甘薯脱毒试管苗温室绿色快繁方法技术

本发明专利技术提供了一种甘薯苗的繁育方法，属于快繁技术领域。本发明专利技术的方法包括以下步骤：1)将甘薯脱毒试管苗移栽到温室中培养1～7d，得快繁母株；2)待母株长出第二片新叶时，摘除顶部，进行快繁培养40～50d，得快繁苗；3)将步骤2)得到的所述快繁苗裁剪成一级快繁苗，所述一级快繁苗为包括1片叶子的快繁苗茎段；4)将步骤3)得到的所述一级快繁苗进行扦插培养，得繁育后的甘薯苗。本发明专利技术的繁育方法，繁育得到的甘薯苗，成活率为95.7～97.9％，繁殖倍数660～750，病毒携带率降低63～71％。

Green Rapid Propagation of Sweet Potato Virus-free Test-tube Seedlings in Greenhouse

The invention provides a breeding method of sweet potato seedlings, which belongs to the technical field of rapid propagation. The method of the invention comprises the following steps: 1) transplanting virus-free test-tube seedlings of sweet potato into greenhouse for 1-7 days to breed the mother plant quickly; 2) removing the top of the mother plant when it grows a second new leaf, and carrying out rapid propagation for 40-50 days to breed the seedlings quickly; 3) cutting the fast propagation seedlings obtained in step 2 into a first-order fast propagation seedling, and the first-order fast propagation seedlings. In order to include the stem segment of a fast-propagation seedling with one leaf, the first-order fast-propagation seedlings obtained in step 3 are cutted and cultured to obtain the Post-Propagation sweet potato seedlings. The breeding method of the invention can obtain sweet potato seedlings with survival rate of 95.7-97.9%, reproduction multiple of 660-750 and virus carrying rate of 63-71%.

