一种基于磁共振成像的光散射测量电路制造技术

技术编号:19618228 阅读:59 留言:0更新日期:2018-12-01 04:02
本实用新型专利技术提供了一种基于磁共振成像的光散射测量电路,控制基于磁共振成像的光散射测量装置进行光散射测量,所述光散射测量电路包括:光源发生器,所述光源发生器电连接所述光散射测量装置;光探测器,所述光探测器电连接所述光散射测量装置;时域跟随器,所述时域跟随器电连接所述光散射测量装置;时域调制器,所述时域调制器电连接所述时域跟随器、并电连接所述光源发生器和所述光探测器中的一者,所述时域跟随器电连接所述光源发生器和所述光探测器中的另一者;处理器,所述处理器电连接所述光探测器、所述光散射测量装置以及所述时域跟随器。光散射测量电路控制并配合光散射测量装置实现对光散射的测量,获得连续光散射强度信号分布图。

A Light Scattering Measurement Circuit Based on Magnetic Resonance Imaging

The utility model provides a light scattering measuring circuit based on magnetic resonance imaging, which controls a light scattering measuring device based on magnetic resonance imaging to carry out light scattering measurement. The light scattering measuring circuit comprises a light source generator, which is electrically connected with the light scattering measuring device, a light detector and a light detection device. The apparatus electrically connects the light scattering measuring device; the time domain follower electrically connects the light scattering measuring device; the time domain modulator electrically connects one of the time domain follower, the light source generator and the light detector, and the time domain follower electrically connects the said time domain follower. A light source generator and another of the photodetectors; a processor electrically connected to the photodetector, the light scattering measuring device and the time domain follower. The light scattering measurement circuit controls and cooperates with the light scattering measurement device to realize the measurement of light scattering and obtain the continuous light scattering intensity signal distribution.

