换器层和灌封层除了磷光体颗粒的浓度之外具能够有另外的区别，例如在材料组分方面的区别。转换器层和灌封层能够分别具有朝向半导体芯片的表面，所述表面仿照半导体芯片的和/或反射器的轮廓。转换器层能够构成为，使得其在俯视图中完全覆盖半导体芯片并且至少部分地覆盖反射器，其中转换器层的表面形成包套的朝向半导体芯片和反射器的边界面。例如，边界面局部地仿照半导体芯片的轮廓和局部地仿照反射器的轮廓。尤其是，转换器层直接邻接于半导体芯片和反射器的第一子区域和第二子区域。通过转换器层的非平坦的设计方案，实现关于器件的放射角的特别高的色位稳定性，其中所述转换器层覆盖半导体芯片的前侧和侧面。根据该器件的至少一个实施方式，半导体芯片至少局部地借助于包套机械稳定地固定在反射器的第一子区域上。半导体芯片能够局部地借助于第二子区域固定在反射器的第一子区域上。反射器的第一子区域能够与反射器的第二子区域分开地构成。尤其是，反射器的第一子区域形成腔室，将半导体芯片设置或固定在所述腔室中。在横向方向上，反射器的第二子区域设置在反射器的第一子区域和半导体芯片之间，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件(100)，其具有半导体芯片(1)、包套(3)和反射器(2)，其中‑所述半导体芯片(1)具有前侧(11)、背离所述前侧(11)的后侧(12)和侧面(10)，其中所述半导体芯片(1)至少部分地能够经由其后侧(12)电接触，‑所述反射器(2)在横向方向上全环周地包围所述半导体芯片(1)，所述反射器具有第一子区域(21)和直接邻接于所述第一子区域(21)的第二子区域(22)，其中所述第一子区域(21)与所述半导体芯片(1)在空间上间隔开，并且所述第二子区域(22)直接邻接于所述半导体芯片(1)，并且‑所述包套(3)完全覆盖所述半导体芯片(1)的所述前侧(11)并且至少部分地覆盖所述半导体芯片(1)的所述侧面(10)，使得所述包套(3)具有朝向所述半导体芯片(1)的边界面(32)，所述边界面局部地仿照所述半导体芯片(1)的轮廓。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.04.13 DE 102016106833.01.一种器件(100)，其具有半导体芯片(1)、包套(3)和反射器(2)，其中-所述半导体芯片(1)具有前侧(11)、背离所述前侧(11)的后侧(12)和侧面(10)，其中所述半导体芯片(1)至少部分地能够经由其后侧(12)电接触，-所述反射器(2)在横向方向上全环周地包围所述半导体芯片(1)，所述反射器具有第一子区域(21)和直接邻接于所述第一子区域(21)的第二子区域(22)，其中所述第一子区域(21)与所述半导体芯片(1)在空间上间隔开，并且所述第二子区域(22)直接邻接于所述半导体芯片(1)，并且-所述包套(3)完全覆盖所述半导体芯片(1)的所述前侧(11)并且至少部分地覆盖所述半导体芯片(1)的所述侧面(10)，使得所述包套(3)具有朝向所述半导体芯片(1)的边界面(32)，所述边界面局部地仿照所述半导体芯片(1)的轮廓。2.根据权利要求1所述的器件(100)，其中所述半导体芯片(1)能够经由所述反射器(2)或穿过所述反射器(2)电接触。3.根据上述权利要求中任一项所述的器件(100)，其中所述包套(3)具有灌封材料和磷光体颗粒，其中所述磷光体颗粒嵌入在所述灌封材料中。4.根据上述权利要求中任一项所述的器件(100)，其中所述包套(3)具有转换器层(30)，所述转换器层具有磷光体颗粒，其中所述转换器层(30)完全覆盖所述半导体芯片(1)的所述前侧(11)并且至少部分地覆盖所述半导体芯片(1)的所述侧面(10)，并且其中所述转换器层(30)非平坦地构成。5.根据上一项权利要求所述的器件(100)，其中所述转换器层(30)在俯视图中完全覆盖所述半导体芯片(1)并且至少部分地覆盖所述反射器(2)，并且其中所述转换器层(30)的表面形成所述包套(3)的朝向所述半导体芯片(1)和所述反射器(2)的所述边界面(32)，所述边界面局部地仿照所述半导体芯片(1)的轮廓并且局部地仿照所述反射器(2)的轮廓。6.根据上述权利要求中任一项所述的器件(100)，其中所述半导体芯片(1)至少局部地借助于所述包套(3)机械稳定地固定在所述反射器(2)的所述第一子区域(21)上。7.根据上述权利要求中任一项所述的器件(100)，其中所述半导体芯片(1)在其后侧(12)上为了从外部电接触而具有第一接触层(41)，其中所述反射器(2)和所述第一接触层(41)在俯视图中没有重叠。8.根据上一项权利要求所述的器件(100)，其中所述半导体芯片(1)在其后侧(12)上为了从外部电接触而具有第二接触层(42)，其中所述反射器(2)和所述第二接触层(42)在俯视图中没有重叠，并且其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：米夏埃尔·屈内尔特，亚历山大·林科夫，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE