一种基于STM32多功能智能提醒器按键电路制造技术

本实用新型专利技术属于硬件电路设计领域，公开了一种基于STM32多功能智能提醒器按键电路，设置有KEYUP按键、KEY0按键、KEY1按键、KEY2按键、高电平、低电平；所述KEYUP按键一端连接STM32单片机管脚，一端连接高电平，所述KEY0按键、KEY1按键、KEY2按键均一端连接STM32单片机管脚另一端连接低电平。本实用新型专利技术利用单片机的控制功能，通过单片机的管脚连接按键电路实现单片机对多功能智能提醒器的时间的设定以及控制，同时利用按键实现对提醒事项、调设信息的选择。

【技术实现步骤摘要】
一种基于STM32多功能智能提醒器按键电路
本技术属于硬件电路设计领域，尤其是涉及一种基于STM32多功能智能提醒器按键电路。
技术介绍
目前，业内常用的现有技术是这样的：目前，对于提醒的终端比较多针对老人的吃药情况。提醒终端需要使用单片机，市面上最常见的单片机有8位，16位和32位，8位和16位单片机在价格上比32位便宜，但处理数据速度慢。如果处理大量数据的话，8位或者16位单片机容易卡死，这对于电子产品来说是致命的缺点。ARM基于32位单片机发展而来，它的优点在于体积小、功耗低、廉价、性能优异，并且内部集成了大量的寄存器。但是单片机由于自身条件的限制，无法单独实现提醒终端的诸多功能，需要增设显示功能、远程控制功能、报警功能、通信功能、以及播放功能而这些功能的使用需要设置控制按键，因此需要设计按键电路。因用于过流保护的普通保险丝使用简单、价格低廉、适用范围宽而一直被广泛应用。但是，普通保险丝其过流反应比较迟钝，不能作为灵敏保护装置，而且普通保险丝一旦发生熔断，不一定能及时被发现。如果能用一个电路来代替并监测保险丝工作状态，一旦直流电源发生过载过流时，它能通过状态指示帮助使用者或维修人员快速、直观地找到故障。因此，研究制作一种直流电源过流保险丝就显得尤为必要。综上所述，现有技术存在的问题是：单片机由于自身条件的限制，无法单独实现提醒终端的诸多功能，需要增设显示功能、远程控制功能、报警功能、通信功能、以及播放功能而这些功能的使用需要设置控制按键，因此需要设计按键电路。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本技术提供了一种基于STM32多功能智能提醒器按键电路。本技术是这样实现的，所述基于STM32多功能智能提醒器按键电路设置有KEYUP按键、KEY0按键、KEY1按键、KEY2按键、高电平、低电平；所述KEYUP按键一端连接STM32单片机管脚，一端连接高电平，所述KEY0按键、KEY1按键、KEY2按键均一端连接STM32单片机管脚另一端连接低电平。进一步，所述KEYUP按键为开始键。进一步，所述KEY0按键能够实现对时间控制以及提醒信息等事项的选择。进一步，所述KEY1按键、KEY2按键能够实现向上或向下选择。进一步，所述低电平为0V电压。进一步，STM32单片机的电源输入端依次连接单向晶闸管触发电路及其控制电路、过流识别电路。进一步，所述的单向晶闸管触发电路及其控制电路由单向晶闸管SCR、按键开关AN和降压电阻R3组成，单向晶闸管SCR的阳极接15～85V直流电源的正极VCC和按键开关AN的一端，按键开关AN的另一端通过降压电阻R3接单向晶闸管SCR的控制极，单向晶闸管SCR的阴极接过流识别电路。进一步，所述的过流识别电路由NPN型晶体管VT1、取样电阻R2组成，NPN型晶体管VT1的基极接单向晶闸管SCR的阴极和取样电阻R2的一端，NPN型晶体管VT1的发射极接取样电阻R2的另一端和直流电输出端的正极VCC1，NPN型晶体管VT1的集电极接直流电源供应器的正极VCC。进一步，所述KEYUP按键、STM32单片机、高电平、KEY0按键、KEY1按键、KEY2按键、低电平、单向晶闸管触发电路及其控制电路、过流识别电路均安装在基于STM32多功能智能提醒器按键电路的壳体内。本技术的优点及积极效果为：该电路利用单片机的控制功能，通过单片机的管脚连接按键电路实现单片机对多功能智能提醒器的时间的设定以及控制，同时利用按键实现对提醒事项、调设信息的选择。当按键开关AN接通的瞬间，单向晶闸管SCR导通，直流电路也导通。当负载工作电流增大到超过允许值时，取样电阻R2上的电压大于0.75V时，NPN型晶体管VT1导通，此时NPN型晶体管VT1的集电极和基极之间电压下降到低于单向晶闸管SCR导通的维持电压，单向晶闸管SCR被关断，同时切断直流电源供应器，直流电输出状态指示灯LED立即熄灭。