【技术实现步骤摘要】
甘薯脱毒试管苗温室绿色快繁方法
本专利技术属于快繁
，具体涉及一种甘薯脱毒试管苗温室绿色快繁方法。
技术介绍
甘薯是我国重要的粮食作物。近年来，甘薯病毒病严重危害甘薯的生产，是导致甘薯产量、品质降低和种性退化的主要原因之一。甘薯是无性繁殖作物，由于长期的无性繁殖，病毒可通过薯块和秧苗传播，病毒积累也随之增多，造成甘薯产量和种性严重降低。目前，尚无对甘薯病毒有效的化学防治方法，在我国还没有育成甘薯抗病毒病品种。因此，甘薯茎尖脱毒繁育技术仍是防治甘薯病毒病最有效的措施。传统的脱毒甘薯繁育技术包括甘薯脱毒试管苗、原原种、原种和生产种四级繁育体系。传统的脱毒繁育技术存在一定的不足：首先，从脱毒苗到生产种需要3-4年，周期长；其次，在脱毒苗的生长繁育过程中，甘薯容易感染病毒、并随着繁殖代数的增加而逐代加重，种薯质量下降；再次，在繁育过程中需要的人力物力增多，经济成本高等问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种甘薯苗繁育方法，缩短繁育周期，降低繁育成本，提高繁殖系数。为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：本专利技术提供了一种甘薯苗繁育方法，包括以下步骤：1)将甘薯脱毒试管苗移栽到温室中培养1～7d，得快繁母株；2)待快繁母株长出第二片新叶时，摘除顶部，进行快繁培养40～50d，得快繁苗；3)将步骤2)得到的所述快繁苗裁剪成一级快繁苗，所述一级快繁苗为包括1片叶片的快繁母株茎段；4)将步骤3)得到的所述一级快繁苗进行扦插培养，得繁育后的甘薯苗。优选的，步骤1)所述甘薯脱毒试管苗带有原始培养基但不带培养瓶。优选的，步骤1)所述培养的温度为23～25℃，光照强度为2000～3000lux，土壤含水量为70～80％。优选的，步骤1)所述移栽前在基质上覆盖黑地膜。优选的，步骤1)所述移栽株行距为(8～12)cm×(8～12)cm。优选的，步骤2)所述快繁培养的温度为25～32℃，光照强度为4000～6000lux。优选的，步骤4)所述扦插的密度为2～3.5万株/亩。优选的，步骤4)所述扦插培养的条件为：扦插后0～2d，温度为25～30℃，光照度为2000～3000lux；扦插2d后，温度为23～25℃，光照度为2000～3000lux。优选的，步骤4)所述扦插培养的时间为14～20d。优选的，从所述甘薯脱毒试管苗的生育期第30～40d开始放蜂，所述放蜂量为2.0×104～2.2×104头/亩。本专利技术提供了一种甘薯苗繁育方法，直接利用试管苗进行移栽，种薯苗繁育周期短、质量容易控制，同时简化了操作过程，还缩短了缓苗时间，移栽10天后就长出新叶、新根，20天后就旺盛生长，成活率达到98％以上；扦插快繁时，当年薯苗的有效繁殖倍数可以达到600～800倍，可以满足甘薯苗的生产需求；获得的甘薯种薯苗，病毒携带率明显降低63～71％。具体实施方式本专利技术提供了一种甘薯苗繁育方法，包括以下步骤：1)将甘薯脱毒试管苗移栽到温室中培养1～7d，得快繁母株；2)待快繁母株长出第二片新叶时，摘除顶部，进行快繁培养40～50d，得快繁苗；3)将步骤2)得到的所述快繁苗裁剪成一级快繁苗，所述一级快繁苗为包括1片叶片的快繁母株茎段；4)将步骤3)得到的所述一级快繁苗进行扦插培养，得繁育后的甘薯苗。本专利技术在进行甘薯苗繁育时，首先将甘薯脱毒试管苗移栽到温室中培养1～7d，得快繁母株。本专利技术所述甘薯脱毒试管苗优选的带有原始培养基但不带培养瓶，本专利技术对所述甘薯脱毒试管苗的来源并没有特殊限定，优选的为经过常规技术手段获得并经过病毒检测的脱毒甘薯试管苗。本专利技术对所述原始培养基并没有特殊限定，可获得甘薯脱毒试管苗即可。本专利技术对甘薯脱毒试管苗的品种并没有特殊限定，本专利技术实施例中，所用的甘薯脱毒试管苗品种为济薯26、济薯25和济紫薯1号。本专利技术所述培养优选的包括移栽过程，所述移栽优选的为将所述甘薯脱毒试管苗移栽至温室中。本专利技术所述移栽的基质优选的包括沙壤土或壤土，所述基质中优选的包括农用链霉素，所述农用链霉素在基质中的质量百分比浓度优选为0.007～0.01％，更优选为0.008～0.0095％，最优选为0.009％。本专利技术在所述基质上覆盖地膜，所述地膜的颜色优选的为黑色，本专利技术对所述地膜的规格并没有特殊限定，利用本领域的常规地膜即可。本专利技术在所述移栽前优选的还包括浇水过程，所述浇水的时间优选的为移栽前3～5d。本专利技术所述移栽的株行距优选为(8～12)cm×(8～12)cm，更优选为(9～11)cm×(9～11)cm，最优选为10cm×10cm。本专利技术在移栽完成后，优选的还包括一次浇水，所述水中优选包括甲基托布津，所述甲基托布津的剂型优选的包括甲基托布津可湿性粉剂，所述甲基托布津可湿性粉剂优选为的70％质量浓度的可湿性粉剂。本专利技术对所述浇水的量并没有特殊限定，优选的使土壤含水量为70～80％。本专利技术在移栽完成后进行培养，所述培养的温度优选为23～25℃，更优选为24℃。本专利技术所述培养的光照度优选为2000～3000lux，更优选为2100～2800lux，最优选为2200lux。本专利技术所述培养的空气湿度优选为85～95％，更优选为87～94％，最优选为93％。本专利技术中，选用的农用链霉素和甲基托布津可以有效防治由培养基引起的细菌污染。本专利技术将试管苗移栽到土壤中，省略了驯化步骤，简化了操作过程，而且还缩短了缓苗时间，移栽10天后就长出新叶、新根，20天后就旺盛生长，成活率达到98％以上。得快繁母株后，本专利技术待快繁母株长出第二片新叶时，摘除顶部，进行快繁培养40～50d，得快繁苗。本专利技术摘除顶部可以促进扩杈和分枝。本专利技术所述快繁培养的温度优选为25～32℃，更优选为26～32℃，最优选为29～30℃。本专利技术所述快繁培养的光照强度优选为4000～6000lux，更优选为4200～5800lux，最优选为5200～5500lux。本专利技术所述快繁苗的长度优选为25～30cm。得快繁苗后，本专利技术将所述快繁苗裁剪成一级快繁苗，所述一级快繁苗为包括1片叶片的快繁苗茎段。本专利技术对所述裁剪的方法并没有特殊限定，利用本领域的常规裁剪方法即可，同时对裁剪得到的一级快繁苗也没有特殊限定，茎段上包括1片叶片即可。得一级快繁苗后，本专利技术将所述一级快繁苗进行扦插培养，得繁育后的甘薯苗。本专利技术所述扦插的方式优选的为一垄双行扦插，所述垄的宽度优选为25～35cm，更优选为28～32cm，最优选为30cm。本专利技术所述扦插的密度优选的为2～3.5万株/亩，更优选为2.2～3.2万株/亩，最优选为3万株/亩。本专利技术所述扦插的培养条件随着扦插时间的变化而变化，在扦插后0～2d，温度优选为25～30℃，更优选为26～28℃，最优选为27℃；光照度优选为2000～3000lux，更优选为2100～2800lux，最优选为2300lux；扦插2d后，温度优选为为23～25℃，更优选为24～25℃，光照度优选为2000～3000lux，更优选为2200～2800lux，最优选为2700lux。本专利技术所述扦插培养的时间优选为14～20d。在本专利技术中，优选从所述甘薯脱毒试管苗的生育期第30～40d开始放蜂，所述放蜂量为2.0×104～2.2×104头/亩。本专利技术所述放蜂优选的为悬挂蜂卡，所述悬挂蜂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种甘薯苗繁育方法，包括以下步骤：1)将甘薯脱毒试管苗移栽到温室中培养1～7d，得快繁母株；2)待母株苗长出第二片新叶时，摘除顶部，进行快繁培养40～50d，得快繁苗；3)将步骤2)得到的所述快繁苗裁剪成一级快繁苗，所述一级快繁苗为包括1片叶子的快繁苗茎段；4)将步骤3)得到的所述一级快繁苗进行扦插培养，得繁育后的甘薯苗。

