半导体器件制造技术

本发明专利技术公开了一种可提高半导体器件的可靠性的技术。所述半导体器件包括具有形成于芯片装载面上的多个焊点(引脚)BF的布线基板3、搭载于布线基板3上的半导体芯片、以及分别具有球形部Bnd1及接合部Bnd2的多条引线BW。多个焊点BF具有分别与引线BWa的接合部Bnd2连接的焊点BF1、以及与引线BWb的球形部Bnd1连接的焊点BF2。另外，在俯视观察时，焊点BF2配置在与多个焊点BF1的配置列Bd1上不同的位置上，而且，焊点BF2的宽度W2比焊点BF1的宽度W1大。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件本专利技术申请是申请日为2014年7月23日、申请号为201410352981.6、专利技术名称为“半导体器件及其制造方法”的专利技术申请的分案申请。
本专利技术涉及一种半导体器件及其制造技术，尤其是适用于一种经由引线将半导体芯片的电极和布线基板的引脚电连接的半导体器件的有效的技术。
技术介绍
在日本特开1986－105851号公报(专利文献1)中，公开了通过引线焊接将2列焊盘分别连接到相互面对面的两个区域上的技术。专利文献1中，将所述2列焊盘列中位于各区域的边界线外侧的焊盘列称为第1焊盘，将位于分界线内侧的焊盘列称为第2焊盘。专利文献1日本特开1986－105851号公报
技术实现思路
既有技术中，已经存在经由引线将布线基板的引脚与搭载于所述布线基板上的半导体芯片的电极进行电连接的技术。近年来，随着半导体器件高功能化的要求，所述引脚的数量(以下简称“引脚数”)具有增大的倾向。但是，如果仅是增加引脚数的话，将导致布线基板的平面尺寸变大。而对此的对策只能是缩小每一个引脚的平面尺寸(外型尺寸)，但因此也将导致将引线和引脚稳定连接的容限变小。下面说明解决上述课题的方法。本专利技术的所述内容及所述内容以外的目的和新特征在本说明书的描述及附图说明中写明。本专利技术一实施方式中的半导体器件具有：形成于芯片装载面上的多个引脚的布线基板；搭载于所述布线基板上的半导体芯片；分别具有球形部及接合部且分别与所述多个引脚连接的多条引线等。所述多个引脚具有分别与多条第1引线的所述接合部连接的多个第1引脚、以及与第2引线的所述球形部连接的第2引脚。另外，在俯视观察时，所述第2引脚配置在与所述多个第1引脚的配置列之上的不同位置上、而且所述第2引脚的宽度比所述多个第1引脚的每一个的宽度都大。根据所述一实施方式，便可提高半导体器件的可靠性。附图说明图1所示的是一实施方式中半导体器件的透视图。图2所示的是图1中的半导体器件的底视图。图3所示的是除去图1的封装体后的状态下布线基板上的半导体器件的内部结构的透视俯视图。图4所示的是沿着图1的A－A线截断的截面图。图5所示的是在图3的多条引线中，将下段侧的半导体芯片和布线基板进行电连接的引线的放大截面图。图6所示的是在图3的多条引线中，将上段侧的半导体芯片和布线基板进行电连接的引线的放大截面图。图7所示的是在图3的布线基板的芯片装载面侧的俯视中，将焊点的配置密度高的区域进行放大后的放大俯视图。图8所示的是将比图7中焊点配置密度低的区域进行放大后的放大俯视图。图9所示的是一实施方式中半导体器件的组装流程的说明图。图10所示的是在图9所示的基板准备工序中所准备的布线基板的整体结构的俯视图。图11所示的是在图10所示的多个器件形成部的一个中，将与图7所示的区域对应的部分的放大俯视图。图12所示的是将半导体芯片搭载到图10所示的布线基板上的状态的放大俯视图。图13所示的是沿着图12的A－A线截断的放大截面图。图14所示的是通过引线焊接将图12的半导体芯片和布线基板进行电连接的状态的放大俯视图。图15所示的是通过引线焊接将图13的半导体芯片和布线基板进行电连接的状态的放大截面图。图16所示的是在通过正向焊接方式焊接的第1焊盘侧中，将球形部接合到焊盘的状态的放大截面图。图17所示的是在通过正向焊接方式焊接的第2焊盘侧中，将接合部接合到焊点的状态的放大截面图。图18所示的是在通过逆向焊接方式焊接的第1焊盘侧中，将球形部接合到焊点的状态的放大截面图。图19所示的是在通过逆向焊接方式焊接的第2焊盘侧中，将接合部接合到突起电极的状态的放大截面图。图20所示的是通过树脂将图15所示的半导体芯片及多条引线进行封装后的状态的放大截面图。