一种晶圆的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆的加工方法，属于半导体技术领域。所述加工方法包括：确定待加工晶圆的目标厚度值并上传至运算系统；将待加工晶圆粘结到基板上，采用测量系统测量待加工晶圆的粘片后厚度值并上传至运算系统；确定待加工晶圆的减薄目标厚度值、研磨目标厚度值和抛光目标厚度值并上传至运算系统，运算系统根据存储的厚度值依次计算出待加工晶圆的减薄量、研磨量和抛光量；根据待加工晶圆的减薄量、研磨量和抛光量依次对待加工晶圆进行减薄、研磨和抛光操作；去除抛光后的晶圆与基板之间的粘结部，得到加工后的晶圆。该加工方法减少了加工过程中的人为干预，提高了晶圆的加工效率，同时保证了LED芯片的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的加工方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种晶圆的加工方法。
技术介绍
随着氮化镓基化合物发光二极管(英文：LightingEmittingDiode，简称：LED)在显示及照明领域的广泛应用，最近几年LED的需求数量呈现出几何级数增加，这就对LED的生产效率和生产质量提出了更高要求。在LED的制造过程中，需要对LED的晶圆进行加工，目前晶圆的加工过程为：第一步、测量晶圆的原始厚度值并记录；第二步、将晶圆粘结固定在基板上，测量粘结后的晶圆的厚度并记录；第三步、将晶圆进行减薄处理，测量减薄后的晶圆的厚度并记录；第四步，将减薄后的晶圆进行研磨，测量研磨后的晶圆的厚度并记录；第五步，将研磨后的晶圆进行抛光，测量抛光后的晶圆的厚度并记录；第六步，将晶圆从基板上取下，去除晶圆和基板之间的粘结部，得到加工后的晶圆。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：在上述晶圆研磨的各个步骤中，均需要人为的去记录晶圆的厚度，且在对晶圆进行减薄、研磨和抛光操作时，也需要人为的去计算减薄量、研磨量和抛光量，使得最终得到的晶圆的厚度满足要求。因此，在晶圆加工的各个步骤中，均需要人为干预，降低了晶圆的研磨效率，同时在人为计算减薄量、研磨量和抛光量时，容易出错，导致加工后的晶圆的厚度相差较大，厚度相差较大会影响LED芯片的寿命和光效一致性，使得最终得到的LED芯片的质量较差。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种晶圆的加工方法，可以提高晶圆的研磨效率，同时保证LED芯片的质量。所述技术方案如下：本专利技术实施例提供了一种晶圆的加工方法，所述加工方法包括：确定待加工晶圆的目标厚度值；将所述待加工晶圆粘结到基板上，采用测量系统测量所述待加工晶圆的粘片后厚度值，所述粘片后厚度值为所述待加工晶圆的远离所述基板的端面至所述基板的距离；根据所述待加工晶圆的目标厚度值和所述待加工晶圆粘片后厚度值，确定所述待加工晶圆的减薄目标厚度值、研磨目标厚度值和抛光目标厚度值；其中，所述减薄目标厚度值为进行减薄操作后，所述待加工晶圆的远离所述基板的端面至所述基板的距离；所述研磨目标厚度值为进行研磨操作后，所述待加工晶圆的远离所述基板的端面至所述基板的距离；所述抛光目标厚度值为进行抛光操作后，所述待加工晶圆的远离所述基板的端面至所述基板的距离；将所述待加工晶圆的目标厚度值、所述粘片后厚度值、所述减薄目标厚度值、所述研磨目标厚度值和所述抛光目标厚度值分别上传至运算系统，所述运算系统根据存储的所述待加工晶圆的粘片后厚度值和所述减薄目标厚度值计算所述待加工晶圆的减薄量；根据所述减薄量对所述待加工晶圆进行减薄操作；采用测量系统测量减薄后的所述待加工晶圆的厚度值，并上传至所述运算系统中，所述运算系统根据存储的减薄后的所述待加工晶圆的厚度值和所述研磨目标厚度值计算出所述待加工晶圆的研磨量；根据所述研磨量对所述待加工晶圆进行研磨操作；采用测量系统测量研磨后的所述待加工晶圆的厚度值，并上传至所述运算系统中，所述运算系统根据存储的研磨后的所述待加工晶圆的厚度值和所述抛光目标厚度值计算出所述待加工晶圆的抛光量；根据所述抛光量对所述待加工晶圆进行抛光操作；去除抛光后的晶圆与所述基板之间的粘结部，得到加工后的晶圆。