一种场效应晶体管的驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种场效应晶体管的驱动电路，包括电源、开关电路、第一电容C1和MOS管，开关电路包括控制端、第一输出端和第二输出端，第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于无穷大时，电源经第一电阻R1和第一保护二极管D1向第一电容C1充电，使得所述MOS管导通；当该MOS管控制的输出短路时，虽然输出电压被拉低，但第一输出端和第二输出端之间的阻抗维持不变，第一电容C1没有放电回路用于放电，第一电容C1上储存的电荷释放很慢，第一电容C1的两端电压下降非常缓慢，MOS管的驱动电压维持不变，MOS管维持导通，MOS管就不会因为输出电压被拉低造成MOS管的驱动电压随之降低而进入线性状态，进而避免因功耗太大而导致发热烧毁。

【技术实现步骤摘要】
一种场效应晶体管的驱动电路
本技术涉及驱动电路
，尤其涉及一种场效应晶体管的驱动电路。
技术介绍
场效应晶体管MOS管在电路中作为电子开关是一种很普遍的用法。但是，当MOS管控制的输出发生短路故障时，输出电压跌落到零，相应MOS管的驱动电压也趋近于零，这时MOS管退出导通状态，进入线性状态，电路所有能量施加到MOS管上，容易造成MOS管瞬间过热烧毁。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种场效应晶体管的驱动电路，以解决以上技术问题。为达此目的，本技术采用以下技术方案：一种场效应晶体管的驱动电路，包括电源、开关电路、第一电容C1和MOS管；所述开关电路包括控制端、第一输出端和第二输出端；所述第一输出端和第二输出端分别连接于所述第一电容C1的两端，所述第一电容C1的一端还串联有第一电阻R1和第一保护二极管D1；所述第一电容C1的两端连接于所述MOS管，用于控制所述MOS管的通断；所述控制端可控制所述第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于无穷大或零；所述第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于无穷大时，所述电源经所述第一电阻R1和第一保护二极管D1向所述第一电容C1充电，使得所述MOS管导通；所述第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于零时，所述第一电容C1经所述开关电路放电，使得所述MOS管关断。可选的，所述MOS管为PMOS管，所述第一电容C1的一端连接于所述电源的正极和所述PMOS管的源极；所述第一电容C1的另一端连接于所述PMOS管的栅极，所述第一电容C1的另一端还连接于串联的第一电阻R1和第一保护二极管D1，所述第一保护二极管的负极连接于所述电源的负极。可选的，所述开关电路包括第一三极管Q1、第二保护二极管D2、第二三极管Q2、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4；所述第一三级管Q1的发射极连接于所述电源的负极，所述第一三极管Q1的集电极连接于所述第二保护二极管D2的负极，所述第一三极管Q1的基极用于接收控制信号控制所述第一三极管Q1的通断；所述第一保护二极管D2的正极连接于所述第四电阻R4的一端，所述第四电阻R4的另一端连接于所述第三电阻R3的一端和所述第二三极管Q2的基极，所述第三电阻R3的另一端和所述第二三极管Q2的发射极均连接于所述电源的正极；所述第二三极管Q2的集电极连接于所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端连接于所述PMOS管的栅极；所述第一三极管Q1为NPN型三极管，所述第二三极管Q2为PNP型三极管。可选的，所述MOS管为NMOS管，所述第一电容C1的一端连接于所述电源的负极和所述PMOS管的源极；所述第一电容C1的另一端连接于所述PMOS管的栅极，所述第一电容C1的另一端还连接于串联的第一电阻R1和第一保护二极管D1，所述第一保护二极管的正极连接于所述电源的正极。可选的，所述开关电路包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第二电阻R2和第三电阻R3；所述第一三级管Q1的发射极和第二三极管Q2的发射极均连接于所述电源的负极，所述第一三极管Q1的集电极连接于所述第二三极管Q2的基极，所述第一三极管Q1的集电极还连接于所述第三电阻R3的一端，所述第三电阻R3的另一端连接于所述电源的正极；所述第二三极管Q2的集电极连接于所述第二电阻R2的一端，所第二电阻R2的另一端连接于所述NMOS管的栅极；所述第一三极管Q1的基极用于接收控制信号控制所述第一三极管Q1的通断；所述第一三极管Q1和第二三极管Q2均为NPN型三极管。与现有技术相比，本技术实施例具有以下有益效果：本技术实施例中，通过开关电路控制MOS管的通断，当第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于无穷大时，电源经第一电阻R1和第一保护二极管D1向第一电容C1充电，使得所述MOS管导通；当MOS管控制的输出发生短路故障时，虽然输出电压被拉低，但第一输出端和第二输出端之间的阻抗维持不变，又由于第一保护二极管D1的单向导通限制，第一电容C1没有放电回路用于放电，第一电容C1上储存的电荷释放很慢，第一电容C1的两端电压下降非常缓慢，MOS管的驱动电压维持不变，MOS管维持导通；因此，只要第一电容C1的两端电压下降时间远远超过电源的短路保护时间，MOS管就不会因为输出电压被拉低造成MOS管的驱动电压随之降低而进入线性状态，进而避免因功耗太大而导致发热烧毁。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为现有技术的电路原理示意图。