隔膜组件制造技术

技术编号:19075480 阅读:38 留言:0更新日期:2018-09-29 17:41
一种用于EUV光刻术的隔膜组件(80),所述隔膜组件包括:平面的隔膜(40);边框(81),配置成保持隔膜;和框架组件(50),连接到边框并且被配置成附接到用于EUV光刻术的图案形成装置(MA);其中框架组件在垂直于隔膜的平面的方向上连接到边框,使得在使用中框架组件位于边框和图案形成装置之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】隔膜组件相关申请的交叉引用本申请要求于2015年12月14日提交的EP15199845.7、2016年3月1日提交的EP16157967.7和2016年4月6日提交的EP16163962.0的优先权,并且其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及用于EUV光刻术的隔膜组件和图案形成装置组件。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案施加到衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如,光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下,可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成于IC的单层上的电路图案。可以将该图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。图案的转印通常通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行。通常,单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的集合。光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤中的一个。然而,随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小,光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出,如等式(1)所示:其中入是所用辐射的波长,NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径,k1是依赖于工艺的调节因子,也称为瑞利常数,CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道,特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径实现:通过缩短曝光波长入、通过增大数值孔径NA或通过减小k1的值。为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸,已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是波长在10-20nm范围内的电磁辐射,例如波长在13-14nm范围内。进一步地还提出可以使用具有小于10nm波长的EUV辐射,例如波长在5-10nm范围内,诸如6.7nm或6.8nm的波长。这样的辐射被称为术语“极紫外辐射”或“软X射线辐射”。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或者基于由电子存储环提供的同步加速器辐射的源。光刻设备包括图案形成装置(例如掩模或掩模板)。辐射被提供通过图案形成装置或从图案形成装置反射以在衬底上形成图像。可以提供隔膜组件以保护图案形成装置免受空气中悬浮颗粒和其它形式的污染物影响。用于保护图案形成装置的隔膜组件可以被称为表膜。图案形成装置的表面上的污染物可能导致在衬底上的制造缺陷。隔膜组件可以包括边框和横跨边框伸展的隔膜。在使用中,隔膜被要求例如通过安装特征而相对于图案形成装置固定。期望减小由安装特征所占据的空间大小。也期望隔膜组件在被输送到用于安装到图案形成装置的位置时占据较少的空间。也期望降低污染物颗粒到达隔膜和图案形成装置之间的区域的可能性。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面,提供了一种用于EUV光刻术的隔膜组件,该隔膜组件包括:平面的隔膜;边框,配置成保持隔膜;框架组件,连接到边框并且被配置成可释放地附接到用于EUV光刻术的图案形成装置,其中框架组件包括弹性构件;其中框架组件在垂直于隔膜的平面的方向上连接到边框,使得在使用中框架组件位于边框和图案形成装置之间。根据本专利技术的一个方面,提供了一种用于EUV光刻术的图案形成装置组件,该图案形成装置组件包括:平面的图案形成装置;从图案形成装置突出的至少一个突起部;和根据前述权利要求中任一项所述的隔膜组件,所述框架组件经由所述至少一个突起部连接到所述图案形成装置;其中所述至少一个突起部位于边框和图案形成装置之间。根据本专利技术的一个方面,提供了一种用于EUV光刻术的隔膜组件,该隔膜组件包括:平面的隔膜;和框架组件,配置成保持隔膜并附接到用于EUV光刻术的图案形成装置;其中框架组件具有锁定状态和解锁状态,在所述锁定状态,框架组件锁定到图案形成装置,使得隔膜与图案形成装置保持相距预定距离;在所述解锁状态,隔膜与图案形成装置之间的距离小于所述预定距离。根据本专利技术的一个方面,提供了一种用于EUV光刻术的图案形成装置组件,该图案形成装置组件包括:用于EUV光刻术的平面的图案形成装置;隔膜组件,包括:平面的隔膜;和框架组件,配置成保持隔膜并附接到图案形成装置,其中在框架组件和图案形成装置的相对表面之间形成间隙;其中所述框架组件包括细长挡板,配置成限制污染物颗粒进入所述间隙,其中所述细长挡板在超出所述图案形成装置的平面范围的位置处延伸超出所述图案形成装置的相对表面。根据本专利技术的一个方面,提供了一种用于EUV光刻术的图案形成装置组件,该图案形成装置组件包括:平面的图案形成装置;隔膜组件,包括平面的膜和配置成保持隔膜的边框;从图案形成装置和边框中的一个突出的至少一个突出部,其中所述至少一个突出部位于边框与图案形成装置之间;和连接到图案形成装置和边框中的另一个的框架组件,其中框架组件配置成附接到边框和图案形成装置之间的至少一个突起部。