图21所示的是在图20所示的多个焊接盘的每一个的露出面上形成焊锡后的状态的放大截面图。图22所示的是通过划片刀将图21所示的布线基板进行切断后的状态的放大截面图。图23所示的是图7的变形例的放大俯视图。图24所示的是在图3所示的半导体器件的变形例中，半导体芯片所具有的多个焊盘和布线基板的多个焊点的连接关系的模式的放大俯视图。图25所示的是图24的变形例的放大俯视图。图26所示的是图24的其他变形例的放大俯视图。图27所示的是焊点的形状及大小都与图7所示的实施方式不同的焊点的放大俯视图。图28所示的是沿着图27的A－A线截断的放大截面图。图29所示的是焊点的形状及大小都与图7所示的实施方式不同的焊点的放大俯视图。图30所示的是焊点的形状及大小都与图7所示的实施方式不同的焊点的放大俯视图。符号说明1,1A,1B,1C,1D半导体器件2半导体芯片2a表面(主面、上表面)2b背面(主面、下表面)2c侧面3布线基板3a上表面(芯片装载面)3b下表面(安装面)3c侧面3e绝缘层(核心绝缘层)3h阻焊膜(绝缘膜)3p供电线3r布线4封装体(树脂体)4a上表面4b下表面4c侧面5,6芯片粘接材料(粘结材料)7焊接材料25布线基板25a器件形成部25b框部25c切割部(切割线)Bd1配置列(第1列配置列)Bd2配置列(第2列配置列)BF焊点(引脚、芯片装载面侧引脚、焊接引线)BF1焊点(点焊用的焊点、正向焊接方式用的焊点)BF2焊点(球焊用的焊点、逆向焊接方式用的焊点)BMP突起电极(导电性材料)Bnd1球形部Bnd2接合部BW引线(导电性材料)BWa引线(正向焊接方式的引线)BWb引线(逆向焊接方式的引线)CC控制芯片(半导体芯片)CP劈刀CP1,CP2,CP3,CP4,CP5箭头DBL划片刀(旋转刃)FC模拟芯片(半导体芯片)Fp1圆形部(部分)Fp2延伸部(部分)L1,L2,L3延伸方向的长度LD焊接盘(外部引脚、电极垫、外部电极垫)PD,PD1,PD2多个焊盘(引脚、电极、电极垫、焊盘)S1,S2,S3,S4边SR阻焊膜(绝缘膜)SRp开口部W1,W2,W3,W4,Wbt,Wbp宽度具体实施方式(关于本专利说明书中的叙述方式、基本用语以及用法等的说明)在以下实施方式中，为了方便，在必要时将几个部分或将实施方式分割来说明，除了需要特别说明的以外，这些都不是彼此独立且无关系的，而是与其它一部分或者全部的变形例、详细内容及补充说明等相互关联的。同样地，在以下实施方式中提及的构成要素等时，除了原理上已经明确了数量或从前后文来看并非如此时，并非是必须之要素。同样地，在实施方式等的叙述上，对于材料及构成等方面，除了写明了仅限于所述材料外，“由A构成”“具有A”“包括A”等的表述还指主要构成要素除了A以外还有其他要素。例如“硅材料”等并非限定于单纯的硅元素，而是可为Si-Ge(锗化硅)合金或其他以硅为主要成分的多元合金、以及还含有其他添加物的硅材料等。另外，提到镀金、Cu层、镀镍等时也同样，除了特别说明的以外，还分别指以金、铜、镍等为主要成分的材料。同样地，在以下实施方式中提及的特定数值及数量等时，除了特别说明时及原理上已经明确了并非如此时，实质上还指可大于等于该特定数或小于等于该特定数。另外，为了说明实施方式的所有图中，原则上对具有同一功能的构件采用同一符号，并省略掉重复的说明。另外，在实施方式所用的图中，为了使图面简单易懂，有时会省略掉剖面图的剖面线或者给俯视图加上剖面线，或者即使在俯视中存在通孔，但在图面中省本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：布线基板，所述布线基板具有绝缘层、形成在所述绝缘层的上表面上的多个引脚、形成在所述绝缘层的所述上表面上且分别与所述多个引脚连接的多条布线、以及以使所述多条布线各自的一部分和所述多个引脚的每一个引脚露出的方式形成在所述绝缘层的所述上表面上的绝缘膜；第1半导体芯片，所述第1半导体芯片具有第1表面、形成于所述第1表面上的多个第1电极、以及位于所述第1表面相反侧的第1背面，所述第1半导体芯片以所述第1背面面向所述布线基板的所述绝缘层的所述上表面的方式搭载在所述布线基板的所述绝缘层的所述上表面上；以及多条引线，所述多条引线分别具有球形部以及接合部，并分别与所述多个引脚连接，在俯视观察时，所述球形部的宽度比所述接合部的宽