一种影像传感器制备方法、影像传感器和电子设备技术

本申请公开了一种影像传感器制备方法、影像传感器和电子设备，该方法包括：提供透明基板和影像传感器芯片；其中，所述影像传感器芯片包括正面和背面，所述影像传感器芯片的正面设置有光电感应区；形成色阻阵列和微透镜阵列；所述色阻阵列和所述微透镜阵列中的一个位于所述光电感应区，另一个位于所述透明基板的第一侧；将所述透明基板与所述影像传感器芯片固定，其中，所述透明基板的所述第一侧与所述影像传感器芯片的所述正面相对，所述色阻阵列中的色阻与所述微透镜阵列中的微透镜对应。通过上述方式，本申请能够降低对微透镜阵列和色阻阵列制作工艺条件的限制。

【技术实现步骤摘要】
一种影像传感器制备方法、影像传感器和电子设备
本申请涉及半导体
，特别是涉及一种影像传感器制备方法、影像传感器和电子设备。
技术介绍
随着半导体技术的发展，影像传感器的发展越来越迅速，且已广泛应用于相机、移动终端、医疗器械、汽车等领域。在现有技术中，影像传感器从制作工艺上可以分为两个部分：前端制作工艺和后端制作工艺。其中，前端制作工艺包括硅器件工艺和金属互连工艺，后端制作工艺包括色阻阵列工艺和微透镜阵列工艺。本申请的专利技术人在长期研究过程中发现，微透镜阵列一般形成在色阻阵列上，因此在制作微透镜阵列的时候需要充分考虑其工艺条件，以避免破坏色阻阵列。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种影像传感器制备方法、影像传感器和电子设备，能够降低对微透镜阵列和色阻阵列制作工艺条件的限制。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种影像传感器制备方法，所述制备方法包括：提供透明基板和影像传感器芯片；其中，所述影像传感器芯片包括正面和背面，所述影像传感器芯片的正面设置有光电感应区；形成色阻阵列和微透镜阵列；所述色阻阵列和所述微透镜阵列中的一个位于所述光电感应区，另一个位于所述透明基板的第一侧；将所述透明基板与所述影像传感器芯片固定，其中，所述透明基板的所述第一侧与所述影像传感器芯片的所述正面相对，所述色阻阵列中的色阻与所述微透镜阵列中的微透镜对应。为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种影像传感器，所述影像传感器包括：影像传感器芯片，所述影像传感器芯片包括正面和背面，所述正面设置有光电感应区；透明基板，包括第一侧和第二侧，所述第一侧与所述影像传感器芯片的所述正面相对；色阻阵列和微透镜阵列，其中，所述色阻阵列和所述微透镜阵列中的一个位于所述光电感应区，另一个位于所述透明基板的所述第一侧，且所述色阻阵列中的色阻与所述微透镜阵列中的微透镜对应。为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种电子设备，所述电子设备包括上述任一实施例中的影像传感器。本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请所提供的影像传感器中的色阻阵列和微透镜阵列中的一个位于影像传感器芯片的光电感应区，另一个位于透明基板的第一侧，且透明基板的第一侧与影像传感器芯片的光电感应区相对。因此，本申请所提供的影像传感器制备方法可以降低对微透镜阵列和色阻阵列制作工艺条件的限制，提高了影响传感器封装的产能。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：图1为本申请影像传感器制备方法一实施方式的流程示意图；图2为影像传感器芯片一实施方式的结构示意图；图3为图1中步骤S102中形成色阻阵列对应的一实施方式的结构示意图；图4为图1中步骤S102中形成色阻阵列一实施方式的流程示意图；图5为图4中步骤S201-S202对应的一实施方式的结构示意图；图6为图4中步骤S202对应的另一实施方式的结构示意图；图7为图1中步骤S102中形成色阻阵列一实施方式的流程示意图；图8为图7中步骤S301-S302对应的一实施方式的结构示意图；图9为图7中步骤S302对应的另一实施方式的结构示意图；图10为图1中步骤S102中形成微透镜阵列对应的一实施方式的结构示意图；图11为图1中步骤S102中形成微透镜阵列一实施方式的流程示意图；图12为图11中步骤S401-S402对应的一实施方式的结构示意图；图13为图1中步骤S102中形成微透镜阵列一实施方式的流程