根据本专利技术的一个方面,提供了一种用于临时容纳隔膜组件的装载设备,所述隔膜组件安装到用于EUV光刻术的图案形成装置上,所述装载设备包括在装载设备的内表面处的突起部,其中所述突起部配置成在装载设备容纳隔膜组件时将隔膜组件的隔膜保持器朝向图案形成装置按压。附图说明现在将参考所附示意性附图、仅以示例的方式来描述本专利技术的实施例,在附图中对应的附图标记指示对应的部件,且在所述附图中:图1示出了根据本专利技术的实施例的光刻设备;图2是光刻设备的更详细的视图;图3以截面图示意性地示出了根据本专利技术的实施例的隔膜组件的部分;图4至图6以平面图示意性地示出了使用根据本专利技术的实施例的隔膜组件的锁定机构的多个阶段;图7至10以截面图示意性地示出了根据本专利技术的不同实施例的隔膜;图11至14以截面图示意性地示出了将根据本专利技术的实施例的隔膜组件安装到图案形成装置上的安装过程的各个阶段;图15以截面图示意性地示出了位于装载设备中的根据本专利技术的实施例的隔膜组件;图16和17以截面图示意性地示出了从装载设备移除的根据本专利技术的实施例的隔膜组件;图18以截面图示意性地示出了根据本专利技术的实施例的隔膜组件与图案形成装置之间的间隙;和图19以截面图示意性地示出了根据本专利技术的实施例的隔膜组件。具体实施方式图1示意地示出了根据本专利技术的一个实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备100。所述光刻设备100包括:-照射系统(或照射器)IL,配置成调节辐射束B(例如EUV辐射);-支撑结构(例如掩模台)MT,配置成支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA,并与配置成精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连;-衬底台(例如,晶片台)WT,配置成保持衬底(例如,涂覆有抗蚀剂的晶片)W,并与配置成准确地定位衬底的第二定位装置PW相连;和-投影系统(例如反射式投影系统)PS,配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。照射系统IL可以包括各种类型的光学部件,例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合,以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种用于EUV光刻术的隔膜组件,所述隔膜组件包括:平面的隔膜;边框,配置成保持所述隔膜;和框架组件,连接到所述边框并且被配置成可释放地附接到用于EUV光刻术的图案形成装置,其中所述框架组件包括弹性构件;其中所述框架组件在垂直于所述隔膜的平面的方向上连接到所述边框,使得在使用中所述框架组件位于所述边框和所述图案形成装置之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.14 EP 15199845.7;2016.03.01 EP 16157967.7;1.一种用于EUV光刻术的隔膜组件,所述隔膜组件包括:平面的隔膜;边框,配置成保持所述隔膜;和框架组件,连接到所述边框并且被配置成可释放地附接到用于EUV光刻术的图案形成装置,其中所述框架组件包括弹性构件;其中所述框架组件在垂直于所述隔膜的平面的方向上连接到所述边框,使得在使用中所述框架组件位于所述边框和所述图案形成装置之间。2.根据权利要求1所述的隔膜组件,其中,在所述边框和所述图案形成装置之间提供安装特征。3.根据权利要求1和2中任一项所述的隔膜组件,其中,所述框架组件包括配置成接收从所述图案形成装置突出的突起部的至少一个孔,其中,当在垂直于所述隔膜的平面的方向上观察时,所述孔至少部分地与所述边框重叠。4.根据权利要求3所述的隔膜组件,其中,所述框架组件包括锁定机构,所述锁定机构配置成将所述框架组件锁定至所述突起部。5.根据权利要求4所述的隔膜组件,其中,所述锁定机构包括用于每个孔的弹性构件,其中每个弹性构件延伸到所述孔中并且配置成当被收容在所述孔中的所述突起部压靠所述弹性构件时能够变形。6.根据权利要求5所述的隔膜组件,其中,所述锁定机构包括用于每个孔的锁定构件,其中所述锁定构件配置成能够移动到锁定位置,在所述锁定位置,所述锁定构件延伸到所述孔中,使得被压缩的所述弹性构件朝向所述锁定构件施加力到被收容于所述孔中的所述突出部。7.一种用于EUV光刻术的图案形成装置组件,所述图案形成装置组件包括:平面的图案形成装置;从所述图案形成装置突出的至少一个突起部;和根据前述权利要求中任一项所述的隔膜组件,所述框架组件经由所述至少一个突起部连接到所述图案形成装置;其中所述至少一个突起部位于所述边框和所述图案形成装置之间。8.一种用于EUV光刻术的图案形成装置组件,所述图案形成装置组件包括:平面的图案形成装置;隔膜组件,包括平面的隔膜和配置成保持隔膜的边框;从所述图案形成装置和所述边框中的一个突出的至少一个突起部,其中所述至少一个突起部位于所述边框与所述图案形成装置之间;和连接到所述图案形成装置和所述边框中的另一个的框架组件,其中所述框架组件配置成附接到位于所述边框和所述图案形成装置之间的所述至少一个突起部。9.一种用于EUV光刻术的隔膜组件,所述隔膜组件包括:平面的隔膜;和框架组件,配置成保持所述隔膜并附接到用于EUV光刻术的图案形成装置;其中所述框架组件具有锁定状态和解锁状态,在所述锁定状态,所述框架组件被锁定到所述图案形成装置使得所述隔膜与所述图案形成装置保持相距预定距离,在所述解锁状态,所述隔膜与所述图案形成装置之间的距离小于所述预定距离。10.根据权利要求9所述的隔膜组件,其中所述框架组件包括:隔膜保持器,配置成保持所述隔膜;夹紧构件;和弹性构件,将所述隔膜保持器连接到所述夹紧构件上;其中,所述隔膜保持器能够经由所述弹性构件的压缩在垂直于所述隔膜的平面的方向上相对于所述夹紧构件移动。11.根据权利要求10所述的隔膜组件,其中,所述夹紧构件包括抵接表面,所述抵接表面配置成接触从所述图案形成装置突出的突起部的接合表面,其中所述接合表面背向所述图案形成装置。12.根据权利要求10或11所述的隔膜组件,其中,所述隔膜保持器包括端部止动...

【专利技术属性】
技术研发人员:德克·S·G·布龙保罗·詹森穆罕默德·R·卡迈利玛丽亚·皮特威廉·琼·范德赞德彼得詹·范兹沃勒D·F·弗莱斯WP·福尔蒂森
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司
类型:发明
国别省市:荷兰,NL

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