半导体基板的处理装置制造方法及图纸

一种半导体基板的处理装置。此处理装置包含腔体、运送装置、光源以及空气循环装置。腔体具有沿第一方向延伸的第一侧壁及第二侧壁。运送装置配置以于腔体中沿第一方向传送待处理的多个半导体基板。光源设于腔体内，且配置以对通过腔体的半导体基板进行照光加热处理。空气循环装置用于使腔体内的气体大致由第一侧壁往第二侧壁流动。第一侧壁包含第一区域及第二区域，其中第一区域较第二区域更接近运送装置，且第一区域的开口面积比率小于第二区域的开口面积比率。藉此，可在避免半导体基板飞片的情况下，提高风量来有效改善腔体内的温度分布均匀度。

【技术实现步骤摘要】
半导体基板的处理装置
本专利技术涉及一种处理装置，且特别涉及一种半导体基板的照光加热处理装置。
技术介绍
传统太阳能技术中，大都采用柴可夫斯基(CZ)长晶法所制作的掺硼单晶片来作为制作太阳能电池的基板材料。原因在于这种掺硼单晶硅材料的掺杂工序较为方便易行，且所制造出的单晶硅棒的电阻率的分布较为均匀。然而，采用掺硼单晶硅，尤其是采用电阻率较低(例如在0.5Ω.cm至l.5Ω.cm范围内)的掺硼单晶硅作为基板材料所制作出的太阳能电池，其电池效率在太阳光光照下或在载流子注入下会衰减，这种现象称为光致衰减(lightinduceddegradation，LID)。目前已知对掺硼单晶硅太阳能电池进行适当的照光加热处理有助于减少或避免光致衰减，其方式例如使太阳能电池经过照光加热炉，而为了提升产能，目前以多流道(multi-lanes)方式进行。此种方式在处理装置的腔室内的多流道传输装置的上方设置许多光源，当半导体太阳能电池经由传输装置而在腔室内传送时，光源可对半导体太阳能电池进行照光加热处理，来消除半导体太阳能电池的缺陷，藉此改善太阳能电池的光致衰减。然而，此种方式为了要对半导体太阳能电池提供足够的照度，会产生过多的热量，而导致处理装置的腔室内的温度过高。为了解决此一问题，目前利用外加的冷却系统来降低腔室内的温度。多流道装置的两侧壁具有许多均匀排列的开孔，以供冷却气流进出腔室。然而，多流道装置因各流道的热流彼此交互作用与原始硬体设计的影响，温度分布严重不均。利用冷却系统所提供的气流虽可降低腔室内的温度，但网格状的侧壁开孔分布设计会降低可引入的冷却气流，而造成风速下降，腔体温度升高，使得可调控的制程温度范围受限，导致热扰流难以移除，因此对于腔室内的温度分布的均匀度的改善成效不彰，导致半导体太阳能电池的照光处理效果不佳。藉由提高冷却系统的风量，虽可降低腔体内的温度，改善腔室内的温度分布均匀度，但提高风量会造成半导体太阳能电池飞片，甚至造成破片，导致良率下降。
技术实现思路
因此，本专利技术的一目的就是在提供一种半导体基板的处理装置，其腔体的入风侧的侧壁中较接近运送装置的区域的开口面积比率小于较远离运送装置的区域的开口面积比率。故，可在避免半导体基板飞片的情况下，提高风量来有效改善腔体内的温度分布均匀度。本专利技术的另一目的是在提供一种半导体基板的处理装置，其腔体入风侧的侧壁中各区域可设有栅门，而可分别调整各区域的开口面积比率，因此可提升处理装置的应用性。本专利技术的又一目的是在提供一种半导体基板的处理装置，其腔体入风侧的侧壁可设有导流板，导流板可将通过的气流朝远离半导体基板的运送装置的方向流动，藉此可更有效防止半导体基板产生飞片问题。根据本专利技术的上述目的，提出一种半导体基板的处理装置。此半导体基板的处理装置包含腔体、运送装置、光源以及空气循环装置。腔体具有沿第一方向延伸的第一侧壁及第二侧壁。运送装置配置以于腔体中沿第一方向传送待处理的多个半导体基板。光源设于腔体内，且配置以对通过腔体的半导体基板进行照光加热处理。空气循环装置用于使腔体内的气体大致由第一侧壁往第二侧壁流动。第一侧壁包含第一区域及第二区域，其中第一区域较第二区域更接近运送装置，且第一区域的开口面积比率小于第二区域的开口面积比率。依据本专利技术的一实施例，上述的第二侧壁的开口分布方式异于第一侧壁的开口方布方式。依据本专利技术的一实施例，上述的第二侧壁的开口均匀分布。依据本专利技术的一实施例，上述的第二区域较第一区域更接近光源。依据本专利技术的一实施例，上述的第一区域设有第一栅门，第一栅门配置以调整第一区域的开口面积比率。依据本专利技术的一实施例，上述的第二区域设有第二栅门，第二栅门配置以调整第二区域的开口面积比率。依据本专利技术的一实施例，上述的第一区域设有导流板，配置以使通过的气流朝远离运送装置的方向流动。依据本专利技术的一实施例，上述的导流板可调装置，且可调整以改变导流板与第一侧壁之间的夹角。依据本专利技术的一实施例，上述的夹角为30度至150度。依据本专利技术的一实施例，上述的导流板为一长度可调装置。依据本专利技术的一实施例，上述的第一区域更包含第一分区与第二分区，第二分区较第一分区更接近第二区域，且第一分区的开口面积比率小于第二分区的开口面积比率。