基板处理装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种基板处理装置，进行基板的研磨工艺的基板处理装置包括：基板放置部，其放置有基板；止动件，其配置为包围基板的四周周边；研磨单元，其以接触于止动件的上面的状态对基板的上面进行研磨，由此可以获得如下有利效果：提高基板的研磨均匀度，使得非研磨区域的产生最小化。

Substrate processing device

The utility model relates to a substrate processing device, which carries out a substrate grinding process. The substrate processing device includes: a substrate placement part, which has a substrate; a stop part, which is arranged to surround the surrounding of the substrate; and a grinding unit, which grinds the upper part of the substrate in a state of contact with the upper part of the stop, thereby, the substrate can be ground. In order to achieve the following beneficial effects: improve the uniformity of the substrate grinding, so as to minimize the generation of non-abrasive areas.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置
本技术涉及一种基板处理装置，更为具体地，涉及一种基板处理装置，其可以提高大面积基板的研磨效率，并且提高研磨稳定性及研磨均匀度。
技术介绍
最近，对信息显示器的兴趣高涨，并且想利用能够携带的信息媒体的要求变高，与此同时，重点进行针对代替现有显示装置布劳恩管(CathodeRayTube；CRT：阴极射线管)的轻量薄型平板显示装置(FlatPanelDisplay:FPD：平板显示器)的研究及商业化。在所述平板显示装置领域，到目前为止，虽然轻且电力消耗少的液晶显示装置(LiquidCrystalDisplayDevice；LCD)是最受关注的显示装置，但是液晶显示装置并不是发光元件而是受光元件，并且在亮度、对比度(contrastratio)及视场角等方面存在缺点，因此正在积极展开针对可以克服所述缺点的新显示装置的开发。其中，最近，有机发光显示器(OLED:OrganicLightEmittingDisplay)是正受到关注的新一代显示器之一。通常，显示装置使用强度及透过性优秀的玻璃基板，但是最近，显示装置倾向于微小(slim)化及高像素(high-pixel)，因此必须准备与之相应的玻璃基板。例如，ELA(EximerLaserAnnealing：准分子激光退火)工艺为OLED工艺中的一种，将激光扫描到非晶硅(a-Si)并结晶为多晶硅(poly-Si)，在所述ELA工艺中，多晶硅结晶的同时会在表面产生凸起，所述凸起会产生不均匀现象(mura-effects)，所以玻璃基板必须经研磨处理，以便去除凸起。为此，最近正在进行用于有效研磨基板表面的多种研究，但是仍不能令人满意，因此要求对此的开发。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种基板处理装置，其可以简化基板的处理工艺，并且缩短处理时间。尤其，本技术的目的在于，缩短装载及卸载大面积基板时所需要的时间，并且可以提高生产力及收率。此外，本技术的目的在于，可以连续供给基板并处理。此外，本技术的目的在于，可以简化设备，并且可以减少制造费用。此外，本技术的目的在于，可以提高研磨稳定性及研磨均匀度。根据用于实现所述本技术目的的本技术的优选实施例，在基板周边配置有止动件，研磨单元以接触于止动件的状态研磨基板，由此，可以使得研磨单元在基板边缘部位反弹的现象最小化，并且提高基板的研磨效率，可以提高研磨稳定性及研磨均匀度。如上所述，根据本技术，可以获得如下有利效果：提高基板的研磨效率，提高研磨稳定性及研磨均匀度。尤其，根据本技术，可以获得如下有利效果：可以使得在基板的边缘部位研磨单元从基板反弹的现象最小化，并且更有效地对基板的边缘部位进行研磨。此外，根据本技术，可以获得如下有利效果：可以使得在基板边缘部位产生未经研磨的非研磨区域(deadzone)的现象最小化，并且提高生产力及收率。此外，根据本技术，可以获得如下有利效果：简化基板的处理工艺，缩短处理时间。此外，根据本技术，可以获得如下有利效果：连续供给基板并处理。此外，根据本技术，可以获得如下有利效果：可以简化设备，减少制造费用，并且提高空间利用度。附图说明图1是示出根据本技术的基板处理装置的构成的平面图，图2是用于说明根据本技术的基板处理装置的研磨部分的立体图，图3是用于说明本技术的基板处理装置的研磨部分的侧面图，图4是用于说明根据本技术的基板处理装置的止动件的平面图，图5至图7是用于说明根据本技术的基板处理装置的基板的装载工艺的图，图8是用于说明根据本技术的基板处理装置的固定单元的图，图9是用于说明根据本技术的基板处理装置的通过研磨单元进行研磨工艺的图，图10是用于说明根据本技术的基板处理装置的研磨单元的研磨路径的平面图，图11是用于说明根据本技术的基板处理装置的研磨单元的研磨路径的另一个例子的平面图，图12是用于说明根据本技术的基板处理装置的基板放置部的另一个实施例的图，图13是用于说明根据本技术的基板处理装置的提升单元的图，图14及图15是用于说明根据本技术的基板处理装置的基板的卸载工艺的图。具体实施方式以下，参照附图，对本技术的优选实施例进行详细说明，但是本技术并非受实施例的限制或限定。作为参考，在本说明中，相同的标号实际上意味着相同的要素，并且在所述规则下，可以引用记载于其他附图的内容来说明，并且省略判断为对本领域技术人员来说显而易见或者反复的内容。图1是示出根据本技术的基板处理装置的构成的平面图，图2是用于说明根据本技术的基板处理装置的研磨部分的立体图，图3是用于说明本技术的基板处理装置的研磨部分的侧面图，图4是用于说明根据本技术的基板处理装置的止动件的平面图，此外，图5至图7是用于说明根据本技术的基板处理装置的基板的装载工艺的图，图8是用于说明根据本技术的基板处理装置的固定单元的图。同时，图9是用于说明根据本技术的基板处理装置的通过研磨单元进行研磨工艺的图，图10是用于说明根据本技术的基板处理装置的研磨单元的研磨路径的平面图，图11是用于说明根据本技术的基板处理装置的研磨单元的研磨路径的另一个例子的平面图。此外，图12是用于说明根据本技术的基板处理装置的基板放置部的另一个实施例的图，图13是用于说明根据本技术的基板处理装置的提升单元的图，图14及图15是用于说明根据本技术的基板处理装置的基板的卸载工艺的图。参照图1至图15，根据本技术的基板处理装置10包括：基板放置部201，其放置有基板；止动件214，其配置为包围基板W的四周周边；研磨单元230，其以接触于止动件214的上面的状态对基板W的上面进行研磨。其目的在于，提高基板W的研磨效率，并且提高研磨稳定性及研磨均匀度。换句话说，在基板放置于基板放置部的状态下，基板配置为从放置有基板的基板放置部的放置面凸出，并且在基板的内侧区域(基板的上面)和基板的外侧区域的边界(基板的边缘)产生段差。但是问题在于，在通过研磨单元对基板进行研磨的过程中，若研磨单元经过基板的边缘，则产生因在基板边缘的段差而研磨单元从基板反弹的现象。尤其，若在基板的外侧区域，研磨单元配置在低于基板的上面的高度，然后向基板的内侧区域进入，则研磨单元因在基板边缘的段差(研磨单元的底面和基板的上面之间的高度差)而碰撞到基板，并且产生从基板反弹的现象。如上所述，若在基板的边缘区域产生研磨单元的反弹现象，则无法保障在基板的边缘区域的研磨均匀度，在严重的情况下，有在基板的边缘区域产生非研磨区域(deadzone)(未经研磨垫研磨的区域)的问题。例如，有如下问题：从基板的边缘向基板的内侧，相当于10mm左右区域(形成有图案的区域)的基板的边缘区域无法被研磨单元研磨。但是，就本技术而言，在基板W的边缘周边设置具有与基板W相类似的高度的止动件214，由此可以获得如下有利效果：在研磨工艺中，研磨单元230从基板W的外侧区域向基板W的内侧区域移动，或者从基板W的内侧区域向基板W的外侧区域移动，在所述过程中，可以使得由基板W的内侧区域和外侧区域之间的高度偏差导致的研磨单元230的反弹现象最小化，并且使得因反弹现象而产生的非研磨本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，作为进行基板的研磨工艺的基板处理装置，其特征在于，包括：基板放置部，其放置有基板；止动件，其配置为包围所述基板的四周周边；研磨单元，其以接触于所述止动件的上面的状态对所述基板的上面进行研磨。

