蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法技术

本发明专利技术实施例提供的一种蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法，当高频电场发生装置发出的高能粒子轰击半导体晶圆时，半导体晶圆表面的蚀刻胶受到高能粒子的攻击会发生飞溅。由于电场的作用，飞溅物主要堆积在第三内壁以及所述第四内壁上。又由于第三内壁以及所述第四内壁上设置有多个齿状突起，可以增加腔室壁内壁的粗糙度，提供更加的抓持力，提高了蚀刻胶与第三内壁以及所述第四内壁的结合强度，从而以提升腔室壁表面与溅射蚀刻胶间的粘附结合力，使之不易脱落，避免其轻易掉落影响产品质量，保证生产安全和产品质量，同时也避免较高频次更换部件带来的生产效率降低的问题。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法
本专利技术涉及半导体加工领域，具体而言，涉及一种蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法。
技术介绍
在半导体芯片生产的蚀刻腔室中，由于高能粒子轰击晶圆片表面会造成大面积的蚀刻胶材料飞溅，溅出的蚀刻胶会逐渐粘附到机台内腔的四周，且逐渐累积。当材料积累到一定程度时，重力超出与腔体内壁件间的附着力，最终掉落到生产中的晶圆上造成损伤。传统的解决方法中，若是保证产品安全，则需要经常性停产，对整个腔室部件拆除清洁，影响生产效率。总体上来讲，保证了芯片正常生产就会增加更多的额外费用，也不利于大规模连续生产。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法，其能够在保证生产效率的基础上，减小生产中对晶圆上造成损伤，也减小清洗频率。本专利技术的实施例是这样实现的：第一方面，本专利技术提供一种蚀刻腔室，其包括：围成腔室的腔室壁、设置在所述腔室内的带磁平台；所述带磁平台用于放置待加工晶圆，所述腔室壁的内壁上等间距地设置有多个齿状突起。在本专利技术较佳的实施例中，上述腔室壁包括相对设置的第一内壁、第二内壁、以及相对设置的第三内壁以及第四内壁，所述设置在所述第一内壁上，所述带磁平台设置在所述第二内壁上，所述多个齿状突起设置在所述第三内壁以及所述第四内壁上。在本专利技术较佳的实施例中，上述带磁平台包括第一侧壁以及第二侧壁，所述第一侧壁与所述第三内壁相对设置，所述第二侧壁与所述第四内壁相对设置，所述第一侧壁以及所述第二侧壁上等间距地设置有多个齿状突起。在本专利技术较佳的实施例中，上述第一侧壁上设置有朝向所述第三内壁的凸起，所述第二侧壁上设置有朝向所述第四内壁的凸起，每个所述凸起的外表面上也等间距地设置有多个齿状突起。在本专利技术较佳的实施例中，以设置在所述第一侧壁上的凸起为界线，所述第三内壁被划分为靠近所述第一内壁的第一段以及远离所述第一内壁的第二段，以设置在所述第二侧壁上的凸起为界线，所述第四内壁被划分为靠近所述第一内壁的第一段以及远离所述第一内壁的第二段，设置在所述第三内壁以及所述第四内壁上的所述多个齿状突起均设置在所述第一段内。在本专利技术较佳的实施例中，所述第一侧壁被所述凸起划分为靠近所述第一内壁的第三段以及远离所述第一内壁的第四段，所述第二侧壁被所述凸起划分为靠近所述第一内壁的第三段以及远离所述第一内壁的第四段，所述第三段上等间距地设置有多个齿状突起。在本专利技术较佳的实施例中，所有齿状突起的形状与规格一致。在本专利技术较佳的实施例中，所述齿状突起的深度为0.5mm。在本专利技术较佳的实施例中，所述腔室壁上还开设有窗口以及与所述窗口活动连接的窗口挡片，所述窗口挡片朝向所述蚀刻腔室内的一面设置有所述齿状突起。第二方面，本专利技术实施例提供一种蚀刻腔室的加工方法，所述方法应用于加工第一方面中任一所述的蚀刻腔室，所述方法包括：获取加工程序以及夹具；基于所述加工程序以及所述夹具，对蚀刻腔室进行加工，使得所述蚀刻腔室的内壁上等间距地设置有多个齿状凸起；对所述内壁进行阳极氧化处理。