【技术实现步骤摘要】
一种射频等离子体清洗装置
本专利技术属于一种半导体晶片清洗的装置
，具体涉及一种射频等离子体清洗装置。
技术介绍
等离子体清洗已逐步在半导体制造、微电子封装、柔性PCB板等行业普遍应用。所谓的等离子体清洗，就是用等离子体通过化学或物理作用时对工件表面进行处理，实现分子水平的污渍去除，提高表面活性的工艺。但是常规等离子体清洗过程中，待清洗的工件处于等离子体离化区域中，清洗过程中伴随着物理清洗过程，等离子体中电子、离子等高能活性离子对材料表面会产生很大的损伤和热效应，造成对半导体晶片、基板的损伤。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种结构简单、设计合理，利用等离子体获得适宜的离子、活性自由基比例，以获得较好的清洗效果且不会造成对半导体晶片、基板的损伤的射频等离子体清洗装置。本专利技术技术方案是一种射频等离子体清洗装置，包括：进气装置、等离子体发生装置和真空室，所述进气装置包括进气混合管路、进气管路和进气阀，所述真空室包括腔体和调节导轨，所述等离子体发生装置包括电极接线柱、电极托盘和射频电源，所述腔体为长方体形结构，所述腔体上部接进气混合管路和匀气管，所述腔体底部开设抽气路法兰接口、破空气路法兰接口。优选的，所述射频电源频率为13.56MHz、功率0-600W连续可调，通过小功率控制从而避免了对半导体晶片表面的损伤及达到较好的清洗效果。优选的，所述电极托盘可实现的手动控制连续可调，高度范围为调节导轨长度50mm-150mm-300mm可调。优选的，所述进气混合管路内可通入多种气体进行有效混合。本专利技术的有益效果：本专利技术是一种射频等离子体清洗装置，结...
【技术保护点】
1.一种射频等离子体清洗装置，包括：进气装置、等离子体发生装置和真空室，其特征在于，所述进气装置包括进气混合管路、进气管路和进气阀，所述真空室包括腔体和调节导轨，所述等离子体发生装置包括电极接线柱、电极托盘和射频电源，所述腔体为长方体形结构，所述腔体上部接进气混合管路和匀气管，所述腔体底部开设抽气路法兰接口、破空气路法兰接口。
【技术特征摘要】
1.一种射频等离子体清洗装置，包括：进气装置、等离子体发生装置和真空室，其特征在于，所述进气装置包括进气混合管路、进气管路和进气阀，所述真空室包括腔体和调节导轨，所述等离子体发生装置包括电极接线柱、电极托盘和射频电源，所述腔体为长方体形结构，所述腔体上部接进气混合管路和匀气管，所述腔体底部开设抽气路法兰接口、破空气路法兰接口。2.根据权利要求1所述的一种射频等离子体清洗装置，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹铁锤，程光周，倪红德，薛进，
申请(专利权)人：合肥杰硕真空科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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