进一步地，所述根据所述待加工晶圆的目标厚度值和所述粘片后厚度值，确定所述待加工晶圆的减薄目标厚度值、研磨目标厚度值和抛光目标厚度值，包括：预设减薄量初值a、研磨量初值b和抛光量初值c；根据所述粘片后厚度值d0和所述抛光量初值c，确定所述抛光目标厚度值d3；根据所述抛光目标厚度值d3和所述研磨量初值b，确定所述研磨目标厚度值d2；根据所述研磨目标厚度值d2和所述减薄量初值a，确定所述减薄目标厚度值d1；其中，d＜d3＜d2＜d1＜d0，d为所述待加工晶圆的目标厚度值。进一步地，根据以下公式计算所述待加工晶圆的减薄量：A＝d0-d1；其中，A表示所述减薄量，d0表示所述粘片后厚度值，d1表示所述减薄目标厚度值。进一步地，根据以下公式计算所述待加工晶圆的研磨量：B＝D1-d2；其中，B表示所述研磨量，D1表示减薄后的所述待加工晶圆的厚度值，d2表示所述研磨目标厚度值。进一步地，根据以下公式计算所述待加工晶圆的抛光量：C＝D2-d3；其中，C表示所述抛光量，D2表示研磨后的所述待加工晶圆的厚度值，d3表示所述抛光目标厚度值。进一步地，当减薄后的所述待加工晶圆的厚度值不在所述减薄目标厚度值范围内时，所述运算系统报警；或者，当研磨后的所述待加工晶圆的厚度值不在所述研磨目标厚度值范围内时，所述运算系统报警；或者，当抛光后的所述待加工晶圆的厚度值不在所述抛光目标厚度值范围内时，所述运算系统报警。进一步地，所述加工方法还包括：采用测量系统测量所述待加工晶圆的原始厚度值，并将所述待加工晶圆的原始厚度值上传至所述运算系统；所述运算系统根据所述待加工晶圆的原始厚度值和所述粘片后厚度值计算出所述晶圆与所述基板之间的粘结部的厚度；当所述述粘结部的厚度超过预设值时，所述运算系统报警。进一步地，所述加工方法还包括：采用所述测量系统测量所述加工后的晶圆的厚度值，并将所述加工后的晶圆的厚度值上传至所述运算系统；当所述加工后的晶圆的厚度值不在所述目标厚度值范围内时，所述运算系统报警。进一步地，分别采用减薄机、研磨机和抛光机对所述待加工晶圆进行减薄、研磨和抛光操作。进一步地，当所述运算系统报警后，对所述减薄机、研磨机或抛光机进行调整。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过测量系统直接测量待加工晶圆的粘片后厚度值，然后将测量出的粘片后厚度值以及确定好的待加工晶圆的目标厚度值、减薄目标厚度值、研磨目标厚度值和抛光目标厚度值分别上传至运算系统，运算系统根据存储的厚度值，依次计算出待加工晶圆的减薄量、研磨量和抛光量。根据运算系统计算出的减薄量、研磨量和抛光量依次对待加工晶圆进行减薄、研磨和抛光操作，最后去除抛光后的晶圆与基板之间的粘结部，得到加工后的晶圆。整个加工过程中各个阶段晶圆的厚度值的记录，以及减薄量、研磨量和抛光量的计算均由运算系统完成，减少了加工过程中的人为干预，提高了晶圆的加工效率，同时减少了在计算减薄量、研磨量和抛光量时的出错率，使得加工出的每个晶圆的厚度满足要求，从而保证了LED芯片的质量。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种晶圆的加工方法的方法流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。本专利技术实施例提供了一种晶圆的加工方法，图1是本专利技术实施例提供的一种晶圆的加工方法的方法流程图，如图1所示，该加工方法包括：步骤101、确定待加工晶圆的目标厚度值。具体地，在执行步骤102之后之前，该加工方法还可以包括：采用测量系统测量待加工晶圆的原始厚度值，并将待加工晶圆的原始厚度值上传至运算系统。步骤102、将待加工晶圆粘结到基板上。具体地，可以采用上蜡机对晶圆进行上蜡，然后将晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：确定待加工晶圆的目标厚度值；将所述待加工晶圆粘结到基板上，采用测量系统测量所述待加工晶圆的粘片后厚度值，所述粘片后厚度值为所述待加工晶圆的远离所述基板的端面至所述基板的距离；根据所述待加工晶圆的目标厚度值和所述待加工晶圆粘片后厚度值，确定所述待加工晶圆的减薄目标厚度值、研磨目标厚度值和抛光目标厚度值；其中，所述减薄目标厚度值为进行减薄操作后，所述待加工晶圆的远离所述基板的端面至所述基板的距离；所述研磨目标厚度值为进行研磨操作后，所述待加工晶圆的远离所述基板的端面至所述基板的距离；所述抛光目标厚度值为进行抛光操作后，所述待加工晶圆的远离所述基板的端面至所述基板的距离；将所述待加工晶圆的目标厚度值、所述粘片后厚度值、所述减薄目标厚度值、所述研磨目标厚度值和所述抛光目标厚度值分别上传至运算系统，所述运算系统根据存储的所述待加工晶圆的粘片后厚度值和所述减薄目标厚度值计算所述待加工晶圆的减薄量；根据所述减薄量对所述待加工晶圆进行减薄操作；采用测量系统测量减薄后的所述待加工晶圆的厚度值，并上传至所述运算系统中，所述运算系统根据存储的减薄后的所述待加工晶圆的厚度值和所述研磨目标厚度值计算出所述待加工晶圆的研磨量；根据所述研磨量对所述待加工晶圆进行研磨操作；采用测量系统测量研磨后的所述待加工晶圆的厚度值，并上传至所述运算系统中，所述运算系统根据存储的研磨后的所述待加工晶圆的厚度值和所述抛光目标厚度值计算出所述待加工晶圆的抛光量；根据所述抛光量对所述待加工晶圆进行抛光操作；去除抛光后的晶圆与所述基板之间的粘结部，得到加工后的晶圆。...

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的加工方法，其特征在于，所述加工方法包括：确定待加工晶圆的目标厚度值；将所述待加工晶圆粘结到基板上，采用测量系统测量所述待加工晶圆的粘片后厚度值，所述粘片后厚度值为所述待加工晶圆的远离所述基板的端面至所述基板的距离；根据所述待加工晶圆的目标厚度值和所述待加工晶圆粘片后厚度值，确定所述待加工晶圆的减薄目标厚度值、研磨目标厚度值和抛光目标厚度值；其中，所述减薄目标厚度值为进行减薄操作后，所述待加工晶圆的远离所述基板的端面至所述基板的距离；所述研磨目标厚度值为进行研磨操作后，所述待加工晶圆的远离所述基板的端面至所述基板的距离；所述抛光目标厚度值为进行抛光操作后，所述待加工晶圆的远离所述基板的端面至所述基板的距离；将所述待加工晶圆的目标厚度值、所述粘片后厚度值、所述减薄目标厚度值、所述研磨目标厚度值和所述抛光目标厚度值分别上传至运算系统，所述运算系统根据存储的所述待加工晶圆的粘片后厚度值和所述减薄目标厚度值计算所述待加工晶圆的减薄量；根据所述减薄量对所述待加工晶圆进行减薄操作；采用测量系统测量减薄后的所述待加工晶圆的厚度值，并上传至所述运算系统中，所述运算系统根据存储的减薄后的所述待加工晶圆的厚度值和所述研磨目标厚度值计算出所述待加工晶圆的研磨量；根据所述研磨量对所述待加工晶圆进行研磨操作；采用测量系统测量研磨后的所述待加工晶圆的厚度值，并上传至所述运算系统中，所述运算系统根据存储的研磨后的所述待加工晶圆的厚度值和所述抛光目标厚度值计算出所述待加工晶圆的抛光量；根据所述抛光量对所述待加工晶圆进行抛光操作；去除抛光后的晶圆与所述基板之间的粘结部，得到加工后的晶圆。2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所述根据所述待加工晶圆的目标厚度值和所述粘片后厚度值，确定所述待加工晶圆的减薄目标厚度值、研磨目标厚度值和抛光目标厚度值，包括：预设减薄量初值a、研磨量初值b和抛光量初值c；根据所述粘片后厚度值d0和所述抛光量初值c，确定所述抛光目标厚度值d3；根据所述抛光目标厚度值d3和所述研磨量初值b，确定所述研磨目标厚度值d2；根据所述研磨目标厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：马玮辰，汪洋，向光胜，叶青贤，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42