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附的附图说明如下：图1绘示依照本专利技术的一实施方式的一种半导体基板的处理装置的装置示意图；图2绘示依照本专利技术的一实施方式的一种半导体基板的处理装置的一侧的侧视示意图；图3绘示依照本专利技术的一实施方式的一种半导体基板的处理装置的第一侧壁的局部立体示意图；图4A绘示依照本专利技术的一实施方式的一种半导体基板的处理装置的第一栅门的装置示意图；图4B绘示依照本专利技术的一实施方式的另一种半导体基板的处理装置的第一栅门的装置示意图；图5绘示依照本专利技术的一实施方式的一种半导体基板的处理装置的第二栅门的装置示意图；图6绘示依照本专利技术的一实施方式的另一种半导体基板的处理装置的一侧的侧视示意图；以及图7绘示依照本专利技术的一实施方式的一种半导体基板的处理装置的另一侧的侧视示意图。其中，附图标记100处理装置102半导体基板104腔体106运送装置108光源110空气循环装置112第一侧壁112a第一侧壁114第二侧壁116方向118第一区域118a第一分区118b第二分区120第二区域122开口122a开口124开口126方向128气体130外罩132气体通道134导流板136界面138a第一栅门138b第一栅门140第二栅门142开口具体实施方式下面结合附图对本专利技术的结构原理和工作原理作具体的描述：请参照图1与图2，其分别绘示依照本专利技术的一实施方式的一种半导体基板的处理装置的装置示意图与一侧的侧视示意图。在本专利技术的一实施方式中，半导体基板的处理装置100可为多流道处理装置，可用以同时对许多半导体基板102进行照光加热处理，藉以修补半导体基板102中的半导体材料的缺陷。半导体基板102可为半导体太阳能电池。举例而言，半导体基板102可为结晶硅太阳能电池。在一些实施例中，半导体基板102为掺硼单晶硅太阳能电池或掺硼多晶硅太阳能电池。处理装置100对半导体基板102进行的照光加热处理，可在很短时间内消除半导体基板102中绝大部分的硼氧缺陷，藉此可降低例如半导体太阳能电池等半导体基板102因光致衰减的效率损失。在一些实施例中，如图1与图2所示，处理装置100主要包含腔体104、运送装置106、光源108以及空气循环装置110。腔体104包含第一侧壁112与第二侧壁114，其中第一侧壁112与第二侧壁114彼此相对，且第一侧壁112与第二侧壁114均沿着方向116延伸。在一些示范例子中，第一侧壁112与第二侧壁114互相平行。如图2所示，运送装置106穿设于腔体104中，且配置以于腔体104中沿着方向116来传送待处理的半导体基板102。因此，待处理的半导体基板102是沿着方向116行进。在一些例子中，运送装置106可由多个输送带所组成，这些输送带对应位于腔体104内的通道中。在另一些例子中，运送装置106亦可由多个滚轮所组成，或可由一输送带搭配多个滚轮本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体基板的处理装置，其特征在于，包含：一腔体，该腔体具有沿一第一方向延伸的一第一侧壁及一第二侧壁；一运送装置，配置以于该腔体中沿该第一方向传送待处理的多个半导体基板；一光源，设于该腔体内，且配置以对通过该腔体的该些半导体基板进行一照光加热处理；以及一空气循环装置，用于使该腔体内的气体大致由该第一侧壁往该第二侧壁流动；其中该第一侧壁包含一第一区域及一第二区域，其中该第一区域较该第二区域更接近该运送装置，且该第一区域的一开口面积比率小于该第二区域的一开口面积比率。

【技术特征摘要】
2016.12.13 TW 1051412671.一种半导体基板的处理装置，其特征在于，包含：一腔体，该腔体具有沿一第一方向延伸的一第一侧壁及一第二侧壁；一运送装置，配置以于该腔体中沿该第一方向传送待处理的多个半导体基板；一光源，设于该腔体内，且配置以对通过该腔体的该些半导体基板进行一照光加热处理；以及一空气循环装置，用于使该腔体内的气体大致由该第一侧壁往该第二侧壁流动；其中该第一侧壁包含一第一区域及一第二区域，其中该第一区域较该第二区域更接近该运送装置，且该第一区域的一开口面积比率小于该第二区域的一开口面积比率。2.根据权利要求1所述的半导体基板的处理装置，其特征在于，该第二侧壁的开口分布方式异于该第一侧壁的开口方布方式。3.根据权利要求2所述的半导体基板的处理装置，其特征在于，该第二侧壁的开口均匀分布。4.根据权利要求1所述的半导体基板的处理装置，其特征在于，该第二区域较该第一区域更接近该光源。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕维伦，郭光扬，陈皇宇，王建竣，白玉磐，
申请(专利权)人：茂迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71