一种供电电路制造技术

本申请提供了一种供电电路，本发明专利技术中所述电源模块与每个所述谐振环连接，多个所述谐振环协同工作。多个谐振环协同工作，发射功率是多个谐振环发射的功率之和，相比于现有技术采用一个谐振环的工作方式，能够提高谐振环的发射功率，进而能够提高供电电路的发射系统的能量输出。

A power supply circuit

The application provides a power supply circuit. The power supply module in the invention is connected with each of the resonant rings, and a plurality of the resonant rings work together. Multiple resonant rings work together, and the transmitting power is the sum of the transmitting power of multiple resonant rings. Compared with the existing technology, using a resonant ring can improve the transmitting power of the resonant ring, and then can improve the energy output of the transmitting system of the power supply circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种供电电路
本专利技术涉及无线供电领域，更具体的说，涉及一种供电电路。
技术介绍
在无线供电领域，供电电路的发射系统一般包括谐振环和电源，电源为谐振环提供能量。供电电路的发射系统的能量输出大小不仅与电源的功率有关，还与谐振环的发射功率有关，即谐振环的发射功率会影响整个发射系统的能量输出。但是受到谐振环的材料的限制，目前无法绕制出具有较大发射功率的谐振环，因此，如何提高谐振环的发射功率来提高整个发射系统的能量输出成为一个需要解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种供电电路，以解决目前无法通过提高谐振环的发射功率来提高整个发射系统的能量输出的问题为解决上述技术问题，本专利技术采用了如下技术方案：一种供电电路，包括电源模块和谐振模块；其中，所述谐振模块包含多个谐振环；其中，每个所述谐振环的谐振电容的电容参数相同、且每个所述谐振环的谐振线圈的线圈参数相同；所述电源模块与每个所述谐振环连接；多个所述谐振环协同工作、且多个所述谐振环的工作频率相同。优选地，所述电源模块包括多个子电源模块；其中，每个所述子电源模块与一个所述谐振环连接，每个所述子电源模块连接的所述谐振环不同；多个所述子电源模块同步工作。优选地，所述子电源模块为绝缘栅双极型晶体管IGBT管，所述谐振环为串联谐振环；其中，每个所述IGBT管的集电极与所述IGBT管连接的所述串联谐振环的谐振电容连接有所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；每个所述IGBT管的发射极与所述IGBT管连接的所述串联谐振环的谐振电容未连接所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；多个所述IGBT管的门极输入的驱动信号为互补驱动信号。优选地，所述子电源模块为IGBT管，所述谐振环为并联谐振环；其中，所述IGBT管的集电极与所述IGBT管连接的所述并联谐振环的谐振电容的一端连接；所述IGBT管的发射极与所述IGBT管连接的所述并联谐振环的谐振电容的另一端连接；多个所述IGBT管的门极输入的驱动信号为互补驱动信号。优选地，所述子电源模块为金属-氧化层半导体场效晶体管MOSFET管，所述谐振环为串联谐振环；其中，每个所述MOSFET管的漏极与所述MOSFET管连接的所述串联谐振环的谐振电容连接有所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；每个所述MOSFET管的源极与所述MOSFET管连接的所述串联谐振环的谐振电容未连接所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；多个所述MOSFET管的栅极输入的驱动信号为互补驱动信号。优选地，所述子电源模块为MOSFET管，所述谐振环为并联谐振环；其中，所述MOSFET管的漏极与所述MOSFET管连接的所述并联谐振环的谐振电容的一端连接；所述MOSFET管的源极与所述MOSFET管连接的所述并联谐振环的谐振电容的另一端连接；多个所述MOSFET管的栅极输入的驱动信号为互补驱动信号。