形成具有内接触间隔件的保护装置的方法及所产生的装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及形成具有内接触间隔件的保护装置的方法及所产生的装置，其中，一种方法包括形成第一多个栅极结构。形成第二多个栅极结构。在该第一及第二多个栅极结构的每一者上形成一第一间隔件。在该第一多个栅极结构的第一对的该第一间隔件之间界定一第一空腔。在该第二多个栅极结构的第二对的该第一间隔件之间界定一第二空腔。选择性地在该第二空腔中形成一第二间隔件于该第二对的该栅极结构的每一者的该第一间隔件上而不在该第一空腔中形成该第二间隔件。在该第一空腔中形成接触该第一间隔件的一第一接触。在该第二空腔中形成接触该第二间隔件的一第二接触。

【技术实现步骤摘要】
形成具有内接触间隔件的保护装置的方法及所产生的装置
本揭示内容大体有关于半导体装置的制造，且更特别的是，有关于一种形成具有内接触间隔件的保护装置以提高电介质隔离的方法。
技术介绍
在例如微处理器、储存装置及其类似者的现代集成电路中，大量的电路组件，特别是晶体管，被装设在有限的芯片区上。晶体管有各种形状及形式，例如平面晶体管、finFET晶体管、纳米线装置等等。晶体管通常为NMOS(NFET)型或者是PMOS(PFET)型装置，其中“N”与“P”符号是基于用来建立装置的源极/漏极区的掺杂物的类型。所谓的CMOS(互补金属氧化物半导体)技术或产品是指使用NMOS及PMOS晶体管装置两者制成的集成电路产品。不论晶体管装置的实际组态，各装置包含漏极及源极区和位在源极/漏极区之上及其间的栅极电极结构。在施加适当的控制电压至栅极电极之后，就会在漏极区与源极区之间形成导电沟道区。习知FET为平面装置，其中该装置的整个沟道区经形成平行且稍微低于半导体衬底的平面上表面。与平面FET相比，有所谓的3D装置，例如有三维结构的示范finFET装置。此类finFET装置提供增加的密度及效能。图1的透视图图示一示范先前技术finFET半导体装置100，其在制造期间的中间点形成于半导体衬底105之上。在此实施例中，finFET装置100包括3个示范鳍片110、隔离材料130、栅极结构115、侧壁间隔件120与栅极帽盖层125。鳍片110有三维组态：高度、宽度及轴向长度。鳍片110被栅极结构115覆盖的部分为finFET装置100的沟道区，同时鳍片110横向在间隔件120的外侧的部分为装置100的源极/漏极区的一部分。尽管未图示，鳍片110在源极/漏极区中的部分可具有形成于其上而处于合并或未合并状态的附加外延半导体材料。不过，在制造现代的IC产品时，会在同一个衬底上制造不同类型的晶体管装置。如果不同类型的装置有不同的结构及设计要求，则开发允许有效制造有不同特性的IC产品的工艺流程可能极具挑战性。例如，在有些应用中，可能在含有高电压晶体管装置的同一个衬底上制造低电压、高速finFET装置，该高电压晶体管装置为适用于与外部电源供应器建立接口的输入/输出(I/O)电路的一部分。相比于在产品内的其他电路的工作电压，此一高电压装置可能暴露于明显较高的工作电压，例如，1.3V或更多(基于现今的技术)。当前的工艺整合方案是利用自对准的接触工艺，在此栅极电极上的间隔件使邻近的源极/漏极接触与栅极电极隔离。由于保护装置以较高的电压运作，所以如果由间隔件提供的电介质隔离不足以防止栅极-接触电介质崩溃(gatetocontactdielectricbreakdown)，就可能要考虑到可靠性的问题。本揭示内容针对可避免或至少减少上述问题中的一或多个的影响的各种方法与所产生的装置。
