【技术实现步骤摘要】
一种浪涌电流抑制缓启动电路
本技术涉及电路设备领域，尤其涉及一种浪涌电流抑制缓启动电路。
技术介绍
由于目前电源应用领域非常广泛，LED驱动电源，TV电源，适配器，汽车充电器，手机快充等等。而不同领域的电源其特性差异非常大，普通适配器电源，TV电源采用恒定电压输出，对负载的容性阻抗要求不高，因此在使用和测试中能承受很大的浪涌电流而不被保护，但对于部分LED驱动电源，汽车充电器，手机快充等产品实际使用时其负载为非容性，在开机瞬间没有浪涌电流，因此在电源设计时电流保护灵敏度比较高。当输出负载阻抗为容性时，会在开机瞬间，电源输出电压给负载输入电容充电出现很大的浪涌电流，这直接导致电源产品保护。因此对该类型的电源测试时必须要对浪涌电流进行抑制，否则无法进行测试。需要设计一款电路能有效抑制浪涌电流而又能保证测试顺利进行。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种浪涌电流抑制缓启动电路，以解决上述技术问题，为实现上述目的本技术采用以下技术方案：一种浪涌电流抑制缓启动电路，电源输入端VIN分别经电容CL和电阻RL接地，同时电源输入端VIN经电阻R2接晶体管Q1的基极，电阻R2分别经电容C1、二极管ZD1及电阻R3接地，晶体管Q1的集电极接电阻R4，同时晶体管Q1的集电极经电阻R1接地，电阻R4分别接电阻R5和二极管ZD2，二极管ZD2接地，电阻R5接晶体管Q2的基极，同时电阻R5经电阻R6接地，晶体管Q2的发射极接地，晶体管Q1的发射极接地。本技术设计的一种浪涌电流抑制缓启动电路采用了NMOS管Q1和Q2，NMOS管Q1和Q2成本低、功耗低，控制导通精确，整体提升设备电路性能，保...
【技术保护点】
1.一种浪涌电流抑制缓启动电路，其特征在于，电源输入端VIN分别经电容CL和电阻RL接地，同时电源输入端VIN经电阻R2接晶体管Q1的基极，电阻R2分别经电容C1、二极管ZD1及电阻R3接地，晶体管Q1的集电极接电阻R4，同时晶体管Q1的集电极经电阻R1接地，电阻R4分别接电阻R5和二极管ZD2，二极管ZD2接地，电阻R5接晶体管Q2的基极，同时电阻R5经电阻R6接地，晶体管Q2的发射极接地，晶体管Q1的发射极接地。
【技术特征摘要】
1.一种浪涌电流抑制缓启动电路，其特征在于，电源输入端VIN分别经电容CL和电阻RL接地，同时电源输入端VIN经电阻R2接晶体管Q1的基极，电阻R2分别经电容C1、二极管ZD1及电阻R3接地，晶体管Q1的集电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏晨光，
申请(专利权)人：深圳市杰能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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