菲并喹唑啉核心化合物制造技术

提供一种组合物，其包括一种或多种具有结构(I)的菲并喹唑啉核心化合物

Phenazoquinazoline core compounds

Provided is a composition comprising one or more phenazoquinazoline core compounds having a structure (I).

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】菲并喹唑啉核心化合物多种光电装置是多层组合物。举例来说，有机发光二极管(OLED)通常含有多个层，所述多个层中包含发射层和电子传输层(ETL)。期望ETL中使用的化合物具有以下特征中的一种或多种：具有相对高的玻璃化转变温度的非结晶结构；和/或与发射层中材料的最低未占用分子轨道域(LUMO)匹配或近似匹配的LUMO。为了匹配常见的有用发射层，期望ETL中的化合物具有-1.9eV到-1.5eV的LUMO。WO2007/004799描述了一种在电子装置的一层中使用的材料，其中所述材料具有结构期望提供一种组合物，其具有上述一种或多种特征中的改进。据设想，如果这种组合物含有适当的掺杂材料，那么其也可以适用于光电装置的其它层，例如空穴传输层。以下是本专利技术的
技术实现思路
。本专利技术的第一方面是一种组合物，其包括一种或多种具有结构(I)的菲并喹唑啉核心化合物其中R1和R2中的每一个独立地是经取代或未经取代的苯基。本专利技术的第二方面是一种有机发光二极管，其包括发射层和电子传输层，其中所述电子传输层包括所述第一方面的组合物。以下是附图简要说明。图1展示使用本专利技术组合物制造的OLED的一个实施例。以下是本专利技术的具体实施方式。如本文所用，除非上下文另外明确指示，否则以下术语具有指定定义。如本文所描述，术语“烷氧基”是指其中至少一个氢原子被氧原子O取代的烷基。如本文所描述，术语“烷基”是指衍生自烷烃通过从其中除去一个氢原子形成的有机基团。烷基可以是直链、分支链、环状或其组合。如本文所用，术语“经取代的烷基”是指其中至少一个氢原子被包括至少一个杂原子的取代基取代的烷基。杂原子包含但不限于O、N、P和S。取代基包含但不限于卤化物、OR'、NR'2、PR'2、P(＝O)R'2、SiR'3；其中每个R'独立地是C1-C20烃基。“阳极”将空穴注入位于发射层侧面上的层中，如空穴注入层、空穴传输层或发射层。阳极安置于衬底上。阳极典型地由金属、金属氧化物、金属卤化物、导电聚合物以及其组合制得。如本文所描述，术语“芳基”是指衍生自芳香族烃通过从其中除去一个氢原子形成的有机基。芳基可以是单环和/或稠环系统，其中每个环适当地含有5到7、优选5或6个原子。还包含其中两个或更多个芳基通过单键组合的结构。具体实例包含但不限于苯基、甲苯基、萘基、联苯基、蒽基、茚基、芴基、苯并芴基、菲基、联亚三苯基、芘基、苝基、屈基、稠四苯基、荧蒽基等等。萘基可以是1-萘基或2-萘基，蒽基可以是1-蒽基、2-蒽基或9-蒽基，并且芴基可以是1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基和9-芴基中的任一种。如本文所用，术语“经取代的芳基”是指其中至少一个氢原子经包括至少一个杂原子和其任何组合的取代基取代的芳基。杂原子包含但不限于O、N、P和S。取代基包含但不限于卤化物、OR'、NR'2、PR'2、P(＝O)R'2、SiR'3；其中每个R'独立地是C1-C20烃基。如本文所描述，术语“芳氧基”是指其中至少一个氢原子经氧原子O置换的芳基。如本文所描述的术语“胺”是指具有一个或多个胺氮原子的化合物。胺氮原子是氮原子，其为结构为R11NH2、R11R12NH或R11R12R13N的一部分，其中R11、R12和R13中的每一个是经取代或未经取代的烷基或芳基。R11、R12和R13可以是独立的基团，或R11、R12和R13中的任意两个或更多个可以彼此连接以形成一个或多个芳香族环或一个或多个脂肪族环或其组合。胺可以具有恰好一个胺氮原子或可以具有两个或更多个胺氮原子。具有一个或多个芳环的胺是芳香族胺。“阴极”将电子注入位于发射层侧面上的层(即，电子注入层、电子传输层或发射层)中。阴极典型地由金属、金属氧化物、金属卤化物、导电聚合物以及其组合制得。“掺杂剂”和类似术语是指经历来自激发态的辐射发射的材料。可以例如通过在电致发光装置中施加电流或通过从另一分子的激发态的能量转移来产生激发态。