技术实现思路
以下提出本专利技术的简化概要以提供本专利技术的一些方面的基本理解。此概要并非本专利技术的穷举式总览。它不是旨在识别本专利技术的关键或重要组件或者是描绘本专利技术的范畴。唯一的目的是要以简要的形式提出一些概念作为以下更详细的说明的前言。大体上，本揭示内容针对形成半导体装置的各种方法。揭露于本文的一种方法主要包括：形成第一多个栅极结构。形成第二多个栅极结构。在该第一及第二多个栅极结构中的每一者上形成一第一间隔件。在该第一多个栅极结构中的第一对的该第一间隔件之间界定一第一空腔。在该第二多个栅极结构中的第二对的该第一间隔件之间界定一第二空腔。选择性地在该第二空腔中形成一第二间隔件于该第二对的该栅极结构的每一者的该第一间隔件上而不在该第一空腔中形成该第二间隔件。在该第一空腔中形成接触该第一间隔件的一第一接触。在该第二空腔中形成接触该第二间隔件的一第二接触。揭露于本文的另一示范方法主要包括：形成第一多个栅极结构。形成第二多个栅极结构。在该第一多个栅极结构中的每一者上形成有一第一宽度的一第一间隔件。在该第一多个栅极结构中的第一对的该第一间隔件之间界定一第一空腔。在该第二多个栅极结构中的每一者上形成有大于该第一宽度的一第二宽度的一第二间隔件。在该第二多个栅极结构中的第二对的该第二间隔件之间界定一第二空腔。在该第一空腔中形成接触该第一间隔件的一第一接触。在该第二空腔中形成接触该第二间隔件的一第二接触。揭露于本文的一示范装置包括，但不限于：有第一临界电压的第一多个栅极结构。第二多个栅极结构有大于该第一临界电压的一第二临界电压。一第一间隔件有一第一宽度且设置在该第一多个栅极结构中的每一者上。一第二间隔件有大于该第一宽度的一第二宽度且设置在该第二多个栅极结构的每一者上。一第一接触接触该第一多个栅极结构的第一对的该第一间隔件。一第二接触接触该第二多个栅极结构中的第二对的该第二间隔件。附图说明参考以下结合附图的说明可明白本揭示内容，其中类似的组件以相同的附图标记表示，且其中：图1示意图示一示范先前技术finFET装置；以及图2A至图2I图示揭露于本文用于形成具有内接触间隔件的晶体管装置的各种方法。尽管揭示于本文的专利目标容易做成各种修改及替代形式，然而本文仍以附图为例图示本专利技术的几个特定具体实施例且详述于本文。不过，应了解本文所描述的特定具体实施例并非旨在把本专利技术限定为本文所揭示的特定形式，反而是，本专利技术应涵盖落在如随附权利要求书所界定的本专利技术精神及范畴内的所有修改、等价及替代性陈述。具体实施方式以下描述本专利技术的各种示范具体实施例。为了清楚说明，本专利说明书没有描述实际具体实作的所有特征。当然，应了解，在开发任一此类的实际具体实施例时，必需做许多与具体实作有关的决策以达成开发人员的特定目标，例如遵循与系统相关及商务有关的限制，这些都会随着每一个具体实作而有所不同。此外，应了解，此类开发即复杂又花时间，但对受益于本揭示内容的本技艺一般技术人员来说，仍然是例行工作。此时以参照附图来描述本专利技术。示意图标于附图的各种结构、系统及装置仅供解释以及避免本领域技术人员所习知的细节混淆本专利技术。尽管如此，仍纳入附图以描述及解释本揭示内容的示范实施例。应使用与相关技艺技术人员所熟悉的意思一致的方式理解及解释用于本文的字汇及词组。本文没有特别定义的术语或词组(亦即，与本领域技术人员所理解的普通惯用意思不同的定义)旨在用术语或词组的一致用法来说明。如果术语或词组旨在具有特定的意思时(亦即，不同于本领域技术人员所理解的意思)，则会在本专利说明书中以直接明白地提供特定定义的方式清楚地陈述用于该术语或词组的特定定义。