【技术实现步骤摘要】
一种基于磁共振成像的光散射测量电路
本技术涉及光学
,特别涉及一种基于磁共振成像的光散射测量电路。
技术介绍
光散射是指光通过不均匀介质时一部分光偏离原方向传播的现象,偏离原方向的光称为散射光。与光的吸收一样,光的散射也会通过物质的光的强度减弱,光的散射现象在各领域中均由特殊的用处。获得光散射分布图对研究物质特性具有重要的意义。通常采用光散射测量仪获取光散射分布图,现有技术中光散射测量仪包括探测器、光源装置、样品架以及转动装置,将样品放置在样品架上后,光源直接入射到样品的表面,探测器接收经样品表面散射作用后的反射光束信号,从而获得此状态下的光散射强度信号值,利用特定的转动装置调整探测器、光源装置、样品架中的一者、两者或三者,进而获取不同入射角、不同反射角度以及样品不同表面的光散射强度信号值。通过上述方法,通过获得大量离散的光散射信号值生成的光散射分布图,虽然通过大量次数的转动操作,使得生成的光散射图谱近似连续的,但实际上仍为离散的光散射图谱,无法精确获得样品表面任一位置光散射的信号值,使用的局限性差,并且,在测量过程中通过转动操作耗时长,测量效率低,特别是对于性能不稳定的测量对象或测量条件,测量偏差较大,甚至不能实现有效的测量。对于本领域技术人员而言,如何利用磁共振成像获得连续的光散射强度分布图,获得有效的信号值是亟待解决的问题之一。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种光散射测量电路,用于控制并配合光散射测量装置实现对光散射的测量,获得连续光散射强度信号分布图。本技术提供的一种基于磁共振成像的光散射测量电路,所述光散射测量电路用于连接产生磁共振光散射分布图的光散射测量装置,所述光散射测量电路包括:光源发生器,所述光源发生器电连接所述光散射测量装置;光探测器,所述光探测器电连接所述光散射测量装置;时域跟随器,所述时域跟随器电连接所述光散射测量装置;时域调制器,所述时域调制器电连接所述时域跟随器、并电连接所述光源发生器和所述光探测器中的一者,所述时域跟随器电连接所述光源发生器和所述光探测器中的另一者;处理器,所述处理器电连接所述光探测器、所述光散射测量装置以及所述时域跟随器。可选地,所述光散射测量电路还包括:第一门控机构,所述第一门控机构电连接在所述光源发生器与所述光散射测量装置之间;第二门控机构,所述第二门控机构电连接在所述光探测器与所述光散射测量装置之间。可选地,所述第一门控机构和所述第二门控机构分别与所述时域跟随器和所述时域调制器对应电连接。可选地,所述第一门控机构和所述第二门控机构均通过光纤与所述光散射测量装置连接。可选地,所述光散射测量电路还包括谱仪,所述谱仪电连接在所述处理器和所述光散射测量装置之间。可选地,所述谱仪通过光纤与所述光散射测量装置连接。可选地,所述光散射测量电路还包括波形生成器,所述波形生成器电连接在所述谱仪和所述光散射测量装置之间。可选地,所述光散射测量电路还包括主控器,所述主控器电连接所述处理器。可选地,所述处理器为可编程门阵列。由上述可知,本技术提供一种光散射测量电路,控制并配合光散射测量装置实现对光散射的测量,获得连续光散射强度信号分布图。附图说明图1为本技术第一具体实施例中基于磁共振成像的光散射测量电路与光散射测量装置的结构示意图;图2为本技术第二具体实施例中基于磁共振成像的光散射测量电路与光散射测量装置的结构示意图;图3为本技术第三具体实施例中基于磁共振成像的光散射测量电路与光散射测量装置的结构示意图;图4为本技术第四具体实施例中基于磁共振成像的光散射测量电路与光散射测量装置的结构示意图。其中,附图标记为:10光散射测量装置;11筒形骨架;12射频线圈;13梯度线圈;14筒形磁体;16X梯度功放;17Y梯度功放;18Z梯度功放;19射频功放;20光散射测量电路;21光源发生器;22光探测器;23时域跟随器;24时域调制器;25处理器;26第一门控机构;27第二门控机构;28谱仪;29波形生成器;30主控器。具体实施方式为了对本技术要求保护的技术方案的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解,现对照附图说明本技术的具体实施方式,在各图中相同的标号表示相同的部分。为了使图面简洁,各图中只示意性地表示出了与本技术相关部分,而并不代表作为产品的实际结构。另外,以使图面简洁便于理解,在有些图中具有相同结构或功能的部件,仅示意性地绘示出了其中的一个,或仅标示出了其中的一个。本技术提供的一种基于磁共振成像的光散射测量电路20用于控制基于磁共振成像的光散射测量装置10进行光散射测量。为了清楚表述本技术提供的光散射测量电路20的结构及工作原理,在具体实施例中将其与光散射测量装置10连接进行阐述。如图1和图2所示,光散射测量装置10包括筒形骨架11、射频线圈12、梯度线圈13、筒形磁体14和多条光纤。筒形骨架11的周壁的内表面包围形成样品放置腔,样品放置腔用于放置待测量样品,待测量的样品可以通过支架支撑在样品放置腔中,为了提升测量的样品表面的对光散射强度的分布的准确性,将样品的中心大致放置在筒形骨架11的中心处,并且,使得样品中线与筒形骨架11的中轴线重合。如图1所示,射频线圈12缠绕于筒形骨架11的周壁的外表面,突出示出的是,梯度线圈13缠绕于射频线圈12外层,筒形磁体14环绕在梯度线圈13的外层,筒形磁体14与梯度线圈13之间具有空间。这样,三者可形成磁场,从而使得样品放置在筒形骨架11的样品放置腔后处于磁场中。在磁场的作用下,可以获取样品表面的磁共振光散射分布图。多条光纤分别在筒形骨架11的多个径向角度上穿透筒形骨架11的周壁,并且,多条光纤的末端在样品放置腔内暴露,以允许来自多条光纤的光束馈入样品放置腔、以及样品放置腔内的散射光从多条光纤馈出。也就是说,多条光纤中一部分用于将来自光源的入射光线通过暴露在样品放置腔的末端馈入样品放置腔中,并照射至待测样品的表面;多条光纤中的另一部分用于将样品放置腔内由待测样品的表面反射出的光束由暴露在样品放置腔的末端馈出。采用上述结构的基于磁共振成像的光散射测量装置10对样品的表面的光散射强度的分布进行测量时,多条光纤穿透筒形骨架11的周壁后,可在不转动样品、光源的情况下,使得多个角度的入射光束分别照射在样品表面,以获得样品表面对来自多个不同入射角度的光束散射强度的分布。并且,用于馈出反射光束的多条光纤同时可获得多个角度的反射光束,由此,在对同一入射角度的光束测量样品表面对光束的散射强度时,能够同时获得多个反射角度的反射光束,降低了改变接收反射光束装置不停转换角度获取反射不同反射光束的工作量,提高了测量效率。光散射测量装置10具有X梯度功放16,Y梯度功放17和Z梯度功放18,三者均电连接梯度线圈13。还具有射频功放19,该射频功放19电连接射频线圈12。在光散射测量装置10的筒形骨架11的周壁的开设多个供多条光纤穿透筒形骨架11的通孔。其中,多个通孔包括一组供光源进入的光源入射孔和一组供散射光射出的散射光馈出口。基于上述的光散射测量装置10,本技术提供了一种光散射测量电路20,该光散射测量电路20用于连接产生磁共振光散射分布图的光散射测量装置10。在图1至图4中,箭头表示的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于磁共振成像的光散射测量电路,其特征在于,所述光散射测量电路(20)用于连接产生磁共振光散射分布图的光散射测量装置(10),所述光散射测量电路(20)包括:光源发生器(21),所述光源发生器(21)电连接所述光散射测量装置(10);光探测器(22),所述光探测器(22)电连接所述光散射测量装置(10);时域跟随器(23),所述时域跟随器(23)电连接所述光散射测量装置(10);时域调制器(24),所述时域调制器(24)电连接所述时域跟随器(23)、并电连接所述光源发生器(21)和所述光探测器(22)中的一者,所述时域跟随器(23)电连接所述光源发生器(21)和所述光探测器(22)中的另一者;处理器(25),所述处理器(25)电连接所述光探测器(22)、所述光散射测量装置(10)以及所述时域跟随器(23)。