“电子注入层”或“EIL”和类似术语是用于将从阴极注入的电子有效注入电子传输层中的层。“电子传输层”或“ETL”和类似术语是安置于发射层与电子注入层之间用于提高OLED的发光效率的层。当放置在电场中时，电子传输层朝向发射层传输从阴极注入的电子。ETL的材料或组合物典型地具有高电子迁移率以有效传输注入的电子。“电子伏特”或“eV”是通过移动跨越一伏特的电势差的单个电子的电荷而获得(或损失)的能量的量。“发射层”和类似术语是以下层：位于在电极(阳极与阴极)之间，并且当放置在电场中时通过从阳极注入经过空穴注入层的空穴与从阴极注入经过电子传输层的电子的重组来激发，发射层是主发光源。发射层由主体和掺杂剂组成。主体材料可以是双极的或单极的，并且可以单独使用或通过组合两种或更多种主体材料来使用。主体材料的光电特性可以与所使用的掺杂剂类型(磷光或荧光)不同。对于荧光掺杂剂，辅助主体材料应在掺杂剂的吸收与主体的发射之间具有良好的光谱重叠，以诱导到掺杂剂的良好福斯特(Forster)转移。对于磷光掺杂剂，辅助主体材料应具有高三重态能量以约束掺杂剂的三重态。如本文所用的“玻璃化转变温度”(Tg)是非晶形固体从玻璃态到橡胶态的转变的温度。在10℃/min的扫描速率下测量，并且使用“弯曲中点(mid-pointofinflection)”方法确定玻璃化转变温度。如本文所描述，术语“杂烷基”是指其中至少一个碳原子或CH基团或CH2被杂原子或含有至少一个杂原子的化学基团取代的烷基。杂原子包含但不限于O、N、P和S。杂烷基可以是直链、分支链、环状或其组合。如本文所用，术语“经取代的杂烷基”是指其中至少一个氢原子经包括至少一个杂原子的取代基取代的杂烷基。杂原子包含但不限于O、N、P和S。取代基包含但不限于卤化物、OR″、NR″2、PR″2、P(＝O)R″2、SiR″3；其中每个R″独立地是C1-C20烃基。如本文所描述，术语“杂芳基”是指其中芳香族环的至少一个碳原子或CH基团或CH2经杂原子或含有至少一个杂原子的化学基团置换的芳基。杂原子包含但不限于O、N、P和S。杂芳基可以是5元或6元单环杂芳基或与一个或多个苯环稠合的多环杂芳基并且可以是部分饱和的。还包含具有通过单键键合的一个或多个杂芳基的结构。杂芳基可以包含二价芳基，其中杂原子经氧化或经季铵化以形成N-氧化物、季盐等等。具体实例包含但不限于单环杂芳基，如呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、异噻唑基、异恶唑基、恶唑基、恶二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋咱基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基；多环杂芳基，如苯并呋喃基、芴并[4,3-b]苯并呋喃基、苯并噻吩基、芴并[4,3-b]苯并噻吩基、异苯并呋喃基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并异恶唑基、苯并恶唑基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、咔唑基、菲啶基和苯并间二氧杂环戊烯基；以及对应的N-氧化物(例如吡啶基N-氧化物、喹啉基N-氧化物)和其季盐。如本文所用，术语“经取代的杂芳基”是指至少一个氢原子被由以下构成的取代基取代的杂芳基：未经取代的烷基、经取代的烷基、至少一个杂原子以及其任何组合。杂原子包含但不限于O、N、P和S。取代基包含但不限于卤化物、OR'本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合物，其包括具有结构(I)的一种或多种菲并喹唑啉核心化合物

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.18 US 62/3102021.一种组合物，其包括具有结构(I)的一种或多种菲并喹唑啉核心化合物其中R1和R2中的每一个独立地是经取代或未经取代的苯基。2.根据权利要求1所述的组合物，其中R1为3.根据权利要求1所述的组合物，其中R2...

【专利技术属性】
技术研发人员：高庆武，M·E·昂德瑞，S·穆克霍培德海耶，T·J·加拉格尔，罗弘烨，
申请(专利权)人：陶氏环球技术有限责任公司，罗门哈斯电子材料韩国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US