优选地，所述子电源模块为半桥驱动电路，所述谐振环为串联谐振环；其中，每个所述半桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的发射极和左桥臂的下部晶体管的集电极分别与所述串联谐振环的谐振电容未连接所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；每个所述半桥驱动电路的右桥臂的第一电容未接电源的一端和右桥臂的第二电容未接地的一端分别与所述串联谐振环的谐振线圈未连接所述串联谐振环的谐振电容的一端连接；每个所述半桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的第一驱动信号经过一个第一栅极电阻后输入到所述半桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的门极；每个所述半桥驱动电路的左桥臂的下部晶体管的第二驱动信号经过一个第二栅极电阻后输入到所述半桥驱动电路的左桥臂的下部晶体管的门极；所述第一驱动信号与所述第二驱动信号为互补信号。优选地，所述子电源模块为半桥驱动电路，所述谐振环为并联谐振环；其中，每个所述半桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的发射极和左桥臂的下部晶体管的集电极分别与所述串联谐振环的谐振电容一端连接；每个所述半桥驱动电路的右桥臂的第一电容未接电源的一端和右桥臂的第二电容未接地的一端分别与所述串联谐振环的谐振电容的另一端连接；每个所述半桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的第一驱动信号经过一个第一栅极电阻后输入到所述半桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的门极；每个所述半桥驱动电路的左桥臂的下部晶体管的第二驱动信号经过一个第二栅极电阻后输入到所述半桥驱动电路的左桥臂的下部晶体管的门极；所述第一驱动信号与所述第二驱动信号为互补信号。优选地，所述子电源模块为全桥驱动电路，所述谐振环为串联谐振环；其中，每个所述全桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的发射极和左桥臂的下部晶体管的集电极分别与所述串联谐振环的谐振电容未连接所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；每个所述全桥驱动电路的右桥臂的上部晶体管的发射极和右桥臂的下部晶体管的集电极分别与所述串联谐振环的谐振线圈未连接所述串联谐振环的谐振电容的一端连接；每个所述全桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的第一驱动信号经过一个第一栅极电阻后输入到所述全桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的门极；每个所述全桥驱动电路的右桥臂的下部晶体管的所述第一驱动信号经过一个第四栅极电阻后输入到所述全桥驱动电路的右桥臂的下部晶体管的门极；每个所述全桥驱动电路的左桥臂的下部晶体管的第二驱动信号经过一个第二栅极电阻后输入到所述全桥驱动电路的左桥臂的下部晶体管的门极；每个所述全桥驱动电路的右桥臂的上部晶体管的所述第二驱动信号经过一个第三栅极电阻后输入到所述全桥驱动电路的右桥臂的上部晶体管的门极；所述第一驱动信号与所述第二驱动信号为互补信号。优选地，所述子电源模块为全桥驱动电路，所述谐振环为并联谐振环；其中，每个所述全桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的发射极和左桥臂的下部晶体管的集电极分别与所述串联谐振环的谐振电容的一端连接；每个所述全桥驱动电路的右桥臂的上部晶体管的发射极和右桥臂的下部晶体管的集电极分别与所述串联谐振环的谐振电容的另一端连接；每个所述全桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的第一驱动信号经过一个第一栅极电阻后输入到所述全桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的门极；每个所述全桥驱动电路的右桥臂的下部晶体管的所述第一驱动信号经过一个第四栅极电阻后输入到所述全桥驱动电路的右桥臂的下部晶体管的门极；每个所述全桥驱动电路的左桥臂的下部晶体管的第二驱动信号经过一个第二栅极电阻后输入到所述全桥驱动电路的左桥臂的下部晶体管的门极；每个所述全桥驱动电路的右桥臂的上部晶体管的所述第二驱动信号经过一个第三栅极电阻后输入到所述全桥驱动电路的右桥臂的上部晶体管的门极；所述第一驱动信号与所述第二驱动信号为互补信号。优选地，所述电源模块为高频开关电源，所述谐振环为串联谐振环；其中，每个所述串联谐振环的谐振线圈未连接所述串联谐振环的谐振电容的一端与所述高频开关电源的一端连接，每个所述串联谐振环的谐振电容未连接所述串联谐振环的谐振线圈的一端与所述高频开关电源的另一端连接。相较于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供了一种供电电路，本专利技术中所述电源模块与每个所述谐振环连接，多个所述谐振环协同工作。多个谐振环协同工作，发射功率是多个谐振环发射的功率之和，相比于现有技术采用一个谐振环的工作方式，能够提高谐振环的发射功率，进而能够提高供电电路的发射系统的能量输出。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种供电电路，其特征在于，包括电源模块和谐振模块；其中，所述谐振模块包含多个谐振环；其中，每个所述谐振环的谐振电容的电容参数相同、且每个所述谐振环的谐振线圈的线圈参数相同；所述电源模块与每个所述谐振环连接；多个所述谐振环协同工作、且多个所述谐振环的工作频率相同。