度大，所述多条引线具有第1引线和第2引线，在俯视观察时，所述多个引脚沿着所述第1半导体芯片的所述第1表面的第1边配置，所述多个引脚具有与所述第1引线的所述接合部连接的第1引脚、以及与所述第2引线的所述球形部连接的第2引脚，所述多条布线具有与所述第1引脚连接的第1布线、以及与所述第2引脚连接的第2布线，在俯视观察时，所述第2引脚具有与所述第2引线的所述球形部连接的第1部分、以及与所述第1部分连结且沿着所述第2引线的延伸方向延伸的第2部分，在俯视观察时，所述第2引脚的所述第1部分位于与多个所述第1引脚的配置列上不同的位置上，在俯视观察时，所述第2引脚的所述第2部分设置在多个所述第1引脚的配置列上，在俯视观察时，所述第2引线的所述球形部的宽度比所述第1引线的所述接合部的宽度大，在俯视观察时，所述第1引脚的宽度比所述第1布线的所述一部分的宽度大，在俯视观察时，所述第2引脚的所述第2部分的宽度比所述第2布线的所述一部分的宽度大，在俯视观察时，所述第2引脚的所述第1部分的宽度比所述第1引脚及所述第2引脚的所述第2部分各自的宽度大，所述第1布线的所述一部分、所述第1引线的所述接合部以及所述第1引脚各自的宽度是与所述第1引线的延伸方向相交的方向上的长度，所述第2布线的所述一部分、所述第2引线的所述球形部、所述第2引脚的所述第1部分以及所述第2引脚的所述第2部分各自的宽度是与所述第2引线的延伸方向相交的方向上的长度。...

【技术特征摘要】
2013.07.30 JP 2013-1582331.一种半导体器件，其特征在于，具有：布线基板，所述布线基板具有绝缘层、形成在所述绝缘层的上表面上的多个引脚、形成在所述绝缘层的所述上表面上且分别与所述多个引脚连接的多条布线、以及以使所述多条布线各自的一部分和所述多个引脚的每一个引脚露出的方式形成在所述绝缘层的所述上表面上的绝缘膜；第1半导体芯片，所述第1半导体芯片具有第1表面、形成于所述第1表面上的多个第1电极、以及位于所述第1表面相反侧的第1背面，所述第1半导体芯片以所述第1背面面向所述布线基板的所述绝缘层的所述上表面的方式搭载在所述布线基板的所述绝缘层的所述上表面上；以及多条引线，所述多条引线分别具有球形部以及接合部，并分别与所述多个引脚连接，在俯视观察时，所述球形部的宽度比所述接合部的宽度大，所述多条引线具有第1引线和第2引线，在俯视观察时，所述多个引脚沿着所述第1半导体芯片的所述第1表面的第1边配置，所述多个引脚具有与所述第1引线的所述接合部连接的第1引脚、以及与所述第2引线的所述球形部连接的第2引脚，所述多条布线具有与所述第1引脚连接的第1布线、以及与所述第2引脚连接的第2布线，在俯视观察时，所述第2引脚具有与所述第2引线的所述球形部连接的第1部分、以及与所述第1部分连结且沿着所述第2引线的延伸方向延伸的第2部分，在俯视观察时，所述第2引脚的所述第1部分位于与多个所述第1引脚的配置列上不同的位置上，在俯视观察时，所述第2引脚的所述第2部分设置在多个所述第1引脚的配置列上，在俯视观察时，所述第2引线的所述球形部的宽度比所述第1引线的所述接合部的宽度大，在俯视观察时，所述第1引脚的宽度比所述第1布线的所述一部分的宽度大，在俯视观察时，所述第2引脚的所述第2部分的宽度比所述第2布线的所述一部分的宽度大，在俯视观察时，所述第2引脚的所述第1部分的宽度比所述第1引脚及所述第2引脚的所述第2部分各自的宽度大，所述第1布线的所述一部分、所述第1引线的所述接合部以及所述第1引脚各自的宽度是与所述第1引线的延伸方向相交的方向上的长度，所述第2布线的所述一部分、所述第2引线的所述球形部、所述第2引脚的所述第1部分以及所述第2引脚的所述第2部分各自的宽度是与所述第2引线的延伸方向相交的方向上的长度。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在俯视观察时，由所述第1部分以及所述第2部分构成的所述第2引脚的所述第1部分在所述第2引脚的延伸方向上的长度，比所述第1引脚在所述第1引脚的延伸方向上的长度小。3.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：今关洋辅，黑田壮司，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP