磁记录介质制造技术

本发明专利技术提供一种电磁转换特性及磁性层的膜强度优异的磁记录介质。所述磁记录介质具有：非磁性支撑体；及非磁性支撑体上的磁性层，所述磁性层包含强磁性粉末及粘结剂，所述强磁性粉末含有选自由ε‑Fe2O3及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物，将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’，将在磁场‑磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，所述磁化M是由在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描速度1.994kA/m/s下测定而得到的磁场‑磁化曲线求出的。d

【技术实现步骤摘要】
磁记录介质
本专利技术涉及一种磁记录介质。
技术介绍
ε型氧化铁(ε-Fe2O3)具有铁氧体磁铁的3倍的矫顽力，因此作为磁性材料受到瞩目。与此相关地，进行了用于提高包含ε-Fe2O3(包含Fe位(site)的一部分被其他金属元素取代的化合物)的磁性材料的磁特性的尝试。例如，公开有如下磁性粉末：其包含以ε-Fe2O3晶体(包括Fe位的一部分被金属元素M取代的化合物)为主相的铁氧化物的粒子，根据透射型电子显微镜(TEM)照片测定的粒径中，平均粒径为10nm～200nm，且粒径小于10nm的粒子的个数比例为25％以下(例如，参考专利文献1)。并且，例如公开有具有规定的磁特性的平均粒径为10nm以上且30nm以下的ε-Fe2O3的Fe位的一部分被其他金属元素取代的铁系氧化物磁性粒子粉(例如，参考专利文献2)。专利文献1：日本专利第5130534号公报专利文献2：日本专利第5966064号公报专利文献1公开的磁性材料的矫顽力高，专利文献2公开的磁性材料的矫顽力分布窄。然而，当制作磁记录介质时，不仅磁性材料的磁特性要良好，而且例如从行走耐久性等观点而言，良好的磁性层的膜强度等物理特性也是重要的。关于此，根据本专利技术人的研究，判明了磁性层中包含专利文献1及专利文献2的磁性材料的磁记录介质的磁性层的膜强度不充分。
技术实现思路
鉴于上述内容，本专利技术的一实施方式要解决的课题在于提供一种电磁转换特性及磁性层的膜强度优异的磁记录介质。用于解决上述课题的具体手段包括以下方式。＜1＞一种磁记录介质，其具有：非磁性支撑体；及非磁性支撑体上的磁性层，所述磁性层包含强磁性粉末及粘结剂，所述强磁性粉末含有选自由ε-Fe2O3及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物，将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’，将在磁场-磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，所述磁化M是由在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描(sweep)速度1.994kA/m/s下测定而得到的磁场-磁化曲线求出的。d2M/dH2式(I)119kA/m＜Hc’＜2380kA/m式(II)[化学式1]ε-AaFe2-aO3(1)式(1)中，A表示Fe以外的至少1种金属元素，a满足0＜a＜2。＜2＞根据＜1＞所述的磁记录介质，其中，粘结剂为具有交联结构的粘结剂。＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的磁记录介质，其中，Hc相对于Hc’的值为0.65以上且1.0以下。＜4＞根据＜1＞～＜3＞中任一项所述的磁记录介质，其中，Hc相对于Hc’的值为0.71以上且1.0以下。＜5＞根据＜1＞～＜4＞中任一项所述的磁记录介质，其中，粘结剂的含量相对于强磁性粉末100质量份为5质量份～30质量份。＜6＞＜1＞～＜5＞中任一项所述的磁记录介质，其中，在磁性层中，不挥发成分的质量相对于强磁性粉末的质量的质量比为0.15～1.8。＜7＞根据＜1＞～＜6＞中任一项所述的磁记录介质，其中，磁性层的厚度为10nm～350nm。＜8＞根据＜1＞～＜7＞中任一项所述的磁记录介质，其中，式(1)中的A为选自包括Ga、Al、In、Nb、Co、Zn、Ni、Mn、Ti及Sn的组中的至少1种金属元素。＜9＞根据＜8＞所述的磁记录介质，其中，式(1)所表示的化合物包含Ga，Ga原子的原子组成百分比相对于Fe原子为5原子％～50原子％。专利技术效果根据本专利技术，能够提供一种电磁转换特性及磁性层的膜强度优异的磁记录介质。具体实施方式本专利技术中，使用“～”表示的数值范围是指将“～”的前后所记载的数值分别作为最小值及最大值而包含的范围。在本专利技术中阶段性记载的数值范围中，以某一数值范围记载的上限值或下限值可以被置换成其他阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。并且，在本专利技术中所记载的数值范围中，以某一数值范围记载的上限值或下限值也可以被置换成实施例所示的值。在本专利技术中，所期望的，当组合物中存在多种相当于各成分的物质时，只要没有特别指定，则指存在于组合物中的该多种物质的合计量。在本专利技术中，“工序”这一术语，不仅是指独立的工序，即使在无法与其他工序明确区分的情况下，只要能够实现该工序的所希望的目的，则包含于本术语中。在本专利技术中，“溶剂”是以包含水、有机溶剂及水与有机溶剂的混合溶剂的含义使用的。＜磁记录介质＞本专利技术的磁记录介质具有：非磁性支撑体；及非磁性支撑体上的磁性层，所述磁性层包含强磁性粉末及粘结剂，所述强磁性粉末含有选自由ε-Fe2O3及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物，将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’，将在磁场-磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，所述磁化M是由在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描速度1.994kA/m/s下测定而得到的磁场-磁化曲线求出的。d2M/dH2式(I)119kA/m＜Hc’＜2380kA/m式(II)[化学式2]ε-AaFe2-aO3(1)式(1)中，A表示Fe以外的至少1种金属元素，a满足0＜a＜2。以往，进行了用于提高包含ε-Fe2O3(包括Fe位的一部分被其他金属元素取代的化合物)的磁性材料的磁特性的尝试。然而，当制作磁记录介质时，不仅磁性材料的磁特性要良好，而且例如从行走耐久性等观点而言，磁性层的膜强度等物理特性优异也是重要的。关于此，判明了磁性层中包含专利文献1及专利文献2中所记载的ε-Fe2O3的磁记录介质的磁性层的膜强度不充分。相对于此，在本专利技术中，通过以下详细叙述的Hc/Hc’为0.6以上且1.0以下，可提供电磁转换特性及磁性层的膜强度优异的磁记录介质。虽然其详细原因不明，但如下推测。即，认为在本专利技术的磁记录介质中，通过Hc/Hc’为0.6以上且1.0以下，磁记录介质的磁性层中的超顺磁性成分变少，磁记录介质的电磁转换特性得到提高。作为这种超顺磁性成分，可以考虑通过具有小于10nm(例如5nm以下)的一次粒径而磁特性显著降低的超微强磁性粉末粒子。与一次粒径大的强磁性粉末粒子相比，这种超微强磁性粉末粒子每单位体积的表面积大。因此，认为当磁记录介质中的Hc/Hc’小于0.6时，磁性层中会大量存在这种超微粒子，由此对具有大表面积的强磁性粉末，无法确保用于在磁性层形成膜的充分量的粘结剂，磁记录介质的磁性层中的膜强度降低。然而，在本专利技术中，认为通过磁记录介质中的Hc/Hc’为0.6以上且1.0以下，磁记录介质的磁性层中超微强磁性粉末粒子等超顺磁性成分变少，对强磁性粉末，可确保用于在磁性层形成膜的充分量的粘结剂，可形成磁性层的膜强度优异的磁记录介质。在本专利技术中，判明了通过控制由磁场-磁化曲线得到的下述物性，能够提供电磁转换特性及磁性层的膜强度优异的磁记录介质。具体而言，在磁记录介质中，将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’，将在磁场-磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁记录介质，其具有：非磁性支撑体；及所述非磁性支撑体上的磁性层，所述磁性层包含强磁性粉末及粘结剂，所述强磁性粉末含有选自由ε‑Fe2O3及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物，在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描速度1.994kA/m/s下测定而得到磁场‑磁化曲线，由磁场‑磁化曲线求出磁化M，在将用施加的磁场H对所述磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’、将在所述磁场‑磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，d2M/dH2  式(I)119kA/m＜Hc’＜2380kA/m  式(II)[化学式1]ε‑AaFe2‑aO3  (1)式(1)中，A表示Fe以外的至少1种金属元素，a满足0＜a＜2。

【技术特征摘要】
2017.06.09 JP 2017-1147901.一种磁记录介质，其具有：非磁性支撑体；及所述非磁性支撑体上的磁性层，所述磁性层包含强磁性粉末及粘结剂，所述强磁性粉末含有选自由ε-Fe2O3及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物，在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描速度1.994kA/m/s下测定而得到磁场-磁化曲线，由磁场-磁化曲线求出磁化M，在将用施加的磁场H对所述磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’、将在所述磁场-磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，d2M/dH2式(I)119kA/m＜Hc’＜2380kA/m式(II)[化学式1]ε-AaFe2-aO3(1)式(1)中，A表示Fe以外的至少1种金属元素，a满足0＜a＜2。2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：直井宪次，藤本贵士，白田雅史，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP