一种晶圆上接触孔的制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆上接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一衬底，并于衬底上形成绝缘层，绝缘层的上表面定义有中心区和围绕中心区的边缘区；步骤S2，于中心区内的绝缘层的上表面形成具有刻蚀图案的第一光阻层；步骤S3，于边缘区内的绝缘层的上表面制备第二光阻层，以覆盖边缘区内暴露出的绝缘层的上表面；步骤S4，对刻蚀图案暴露出的绝缘层进行刻蚀，以在绝缘层中形成连接衬底的至少一个接触孔沟槽；能够避免晶边处的绝缘层被误刻蚀，从而避免产生尖端放电缺陷，保证了产品良率。

A Method for Preparing Contact Holes on Wafers

The invention relates to the field of semiconductor technology, in particular to a preparation method of contact holes on a wafer, including: providing a substrate and forming an insulating layer on the substrate; the upper surface of the insulating layer is defined as a central area and an edge area around the central area; and the upper surface of the insulating layer in the central area is formed with a central area. The first photoresistive layer of the etching pattern is prepared on the upper surface of the insulating layer in the edge region to cover the upper surface of the insulating layer exposed in the edge region. The insulating layer exposed by the etching pattern is etched to form at least one contact hole groove connecting the substrate in the insulating layer. It can avoid the misetching of the insulating layer at the crystal edge, thus avoiding the generation of the tip discharge defects and ensuring the product yield.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆上接触孔的制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆上接触孔的制备方法。
技术介绍
随着半导体技术的发展，晶圆产品的良率越来越受到业界的关注，高良率的产品能够极大地保证用户的体验。以三维芯片工艺为例，在制备芯片的金属互联层的过程中，一般需要采用光刻会绝缘层进行刻蚀，但是，晶边处往往会存在光阻层遮蔽不到的地方，这些被忽略的地方很容易造成绝缘层表面被部分刻蚀，从而容易产生尖端放电导致晶圆表面被击穿的产品缺陷。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出了一种晶圆上接触孔的制备方法，其中，包括：步骤S1，提供一衬底，并于所述衬底上形成绝缘层，所述绝缘层的上表面定义有中心区和围绕所述中心区的边缘区；步骤S2，于所述中心区内的所述绝缘层的上表面形成具有刻蚀图案的第一光阻层；步骤S3，于所述边缘区内的所述绝缘层的上表面制备第二光阻层，以覆盖所述边缘区内暴露出的所述绝缘层的上表面；步骤S4，对所述刻蚀图案暴露出的所述绝缘层进行刻蚀，以在所述绝缘层中形成连接所述衬底的至少一个接触孔沟槽。上述的制备方法，其中，还包括：步骤S5，采用金属填充每个所述接触孔沟槽，形成接触孔。上述的制备方法，其中，还包括：步骤S6，去除所述第一光阻层和所述第二光阻层。上述的制备方法，其中，所述步骤S1中，所述绝缘层为复合绝缘层；所述复合绝缘层的形成方法具体为：从所述衬底的上表面开始依次堆叠第一氮化层、第一氧化层、第二氮化层和第二氧化层。上述的制备方法，其中，所述第一氮化层和所述第二氮化层均为氮化硅层。上述的制备方法，其中，所述第一氧化层和所述第二氧化层均为氧化硅层。上述的制备方法，其中，所述衬底为硅衬底。上述的制备方法，其中，所述步骤S4中，对所述刻蚀图案暴露出的所述绝缘层进行的刻蚀为欠刻蚀，刻蚀停止于所述第一氮化层中。上述的制备方法，其中，所述步骤S4中，采用等离子刻蚀工艺对所述绝缘层进行刻蚀。