示意图；图14为图13中步骤S501-S502对应的一实施方式的结构示意图；图15为图1中步骤S102中形成色阻阵列对应的一实施方式的结构示意图；图16为图1中步骤S102中形成色阻阵列对应的一实施方式的流程示意图；图17为图16中步骤S601-S602对应的一实施方式的结构示意图；图18为图1中步骤S102中形成色阻阵列对应的一实施方式的流程示意图；图19为图18中步骤S701-S702对应的一实施方式的结构示意图；图20为图1中步骤S102中形成微透镜阵列对应的一实施方式的结构示意图；图21为图1中步骤S102中形成微透镜阵列一实施方式的流程示意图；图22为图21中步骤S801-S802对应的一实施方式的结构示意图；图23为图1中步骤S102中形成微透镜阵列一实施方式的流程示意图；图24为图23中步骤S901-S902对应的一实施方式的结构示意图；图25为图1中步骤S103一实施方式的流程示意图；图26为图25中步骤S1001-S1002对应的一实施方式的结构示意图；图27为图1中步骤S103对应的一实施方式的结构示意图；图28为本申请影像传感器一实施方式的结构示意图；图29为本申请影像传感器另一实施方式的结构示意图；图30为本申请影像传感器另一实施方式的结构示意图；图31为本申请影像传感器另一实施方式的结构示意图；图32为本申请电子设备一实施方式的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参阅图1，图1为本申请影像传感器制备方法一实施方式的流程示意图，该制备方法包括：S101：提供透明基板和影像传感器芯片；其中，影像传感器芯片包括正面和背面，影像传感器芯片的正面设置有光电感应区。具体地，在一个实施方式中，透明基板的材质可以为玻璃、透明塑料、有机玻璃、石英玻璃、蓝宝石玻璃等。在一个应用场景中，透明基板的厚度可以为100um，在其他应用场景中，透明基板的厚度也可为其他，本申请对此不作限定。在另一个实施方式中，请参阅图2，图2为影像传感器芯片一实施方式的结构示意图。在一个应用场景中，半导体圆片设有若干矩阵排列的影像传感器芯片1，影像传感器芯片1之间设有划片槽，通过切割划片槽进而可以获得单颗影像传感器芯片1。影像传感器芯片1包括正面10及背面12，影像传感器芯片1的正面10设置有光电感应区100，该光电感应区100用于将光信号转化为电信号。在一个应用场景中，影像传感器芯片1包括基体14和设置在基体14中的光电转换阵列16，其中，光电转换阵列16至影像传感器芯片1的正面10之间的区域定义为光电感应区100，该基体14可以为硅基体等。S102：形成色阻阵列和微透镜阵列；色阻阵列和微透镜阵列中的一个位于光电感应区，另一个位于透明基板的第一侧。具体地，本申请对形成色阻阵列和微透镜阵列的先后顺序没有限定，可以先形成色阻阵列，后形成微透镜阵列，也可以先形成微透镜阵列，后形成色阻阵列。在一个实施方式中，色阻阵列包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻，色阻阵列的厚度为10nm-50um，例如10nm、1um、20um、50um等。在另一个实施方式中，微透镜阵列用于将更多的光汇集到影像传感器芯片1的光电转换区100中，以提高像素的感光灵敏度。一般而言，微透镜阵列本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种影像传感器制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供透明基板和影像传感器芯片；其中，所述影像传感器芯片包括正面和背面，所述影像传感器芯片的正面设置有光电感应区；形成色阻阵列和微透镜阵列；所述色阻阵列和所述微透镜阵列中的一个位于所述光电感应区，另一个位于所述透明基板的第一侧；将所述透明基板与所述影像传感器芯片固定，其中，所述透明基板的所述第一侧与所述影像传感器芯片的所述正面相对，所述色阻阵列中的色阻与所述微透镜阵列中的微透镜对应。

【技术特征摘要】