本专利技术实施例的有益效果是：本专利技术实施例提供了一种蚀刻腔室以及蚀刻腔室加工方法，当高频电场发生装置发出的高能粒子轰击半导体晶圆时，半导体晶圆表面的蚀刻胶受到高能粒子的攻击会发生飞溅。由于电场的作用，飞溅物主要堆积在第三内壁以及所述第四内壁上。又由于第三内壁以及所述第四内壁上设置有多个齿状突起，可以增加腔室壁内壁的粗糙度，提供更加的抓持力，提高了蚀刻胶与第三内壁以及所述第四内壁的结合强度，从而以提升腔室壁表面与溅射蚀刻胶间的粘附结合力，使之不易脱落，避免其轻易掉落影响产品质量，保证生产安全和产品质量，同时也避免较高频次更换部件带来的生产效率降低的问题。本专利技术的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术实施例而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1是本专利技术第一实施例提供的一种蚀刻腔室的结构示意图；图2是本专利技术第一实施例提供的另一种蚀刻腔室的结构示意图；图3是本专利技术第一实施例提供的另一种蚀刻腔室的结构示意图；图4是本专利技术第一实施例提供的另一种蚀刻腔室的结构示意图；图5是本专利技术第一实施例提供的另一种蚀刻腔室的结构示意图；图6是本专利技术第二实施例提供的一种蚀刻腔室的一种蚀刻腔室加工方法的流程图；图7是本专利技术第二实施例提供的一种蚀刻腔室的另一种蚀刻腔室加工方法的流程图。图标：100－蚀刻腔室；1－第一段；2－第二段；3－第三段；4－第四段；100－蚀刻腔室；110－腔室壁；111－第一内壁；112－第二内壁；113－第三内壁；114－第四内壁；120－带磁平台；121－第一侧壁；122－第二侧壁；123－凸起；140－齿状突起。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。在本专利技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。第一实施例请参照图1，本实施例提供一种蚀刻腔室100，其包括围成腔室的腔室壁110、设置在所述腔室内的带磁平台120。其中，所述腔室壁110呈倒扣碗状，所述带磁平台12本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻腔室，其特征在于，包括：围成腔室的腔室壁、设置在所述腔室内的带磁平台；所述带磁平台用于放置待加工晶圆，所述腔室壁的内壁上等间距地设置有多个齿状突起。

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻腔室，其特征在于，包括：围成腔室的腔室壁、设置在所述腔室内的带磁平台；所述带磁平台用于放置待加工晶圆，所述腔室壁的内壁上等间距地设置有多个齿状突起。2.根据权利要求1所述的蚀刻腔室，其特征在于，所述腔室壁包括相对设置的第一内壁、第二内壁、以及相对设置的第三内壁以及第四内壁，所述带磁平台设置在所述第二内壁上，所述多个齿状突起设置在所述第三内壁以及所述第四内壁上。3.根据权利要求2所述的蚀刻腔室，其特征在于，所述带磁平台包括第一侧壁以及第二侧壁，所述第一侧壁与所述第三内壁相对设置，所述第二侧壁与所述第四内壁相对设置，所述第一侧壁以及所述第二侧壁上等间距地设置有多个齿状突起。4.根据权利要求3所述的蚀刻腔室，其特征在于，所述第一侧壁上设置有朝向所述第三内壁的凸起，所述第二侧壁上设置有朝向所述第四内壁的凸起，每个所述凸起的外表面上也等间距地设置有多个齿状突起。5.根据权利要求4所述的蚀刻腔室，其特征在于，以设置在所述第一侧壁上的凸起为界线，所述第三内壁被划分为靠近所述第一内壁的第一段以及远离所述第一内壁的第二段，以设置在所述第二侧壁上的凸起为界线，所述第四内壁被划...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，黄艾东，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33