一种太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能电池技术领域，特别地涉及短路电流较高的太阳能电池。本实用新型专利技术公开了一种太阳能电池，包括基板、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、n型非晶硅膜层、第一TCO膜层、第二TCO膜层和p型碳硅膜层，所述基板的第一面向外依次叠层有第一本征非晶硅层、p型碳硅膜层和第一TCO膜层，所述基板的第二面向外依次叠层有第二本征非晶硅层、n型非晶硅膜层和第二TCO膜层。本实用新型专利技术提供的太阳能电池可获得较高的短路电流，因此提高了太阳能电池的性能。

A solar cell

The utility model relates to the technical field of solar cells, in particular to solar cells with high short-circuit current. The utility model discloses a solar cell, which comprises a substrate, a first intrinsic amorphous silicon layer, a second intrinsic amorphous silicon layer, an n-type amorphous silicon film layer, a first TCO film layer, a second TCO film layer and a p-type carbon-silicon film layer. The first face of the substrate is successively laminated with a first intrinsic amorphous silicon layer, a p-type carbon-silicon film layer and a first TCO film. A second intrinsic amorphous silicon layer, an n-type amorphous silicon film layer and a second TCO film layer are successively laminated on the second face of the substrate. The solar cell provided by the utility model can obtain higher short-circuit current, thereby improving the performance of the solar cell.

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池
本技术涉及太阳能电池
，特别地涉及短路电流较高的太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池能够将太阳能直接转换为电能，因此作为新的能量源受到越来越多国家的重视。HeterojunctionwithIntrinsicThinlayer太阳能电池简称HIT太阳能电池，其最早是由三洋公司专利技术的，其是非晶硅/晶硅异质结的太阳能电池，是一种利用晶硅基片和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。由于HIT太阳能电池具有高的光电转换效率，低的温度系数和在相对低温条件下的制备技术，在近几年来成为光伏行业研究和开发的重点方向之一。目前日本的三洋公司产业化的HIT太阳能电池的效率已超过23％，其实验室效率已超过了25％。图1所示为现有的HIT太阳能电池的结构示意图。在图1中，在由单晶硅、多晶硅等的结晶类半导体构成的n型结晶类硅基板1的一个主面上，第一本征非晶硅层2、p型非晶硅层3依次叠层，进而在其上形成ITO透明导电氧化物层作为第一TCO膜层6和由银浆印刷构成的梳型形状的栅电极8；在结晶类硅基板1的另一个主面上依次叠层第二本征非晶硅层4、n型非晶硅层5，进而在其上形成ITO透明导电氧化物层作为第二TCO膜层7和由银浆印刷构成的梳型形状的栅电极8。由于非晶硅膜层的透光性较差，所以在HIT的制作过程中，非晶硅膜层的厚度都要求的比较薄，但是厚度太薄的非晶硅膜层对基板表面的钝化效果不佳，同时也不利于载流子的生成与收集，因此需要在电池片的表面上形成一层透光性好且有利于载流子的生成与收集的膜层。
技术实现思路
本技术的目的在于为解决上述的现有HIT太阳能电池技术中存在的问题，提供一种可以使更多的光透过膜层进入到基板中被基板所吸收，使太阳能电池的短路电流得到提高，从而增强了太阳能电池的性能的太阳能电池。为此，本技术公开了一种太阳能电池，包括基板、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、n型非晶硅膜层、第一TCO膜层、第二TCO膜层和p型碳硅膜层，所述基板的第一面向外依次叠层有第一本征非晶硅层、p型碳硅膜层和第一TCO膜层，所述基板的第二面向外依次叠层有第二本征非晶硅层、n型非晶硅膜层和第二TCO膜层。进一步的，所述p型碳硅膜层为p型非晶态碳硅膜层、p型微晶态碳硅膜层或它们的叠层组合。进一步的，所述基板为单晶硅片或多晶硅片；所述第一本征非晶硅层为氢化第一本征非晶硅层，所述第二本征非晶硅层为氢化第二本征非晶硅层，所述n型非晶硅膜层为氢化n型非晶硅膜层。进一步的，所述p型碳硅膜层由一层或多层组成，所述p型碳硅膜层为氢化p型碳硅膜层。进一步的，所述第一TCO膜层和第二TCO膜层上分别设置有栅线电极。进一步的，所述第一TCO膜层上设置有栅线电极，所述第二TCO膜层上形成有金属膜层，所述金属膜层覆盖第二TCO膜层的大部分区域，所述金属膜层为一层或多层。更进一步的，所述金属膜层为金、银、铜、铬、镍、铝或它们的组合层。进一步的，所述栅线电极为银栅线电极、铜栅线电极或它们的组合。进一步的，所述第一本征非晶硅膜层与p型碳硅膜层之间设有一层p型非晶硅膜层和/或p型微晶硅膜层。更进一步的，所述p型非晶硅膜层为氢化p型非晶硅膜层，所述p型微晶硅膜层为氢化p型微晶硅膜层。进一步的，所述第一TCO膜层上设有一减反射膜层，和/或所述第二TCO膜层上设有一减反射膜层，所述减反射膜层由一层或多层组成。所述第一TCO膜层和第二TCO膜层均为AZO膜层、GZO膜层、IGZO膜层、BZO膜层、IZO膜层、ITO膜层、ITIO膜层、IWO膜层、ICO膜层、IMO膜层、氧化锡掺氟膜层、氧化锡掺碘膜层、氧化锡掺锑膜层或石墨烯膜层，所述第一TCO膜层和第二TCO膜层中可含有氢。本技术的有益效果：本技术通过使用p型碳硅膜层，有利于增加入射光入射到基板，从而可提高电池的短路电流；同时又可以使p型碳硅膜层与TCO膜层实现良好的欧姆接触，降低电池的电阻；在TCO膜层上设置减反射膜层可进一步提高入射光的入射量，因而可进一步提高电池的短路电流；从而提高了太阳能电池的性能。附图说明图1为现有的一种HIT太阳能电池的结构示意图；图2是本技术的一种太阳能电池的结构示意图；图3是本技术的另一种太阳能电池的结构示意图。具体实施方式现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。在此先说明，本技术中的ITO是指氧化铟掺杂锡的透明导电材料、ITIO是指氧化铟掺杂钛的透明导电材料、ICO是指氧化铟掺杂铈的透明导电材料、AZO是指氧化锌掺杂铝的透明导电材料、IWO是指氧化铟掺杂钨的透明导电材料、BZO是指氧化锌掺杂硼的透明导电材料、GZO是指氧化锌掺杂镓的透明导电材料、IGZO是指氧化锌掺杂铟镓的透明导电材料、IZO是指氧化锌掺杂铟的透明导电材料、IMO是指氧化铟掺杂钼的透明导电材料；本技术所说的碳硅膜层为SiCx(0<x<1)膜层；本技术中所说的“大部分区域”是指占比达五分之三以上的区域。如图2所示，一种太阳能电池，包括基板1、第一本征非晶硅层2、第二本征非晶硅层4、n型非晶硅膜层5、第一TCO膜层6、第二TCO膜层7和p型碳硅膜层31，所述基板1的第一面向外依次叠层有第一本征非晶硅层2、p型碳硅膜层31和第一TCO膜层6，所述基板1的第二面向外依次叠层有第二本征非晶硅层4、n型非晶硅膜层5和第二TCO膜层7，所述第一TCO膜层6和第二TCO膜层7上分别设置有栅线电极8。当然，在其它实施例中，也可以是所述第一TCO膜层6上设置有栅线电极8，所述第二TCO膜层7上形成有金属膜层，所述金属膜层覆盖第二TCO膜层7的大部分区域，所述金属膜层可以为一层或多层结构。所述金属膜层可以采用金、银、铜、铬、镍、铝层或它们的组合层。具体的，所述p型碳硅膜层31为p型非晶态碳硅膜层，当然，在其它实施例中，p型碳硅膜层31也可以是p型微晶态碳硅膜层或由p型非晶态碳硅膜层和p型微晶态碳硅膜层叠层构成的复合层，如图3所示，p型碳硅膜层31包括层叠设置的p型非晶态碳硅膜层311和p型微晶态碳硅膜层312。所述p型碳硅膜层31可以是由一层或多层组成，所述p型碳硅膜层31由多层组成时其各个层的含碳量不同。进一步的，所述p型碳硅膜层31可以为氢化p型碳硅膜层。具体的，所述基板1为单晶硅片或多晶硅片；所述第一本征非晶硅层2为氢化第一本征非晶硅层，所述第二本征非晶硅层4为氢化第二本征非晶硅层，所述n型非晶硅膜层5为氢化n型非晶硅层。具体的，所述栅线电极8为银栅线电极、铜栅线电极或它们的组合，所述第一TCO膜层6和第二TCO膜层7为AZO膜层、GZO膜层、IGZO膜层、BZO膜层、IZO膜层、ITO膜层、ITIO膜层、IWO膜层、ICO膜层、IMO膜层、氧化锡掺氟膜层、氧化锡掺碘膜层、氧化锡掺锑膜层或石墨烯膜层，所述第一TCO膜层6和第二TCO膜层7中可含有氢。进一步的，在其它实施例中，所述第一本征非晶硅膜层2与p型碳硅膜层31之间可以设有p型非晶硅膜层和/或p型微晶硅膜层，优选的，所述p型非晶硅膜层为氢化p型非晶硅膜层，所述p型微晶硅膜层为氢化p型微晶硅膜层。进一步的，在其它实施例中，所述第一TCO膜层6上还设有一减反射膜层，和/或所述第二TCO膜层7上还设有一减反射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池，包括基板、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、n型非晶硅膜层、第一TCO膜层和第二TCO膜层，其特征在于：还包括p型碳硅膜层，所述基板的第一面向外依次叠层有第一本征非晶硅层、p型碳硅膜层和第一TCO膜层，所述基板的第二面向外依次叠层有第二本征非晶硅层、n型非晶硅膜层和第二TCO膜层。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，包括基板、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、n型非晶硅膜层、第一TCO膜层和第二TCO膜层，其特征在于：还包括p型碳硅膜层，所述基板的第一面向外依次叠层有第一本征非晶硅层、p型碳硅膜层和第一TCO膜层，所述基板的第二面向外依次叠层有第二本征非晶硅层、n型非晶硅膜层和第二TCO膜层。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述p型碳硅膜层为p型非晶态碳硅膜层、p型微晶态碳硅膜层或它们的叠层组合。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述基板为单晶硅片或多晶硅片；所述第一本征非晶硅层为氢化第一本征非晶硅层，所述第二本征非晶硅层为氢化第二本征非晶硅层，所述n型非晶硅膜层为氢化n型非晶硅膜层。4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述p型碳硅膜层由一层或多层组成，所述p型碳硅膜层为氢化p型碳硅膜层。5.根据权利要求1所述的太阳能电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：盐城普兰特新能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32