A method of plasma neutron generation constrained by high frequency alternating current is presented. The dilute deuted-tritium gas is placed in a sealed chamber and applied with high frequency current (above MHz). High frequency alternating current and its high frequency electric field can ionize the gas. At the same time, plasma is constrained by the skin effect of high frequency alternating current, ionizing gas ions at high frequency. Under the action of electric field, the relative circular motion is made to restrain it and produce neutrons.
【技术实现步骤摘要】
一种高频交流电场约束等离子体产生中子的方法
本专利技术涉及一种约束等离子体产生中子的方法,特别涉及一种高频交流电场约束等离子体产生中子的方法。
技术介绍
近年来中子源在石油勘探、地质调查等工业领域有着广泛应用。当前使用电场约束等离子体的方法主要有静电约束和箍缩约束。以中子管为代表的静电约束是使用高电压加速等离子体撞击靶材料。箍缩约束是利用大电流下的等离子体产生的洛仑兹力向轴心运动的自约束效应,因需要大电流电源装置的影响所以限制了其在实际工作中应用。本专利技术使用高频交流电约束等离子体产生中子。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够降低对高电压或强电流要求的高频交流电场约束等离子体产生中子的方法。为达到上述目的,本专利技术采用的技术方案是:1)将金属棒作为电极置于真空腔,对真空腔进行抽真空使真空度<10-4Pa,向真空腔注入氘氚混合气体控制充气后真空度为10-2~10-3Pa;或使用吸氢金属材料吸收氘氚混合气体,将其制成金属圆棒作为放电电极置于真空腔中,对真空腔进行抽真空使真空度<10-4Pa;或对真空腔进行抽真空(使真空度<10-4Pa)后注入氘氚混合气体控制充气后真空度为10-2~10-3Pa。2)向真空腔体内施加1~10MHz的高频交流电流进行放电产生中子。所述的氘氚混合气体中氘氚的体积比为1:1。所述的高频交流电流的电流与电压成反比。所述的高频交流电的电流小于1A时电压≥1kV,电流大于1A时电压≤1kV。本专利技术使用氘氚混合气体聚变反应产生高能中子,利用高频交流电的趋肤效应使电流能量集中于气体等离子体中,达到约束和加热等离子体产生中子的目的 ...
【技术保护点】
1.一种高频交流电场约束等离子体产生中子的方法,其特征在于:1)将金属棒作为电极置于真空腔,对真空腔进行抽真空使真空度<10‑4Pa,向真空腔注入氘氚混合气体控制充气后真空度为10‑2~10‑3Pa;或使用吸氢金属材料吸收氘氚混合气体,将其制成金属圆棒作为放电电极置于真空腔中,对真空腔进行抽真空使真空度<10‑4Pa;或对真空腔进行抽真空(使真空度<10‑4Pa)后注入氘氚混合气体控制充气后真空度为10‑2~10‑3Pa。2)向真空腔体内施加≥1MHz的高频交流电流进行放电产生中子。
【技术特征摘要】
1.一种高频交流电场约束等离子体产生中子的方法,其特征在于:1)将金属棒作为电极置于真空腔,对真空腔进行抽真空使真空度<10-4Pa,向真空腔注入氘氚混合气体控制充气后真空度为10-2~10-3Pa;或使用吸氢金属材料吸收氘氚混合气体,将其制成金属圆棒作为放电电极置于真空腔中,对真空腔进行抽真空使真空度<10-4Pa;或对真空腔进行抽真空(使真空度<10-4Pa)后注入氘氚混合气体控制充气后真空度为10-2~10-3Pa。2)向真空...
【专利技术属性】
技术研发人员:鲍铭,李鸿达,陆杰,朱念,王智健,戴辰,蒋成量,
申请(专利权)人:鲍铭,李鸿达,陆杰,朱念,王智健,戴辰,蒋成量,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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