【技术特征摘要】
1.一种基于磁共振成像的光散射测量电路,其特征在于,所述光散射测量电路(20)用于连接产生磁共振光散射分布图的光散射测量装置(10),所述光散射测量电路(20)包括:光源发生器(21),所述光源发生器(21)电连接所述光散射测量装置(10);光探测器(22),所述光探测器(22)电连接所述光散射测量装置(10);时域跟随器(23),所述时域跟随器(23)电连接所述光散射测量装置(10);时域调制器(24),所述时域调制器(24)电连接所述时域跟随器(23)、并电连接所述光源发生器(21)和所述光探测器(22)中的一者,所述时域跟随器(23)电连接所述光源发生器(21)和所述光探测器(22)中的另一者;处理器(25),所述处理器(25)电连接所述光探测器(22)、所述光散射测量装置(10)以及所述时域跟随器(23)。2.根据权利要求1所述的光散射测量电路,其特征在于,所述光散射测量电路(20)还包括:第一门控机构(26),所述第一门控机构(26)电连接在所述光源发生器(21)与所述光散射测量装置(10)之间;第二门控机构(27),所述第二门控机构(27)电连接在所述光探测器(22)与所述光散射测量装置(1...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘子龙蒋依芹甘海勇张巧香
申请(专利权)人:中国计量科学研究院
类型:新型
国别省市:北京,11

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