【技术特征摘要】
1.一种供电电路，其特征在于，包括电源模块和谐振模块；其中，所述谐振模块包含多个谐振环；其中，每个所述谐振环的谐振电容的电容参数相同、且每个所述谐振环的谐振线圈的线圈参数相同；所述电源模块与每个所述谐振环连接；多个所述谐振环协同工作、且多个所述谐振环的工作频率相同。2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述电源模块包括多个子电源模块；其中，每个所述子电源模块与一个所述谐振环连接，每个所述子电源模块连接的所述谐振环不同；多个所述子电源模块同步工作。3.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述子电源模块为绝缘栅双极型晶体管IGBT管，所述谐振环为串联谐振环；其中，每个所述IGBT管的集电极与所述IGBT管连接的所述串联谐振环的谐振电容连接有所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；每个所述IGBT管的发射极与所述IGBT管连接的所述串联谐振环的谐振电容未连接所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；多个所述IGBT管的门极输入的驱动信号为互补驱动信号。4.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述子电源模块为IGBT管，所述谐振环为并联谐振环；其中，所述IGBT管的集电极与所述IGBT管连接的所述并联谐振环的谐振电容的一端连接；所述IGBT管的发射极与所述IGBT管连接的所述并联谐振环的谐振电容的另一端连接；多个所述IGBT管的门极输入的驱动信号为互补驱动信号。5.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述子电源模块为金属-氧化层半导体场效晶体管MOSFET管，所述谐振环为串联谐振环；其中，每个所述MOSFET管的漏极与所述MOSFET管连接的所述串联谐振环的谐振电容连接有所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；每个所述MOSFET管的源极与所述MOSFET管连接的所述串联谐振环的谐振电容未连接所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；多个所述MOSFET管的栅极输入的驱动信号为互补驱动信号。6.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述子电源模块为MOSFET管，所述谐振环为并联谐振环；其中，所述MOSFET管的漏极与所述MOSFET管连接的所述并联谐振环的谐振电容的一端连接；所述MOSFET管的源极与所述MOSFET管连接的所述并联谐振环的谐振电容的另一端连接；多个所述MOSFET管的栅极输入的驱动信号为互补驱动信号。7.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述子电源模块为半桥驱动电路，所述谐振环为串联谐振环；其中，每个所述半桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的发射极和左桥臂的下部晶体管的集电极分别与所述串联谐振环的谐振电容未连接所述串联谐振环的谐振线圈的一端连接；每个所述半桥驱动电路的右桥臂的第一电容未接电源的一端和右桥臂的第二电容未接地的一端分别与所述串联谐振环的谐振线圈未连接所述串联谐振环的谐振电容的一端连接；每个所述半桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的第一驱动信号经过一个第一栅极电阻后输入到所述半桥驱动电路的左桥臂的上部晶体管的门极；每个所述半桥驱动电路的左桥臂的下部晶体管的第二驱动信号经过一个第二栅极电阻后输入到所述半桥驱动电路的左桥臂的下部晶体管的门极；所述第一驱动信号与所述第二驱动信号为互补信号。8.根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述子电源模块为半桥驱动电...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱斯忠，徐宝华，朱文广，
申请(专利权)人：中惠创智无线供电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37