【技术特征摘要】
2017.11.14 KR 10-2017-01514651.一种基板处理装置，作为进行基板的研磨工艺的基板处理装置，其特征在于，包括：基板放置部，其放置有基板；止动件，其配置为包围所述基板的四周周边；研磨单元，其以接触于所述止动件的上面的状态对所述基板的上面进行研磨。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述止动件设置为从放置有所述基板的所述基板放置部的放置面凸出，所述研磨单元以同时接触于所述止动件的上面和所述基板的上面的状态经过所述基板的边缘并对所述基板的上面进行研磨。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，通过所述研磨单元进行所述基板的研磨工艺，在所述基板的研磨工艺开始的研磨开始位置上，所述研磨单元的一部分配置为接触于所述止动件的上面的状态，所述研磨单元的其他一部分配置为接触于所述基板的上面的状态。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述基板放置部包括：移送带，其沿着规定的路径进行循环旋转，在外表面安置有所述基板；基板支撑部，其配置于所述移送带的内部，并且在隔着所述移送带的状态下支撑所述基板的底面。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，基板收容部贯通形成于所述止动件，在所述基板收容部的内部，所述基板安置于所述基板放置部。6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，在所述基板收容部的侧面和所述基板的侧面之间形成有相隔开的间隔。7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，所述间隔是0.1～5mm。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述止动件形成为具有比所述基板薄或者与所述基板相同的厚度。9.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，沿着所述移送带的循环方向，在所述移送带的外表面设置有多个所述止动件。10.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述移送带通过滚筒单元沿着规定的所述路径进行循环旋转，通过所述移送带的循环旋转来移送所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李气雨，崔宇喆，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国,KR