1.一种影像传感器制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供透明基板和影像传感器芯片；其中，所述影像传感器芯片包括正面和背面，所述影像传感器芯片的正面设置有光电感应区；形成色阻阵列和微透镜阵列；所述色阻阵列和所述微透镜阵列中的一个位于所述光电感应区，另一个位于所述透明基板的第一侧；将所述透明基板与所述影像传感器芯片固定，其中，所述透明基板的所述第一侧与所述影像传感器芯片的所述正面相对，所述色阻阵列中的色阻与所述微透镜阵列中的微透镜对应。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述色阻阵列位于所述透明基板的所述第一侧；所述形成色阻阵列包括：在所述透明基板的所述第一侧平面形成包含红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻的所述色阻阵列；或者，在所述透明基板的所述第一侧形成第一凹槽；在所述第一凹槽内形成包含红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻的所述色阻阵列，其中，所述色阻阵列的高度小于等于所述第一凹槽的深度；或者，在所述透明基板的所述第一侧形成第二凹槽阵列；分别在所述第二凹槽阵列的各个凹槽内填充红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻，以形成所述色阻阵列，其中，所述色阻阵列的高度小于等于所述第二凹槽阵列的深度。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述微透镜阵列位于所述光电感应区，所述形成微透镜阵列包括：在所述光电感应区平面形成所述微透镜阵列；或者，在所述光电感应区形成第三凹槽，在所述第三凹槽内形成所述微透镜阵列，其中，所述微透镜阵列的高度小于等于所述第三凹槽的深度；或者，在所述光电感应区形成第四凹槽阵列，在所述第四凹槽阵列的各个凹槽内形成微透镜，以形成所述微透镜阵列，其中，所述微透镜阵列的高度小于等于所述第四凹槽阵列的深度。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述色阻阵列位于所述影像传感器芯片的所述光电感应区；所述形成色阻阵列包括：在所述影像传感器芯片的所述光电感应区平面形成包含红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻的所述色阻阵列；或者，在所述影像传感器芯片的所述光电感应区形成第五凹槽；在所述第五凹槽内形成包含红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻的所述色阻阵列，其中，所述色阻阵列的高度小于等于所述第五凹槽的深度；或者，在所述影像传感器芯片的所述光电感应区形成第六凹槽阵列；分别在所述第六凹槽阵列的各个凹槽内填充红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻，以形成所述色阻阵列，其中，所述色阻阵列的高度小于等于所述第六凹槽阵列的深度。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述微透镜阵列位于所述透明基板的所述第一侧，所述形成微透镜阵列包括：在所述透镜基板的所述第一侧平面形成所述微透镜阵列；或者，在所述透明基板的所述第一侧形成第七凹槽，在所述第七凹槽内形成所述微透镜阵列，其中，所述微透镜阵列的高度小于等于所述第七凹槽的深度；或者，在所述透明基板的所述第一侧形成第八凹槽阵列，在所述第八凹槽阵列的各个凹槽内形成微透镜，以形成所述微透镜阵列，其中，所述微透镜阵列的高度小于等于所述第八凹槽阵列的深度。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述透明基板与所述影像传感器芯片固定，包括：在所述透明基板的所述第一侧表面的边缘形成第一支撑件，和/或，在所述影像传感器芯片的正面的边缘形成第二支撑件，以使得所述透明基板的所述第一侧表面面向所述影像传感器芯片时，所述色阻阵列与所述微透镜阵列间隔开；将所述透明基板与所述影像传感器芯片通过所述第一支撑件和/或所述第二支撑件键合固定。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述透明基板的所述第一侧与所述影像传感器芯片的所述正面相对，所述色阻阵列与所述微透镜阵列...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚波，
申请(专利权)人：南通通富微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32