一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒制造技术

技术编号:19213108 阅读:33 留言:0更新日期:2018-10-20 05:52
本实用新型专利技术公开的一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒,包括设置于单晶炉内排气孔位置的导气筒体,导气筒体上设置有用于向单晶炉内反射热量的反射片。本实用新型专利技术一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒安装于单晶炉的排气孔处,利用导气筒体上的钼片将热量反射回单晶炉炉膛内再次利用,有效避免了热量散失,从而降低了直拉法生产单晶硅的有效运行功率。

【技术实现步骤摘要】
一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒
本技术属于直拉法生产单晶硅热场
,具体涉及一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒。
技术介绍
在直拉法生产单晶硅过程中,单晶炉炉膛内主要存在可见光,其次为红外光,热辐射是热量在真空中传递的唯一一种方式,因此单晶炉内的热量主要是通过热辐射方式散逸,而排气孔则是直拉法生产单晶硅过程中热量流失较多的一部分。目前直拉法生产单晶硅过程中其有效运行功率为70千瓦,为了节约直拉法生产单晶硅成本,一般采用增加保温性的方法降低直拉法生产单晶硅过程中的有效运行功率,但是实际使用效果并不明显。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒,其利用钼片将热量反射回单晶炉炉膛内,从而降低了直拉法生产单晶硅的有效运行功率。本技术所采用的技术方案是:一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒,包括设置于单晶炉内排气孔位置的导气筒体,所述导气筒体上设置有用于向单晶炉内反射热量的反射片。本技术的特点还在于,所述导气筒体为等静压石墨材质制成。所述反射片为金属片。所述反射片为钼片。所述导气筒体上设有凹槽,所述反射片卡设于所述凹槽内。本技术的有益效果是:本技术一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒安装于单晶炉的排气孔处,利用导气筒体上的钼片将热量反射回单晶炉炉膛内再次利用,有效避免了热量散失,从而降低了直拉法生产单晶硅的有效运行功率。附图说明图1是本技术一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒的结构示意图;图2是本技术一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒的使用状态图。图中,1.导气筒体,2.反射片,3.加热器,4.单晶炉,5.埚托,6.保温毡,7.炉底。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术进行详细说明。本技术提供的一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒的结构如图1所示,包括设置于单晶炉4内排气孔位置的导气筒体1,导气筒体1上设置有用于向单晶炉4内反射热量的反射片2。具体的,在导气筒体1上设有凹槽,反射片2卡设于该凹槽内。优选的,导气筒体1为等静压石墨材质制成。优选的,反射片2为金属片,具体为钼片。本技术一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒的使用状态如图2所示,在安装热场部件时分别在单晶炉4的炉底7上安装保温毡6,待保温毡6安装完毕后在排气孔位置装入导气筒体1,在导气筒体1的上沿凹槽处装入钼片,然后依次装入其他热场部件后利用直拉法生产单晶硅,在单晶炉4运行过程中单晶炉4内埚托5和加热器3上的热量辐射到导气筒体1上的钼片上,通过反射将热量反射至埚托5上再次利用,从而达到降低直拉法生产单晶硅过程中的有效运行功率的目的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒,其特征在于,包括设置于单晶炉(4)内排气孔位置的导气筒体(1),所述导气筒体(1)上设置有用于向单晶炉(4)内反射热量的反射片(2)。

【技术特征摘要】
1.一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒,其特征在于,包括设置于单晶炉(4)内排气孔位置的导气筒体(1),所述导气筒体(1)上设置有用于向单晶炉(4)内反射热量的反射片(2)。2.如权利要求1所述的一种降低直拉法生产单晶硅拉晶功率的导气筒,其特征在于,所述导气筒体(1)为等静压石墨材质制成。3.如权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨东梁永生冉瑞应李博一金雪
申请(专利权)人:银川隆基硅材料有限公司
类型:新型
国别省市:宁夏,64

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