【技术特征摘要】
1.一种甘薯苗繁育方法，包括以下步骤：1)将甘薯脱毒试管苗移栽到温室中培养1～7d，得快繁母株；2)待母株苗长出第二片新叶时，摘除顶部，进行快繁培养40～50d，得快繁苗；3)将步骤2)得到的所述快繁苗裁剪成一级快繁苗，所述一级快繁苗为包括1片叶子的快繁苗茎段；4)将步骤3)得到的所述一级快繁苗进行扦插培养，得繁育后的甘薯苗。2.根据权利要求1所述的甘薯苗繁育方法，其特征在于，步骤1)所述甘薯脱毒试管苗带有原始培养基但不带培养瓶。3.根据权利要求1所述的甘薯苗繁育方法，其特征在于，步骤1)所述培养的温度为23～25℃，光照度为2000～3000lux，土壤含水量为70～80％。4.根据权利要求1所述的甘薯苗繁育方法，其特征在于，步骤1)所述移栽前在基质上覆盖黑地膜。5.根据权利要求1所述的甘薯苗繁育方法，其特征在于，步骤1)所述移...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯夫云，王庆美，李爱贤，董顺旭，秦桢，解备涛，段文学，张海燕，张立明，
申请(专利权)人：山东省农业科学院作物研究所，
类型：发明
国别省市：山东,37