有益效果：本专利技术提出的一种晶圆上接触孔的制备方法，能够避免晶边处的绝缘层被误刻蚀，从而避免产生尖端放电缺陷，保证了产品良率。附图说明图1为本专利技术一实施例中晶圆上接触孔的制备方法的步骤流程图；图2～3为本专利技术一实施例中晶圆上接触孔的制备方法中各步骤形成的结构原理图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行进一步说明。在一个较佳的实施例中，如图1所示，提出了一种晶圆上接触孔的制备方法，各步骤形成的结构可以如图2～3所示，其中，可以包括：步骤S1，提供一衬底10，并于衬底10上形成绝缘层20，绝缘层20的上表面定义有中心区AA和围绕中心区AA的边缘区EG；步骤S2，于中心区内的绝缘层EG的上表面形成具有刻蚀图案的第一光阻层PR1；步骤S3，于边缘区EG内的绝缘层20的上表面制备第二光阻层PR2，以覆盖边缘区EG内暴露出的绝缘层20的上表面；步骤S4，对刻蚀图案暴露出的绝缘层20进行刻蚀，以在绝缘层20中形成连接衬底10的至少一个接触孔沟槽。上述技术方案中，晶圆上接触孔的制备方法可以应用于三维芯片的制备工艺中。在一个较佳的实施例中，还可以包括：步骤S5，采用金属填充每个接触孔沟槽，形成接触孔。上述实施例中，优选地，还可以包括：步骤S6，去除第一光阻层PR1和第二光阻层PR2。上述技术方案中，可以采用湿法刻蚀等方法去除第一光阻层PR1和第二光阻层PR2。在一个较佳的实施例中，步骤S1中，绝缘层20为复合绝缘层；复合绝缘层的形成方法具体为：从衬底10的上表面开始依次堆叠第一氮化层、第一氧化层、第二氮化层和第二氧化层。上述实施例中，优选地，第一氮化层和第二氮化层均为氮化硅层。上述实施例中，优选地，第一氧化层和第二氧化层均为氧化硅层。在一个较佳的实施例中，衬底10为硅衬底。上述实施例中，优选地，步骤S4中，对刻蚀图案暴露出的绝缘层20进行的刻蚀可以为欠刻蚀，刻蚀停止于第一氮化层中，即刻蚀后第一氧化层具有较薄厚度的剩余。在一个较佳的实施例中，步骤S4中，可以采用等离子刻蚀工艺对绝缘层20进行刻蚀。综上所述，本专利技术提出的一种晶圆上接触孔的制备方法，包括：步骤S1，提供一衬底，并于衬底上形成绝缘层，绝缘层的上表面定义有中心区和围绕中心区的边缘区；步骤S2，于中心区内的绝缘层的上表面形成具有刻蚀图案的第一光阻层；步骤S3，于边缘区内的绝缘层的上表面制备第二光阻层，以覆盖边缘区内暴露出的绝缘层的上表面；步骤S4，对刻蚀图案暴露出的绝缘层进行刻蚀，以在绝缘层中形成连接衬底的至少一个接触孔沟槽；能够避免晶边处的绝缘层被误刻蚀，从而避免产生尖端放电缺陷，保证了产品良率。通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本专利技术精神，还可作其他的转换。尽管上述专利技术提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本专利技术的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本专利技术的意图和范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆上接触孔的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，并于所述衬底上形成绝缘层，所述绝缘层的上表面定义有中心区和围绕所述中心区的边缘区；步骤S2，于所述中心区内的所述绝缘层的上表面形成具有刻蚀图案的第一光阻层；步骤S3，于所述边缘区内的所述绝缘层的上表面制备第二光阻层，以覆盖所述边缘区内暴露出的所述绝缘层的上表面；步骤S4，对所述刻蚀图案暴露出的所述绝缘层进行刻蚀，以在所述绝缘层中形成连接所述衬底的至少一个接触孔沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆上接触孔的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，提供一衬底，并于所述衬底上形成绝缘层，所述绝缘层的上表面定义有中心区和围绕所述中心区的边缘区；步骤S2，于所述中心区内的所述绝缘层的上表面形成具有刻蚀图案的第一光阻层；步骤S3，于所述边缘区内的所述绝缘层的上表面制备第二光阻层，以覆盖所述边缘区内暴露出的所述绝缘层的上表面；步骤S4，对所述刻蚀图案暴露出的所述绝缘层进行刻蚀，以在所述绝缘层中形成连接所述衬底的至少一个接触孔沟槽。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括：步骤S5，采用金属填充每个所述接触孔沟槽，形成接触孔。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，还包括：步骤S6，去除所述第一光阻层和所述第二光阻层。4.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋保英，谢岩，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42