电阻R3是降压电阻，用于提供单向晶闸管SCR导通的触发电压。本技术提供的单向晶闸管触发电路及其控制电路、过流识别电路具有过流快速断流、恢复速度快、直流电源电压范围宽等特点，可广泛应用于直流电路中作过流保护装置。附图说明图1是本技术提供的基于STM32多功能智能提醒器按键电路的结构示意图；图中：1、KEYUP按键；2、KEY0按键；3、KEY1按键；4、KEY2按键；5、高电平；6、低电平。图2是本技术提供的单向晶闸管触发电路及其控制电路、过流识别电路连接示意图。图3是本技术提供的基于STM32多功能智能提醒器按键电路总体示意图。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。下面结合附图对本技术的结构作详细的描述。如图1所示，本技术实施例提供的基于STM32多功能智能提醒器按键电路设置有KEYUP按键1、KEY0按键2、KEY1按键3、KEY2按键4、高电平5、低电平6；所述KEYUP按键1一端连接STM32单片机管脚，一端连接高电平5，所述KEY0按键2、KEY1按键3、KEY2按键4均一端连接STM32单片机管脚，另一端连接低电平6。作为本技术的优选实施例，所述KEYUP按键1为开始键。作为本技术的优选实施例，所述KEY0按键2能够实现对时间控制以及提醒信息等事项的选择。作为本技术的优选实施例，所述KEY1按键3、KEY2按键4能够实现向上或向下选择。作为本技术的优选实施例，所述低电平6为0V电压。本技术的工作原理及工作过程是：KEY-UP按键1为开始键，KEY0按键2、KEY1按键3、KEY2按键4分别为设置键和两个调节键。KEY-UP按键1较为特殊，采用高电平5表示按下的机制，与其它三个进行区分，主要因为执行功能有所不同。如图2和图3所示，STM32单片机的电源输入端依次连接单向晶闸管触发电路及其控制电路、过流识别电路。所述的单向晶闸管触发电路及其控制电路由单向晶闸管SCR、按键开关AN和降压电阻R3组成，单向晶闸管SCR的阳极接15～85V直流电源的正极VCC和按键开关AN的一端，按键开关AN的另一端通过降压电阻R3接单向晶闸管SCR的控制极，单向晶闸管SCR的阴极接过流识别电路。所述的过流识别电路由NPN型晶体管VT1、取样电阻R2组成，NPN型晶体管VT1的基极接单向晶闸管SCR的阴极和取样电阻R2的一端，NPN型晶体管VT1的发射极接取样电阻R2的另一端和直流电输出端的正极VCC1，NPN型晶体管VT1的集电极接直流电源供应器的正极VCC。所述KEYUP按键、STM32单片机、高电平、KEY0按键、KEY1按键、KEY2按键、低电平、单向晶闸管触发电路及其控制电路、过流识别电路均安装在基于STM32多功能智能提醒器按键电路的壳体内。元器件技术参数及选择：当直流电源电压≤100V时，NPN型晶体管VT1可选用3DD15；单向晶闸管SCR可选用技术参数为5A/200V任何型号；降压电阻R1的阻值应根据所用直流电源的电压高低确定，降压电阻R1的取值范围1KΩ～8.2KΩ，直流电源电压越高，降压电阻R1的取值越本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于STM32多功能智能提醒器按键电路，其特征在于，所述基于STM32多功能智能提醒器按键电路的KEYUP按键一端连接STM32单片机管脚，一端连接高电平；KEY0按键、KEY1按键、KEY2按键均一端连接STM32单片机管脚，KEY0按键、KEY1按键、KEY2按键另一端均连接低电平。

【技术特征摘要】
1.一种基于STM32多功能智能提醒器按键电路，其特征在于，所述基于STM32多功能智能提醒器按键电路的KEYUP按键一端连接STM32单片机管脚，一端连接高电平；KEY0按键、KEY1按键、KEY2按键均一端连接STM32单片机管脚，KEY0按键、KEY1按键、KEY2按键另一端均连接低电平。2.如权利要求1所述基于STM32多功能智能提醒器按键电路，其特征在于，STM32单片机的电源输入端依次连接单向晶闸管触发电路及其控制电路、过流识别电路。3.如权利要求2所述基于STM32多功能智能提醒器按键电路，其特征在于，所述的单向晶闸管触发电路及其控制电路由单向晶闸管SCR、按键开关AN和降压电阻R3组成，单向晶闸管SCR的阳极接15～85V直流电源的正极VCC和按键开关AN的一端，按键开关AN的另一...

【专利技术属性】
技术研发人员：方立然，陈佳泉，
申请(专利权)人：衢州学院，
类型：新型
国别省市：浙江,33