图2为本技术实施例一提供的一种场效应晶体管的驱动电路的电路原理示意图。图3为本技术实施例二提供的一种场效应晶体管的驱动电路的电路原理示意图。图4为本技术实施例二提供的一种场效应晶体管的驱动电路的具体电路图。图5为本技术实施例三提供的一种场效应晶体管的驱动电路的电路原理示意图。图6为本技术实施例三提供的一种场效应晶体管的驱动电路的具体电路图。具体实施方式为使得本技术的技术目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而非全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1所示，图1为现有技术的电路原理示意图。MOS管作为电子开关使用时，为避免在开通瞬间产生浪涌电流，要求开通速度要慢，但在关断时为避免产生大的功耗，要求关断要快。图1是一个典型的应用，PMOS作为电子开关使用，开通时第一三极管Q1的基极接收到高电平的开通信号，第一三极管Q1导通，电源V1N、第一电容C1、第一电阻R1和第一三极管Q1构成一个充电回路，第一电阻R1是个大阻值电阻，使第一电容C1的两端电压Vc1上升缓慢，相应地PMOS管的Vgs电压也缓慢上升，PMOS管慢慢开通一直到Vc1上升超过PMOS管的饱和导通电压，PMOS管进入完全导通状态。当第一三极管Q1的基极接收到低电压的关断信号时，第一三极管Q1关断，第一电容C1、第二电阻R2和第一保护二极管D1构成一个放电回路。其中，第二电阻R2的阻值较小，使得第一电容C1放电很快，第一电容C1的两端电压Vc1迅速下降，PMOS管的Vgs电压也迅速下降，PMOS管快速关断。但是，当该MOS管控制的输出短路时，电源V1N电压被拉低接近于零，这时第一电容C1跟随电源V1N电压放电，第一电容C1的两端电压Vc1迅速降低，PMOS管进入线性状态，电源V1N的能量全部加在PMOS管上，由于电源V1N启动短路保护的时间一般在几十到几百毫秒才能动作，而电源V1N能量较大时几个毫秒就可以烧毁PMOS管，因此，PMOS管很容易在输出短路时烧毁。实施例一请参阅图2所示，为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种场效应晶体管的驱动电路。具体的，该场效应晶体管的驱动电路包括电源、开关电路10、第一电容C1和MOS管；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场效应晶体管的驱动电路，其特征在于：所述驱动电路包括电源、开关电路、第一电容C1和MOS管；所述开关电路包括控制端、第一输出端和第二输出端；所述第一输出端和第二输出端分别连接于所述第一电容C1的两端，所述第一电容C1的一端还串联有第一电阻R1和第一保护二极管D1；所述第一电容C1的两端连接于所述MOS管，用于控制所述MOS管的通断；所述控制端可控制所述第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于无穷大或零；所述第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于无穷大时，所述电源经所述第一电阻R1和第一保护二极管D1向所述第一电容C1充电，使得所述MOS管导通；所述第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于零时，所述第一电容C1经所述开关电路放电，使得所述MOS管关断。

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管的驱动电路，其特征在于：所述驱动电路包括电源、开关电路、第一电容C1和MOS管；所述开关电路包括控制端、第一输出端和第二输出端；所述第一输出端和第二输出端分别连接于所述第一电容C1的两端，所述第一电容C1的一端还串联有第一电阻R1和第一保护二极管D1；所述第一电容C1的两端连接于所述MOS管，用于控制所述MOS管的通断；所述控制端可控制所述第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于无穷大或零；所述第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于无穷大时，所述电源经所述第一电阻R1和第一保护二极管D1向所述第一电容C1充电，使得所述MOS管导通；所述第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于零时，所述第一电容C1经所述开关电路放电，使得所述MOS管关断。2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述MOS管为PMOS管，所述第一电容C1的一端连接于所述电源的正极和所述PMOS管的源极；所述第一电容C1的另一端连接于所述PMOS管的栅极，所述第一电容C1的另一端还连接于串联的第一电阻R1和第一保护二极管D1，所述第一保护二极管的负极连接于所述电源的负极。3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述开关电路包括第一三极管Q1、第二保护二极管D2、第二三极管Q2、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4；所述第一三级管Q1的发射极连接于所述电源的负极，所述第一三极管Q1的集电极连接于所述第二保护二极管D2的负极，所述第一三极管Q1的基极用于接收控制信号控制所述第一三极管Q1的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨东平，余刚，
申请(专利权)人：东莞市紫能电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44