本揭示内容大体有关于形成具有内接触间隔件的晶体管装置的各种方法与所产生的装置。本领域技术人员在读完本申请案后会明白，本专利技术方法可应用于各种装置，包括但不限于逻辑设备、内存装置等等。参考附图，此时会更详细地描述揭露于本文的方法及装置的各种示范具体实施例。图2A至图2I图示揭露于本文用于形成集成电路产品200的各种示范方法。在图标具体实施例中，该产品包括finFET晶体管装置，但是本文提及的技术不因此受限，且可应用于其他类型的装置，例如平面装置。图2A至图2I为穿过以下两者的其中一者的长轴绘出的产品200横截面图：在第一装置区215A中形成于衬底210中的第一鳍片205A，与在第二装置区215B中形成于衬底210中的第二鳍片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包含：形成第一多个栅极结构；形成第二多个栅极结构；形成一第一间隔件于该第一及第二多个栅极结构的每一者上，其中，在该第一多个栅极结构中的第一对的该第一间隔件之间界定一第一空腔，以及其中，在该第二多个栅极结构中的第二对的该第一间隔件之间界定一第二空腔；选择性地在该第二空腔中形成一第二间隔件于该第二对的每个该栅极结构的该第一间隔件上而不在该第一空腔中形成该第二间隔件；在该第一空腔中形成接触该第一间隔件的一第一接触；以及在该第二空腔中形成接触该第二间隔件的一第二接触。

【技术特征摘要】
2017.03.10 US 15/455,3131.一种方法，包含：形成第一多个栅极结构；形成第二多个栅极结构；形成一第一间隔件于该第一及第二多个栅极结构的每一者上，其中，在该第一多个栅极结构中的第一对的该第一间隔件之间界定一第一空腔，以及其中，在该第二多个栅极结构中的第二对的该第一间隔件之间界定一第二空腔；选择性地在该第二空腔中形成一第二间隔件于该第二对的每个该栅极结构的该第一间隔件上而不在该第一空腔中形成该第二间隔件；在该第一空腔中形成接触该第一间隔件的一第一接触；以及在该第二空腔中形成接触该第二间隔件的一第二接触。2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一多个栅极结构各有一第一栅极长度，以及该第二多个栅极结构各有大于该第一栅极长度的一第二栅极长度。3.如权利要求1所述的方法，其中，该第一多个栅极结构各有一第一临界电压，以及该第二多个栅极结构各有大于该第一临界电压的一第二临界电压。4.如权利要求1所述的方法，其中，在该第一及第二多个栅极结构中的每一者上形成该第一间隔件的步骤包含：在该第一及第二多个栅极结构中的每一者上同时形成该第一间隔件。5.如权利要求1所述的方法，其中，选择性地形成该第二间隔件的步骤包含：执行一共形沉积工艺以于该第一及第二多个栅极结构之上以及于该第一及该第二空腔中形成一第一介电层，其中，该第一介电层包括在该第一空腔中的一第一非共形部分与在该第二空腔中的一第二共形部分；蚀刻该第一介电层以移除该第二共形部分，其中，该第一非共形部分仍在该第一空腔中；形成一第二介电层于该第一及第二多个栅极结构和该第一非共形部分之上且于该第二空腔中；以及蚀刻该第二介电层以界定该第二间隔件。6.如权利要求1所述的方法，其中，一帽盖层位在该第一及第二多个栅极结构中的每一者之上，以及该方法更包含：形成一介电层于该第一及该第二空腔中；平坦化该介电层以移除该帽盖层且暴露该第一及第二多个栅极结构；以及用第一多个取代栅极结构与第二多个取代栅极结构各自取代该第一及第二多个栅极结构。7.如权利要求1所述的方法，更包含：移除该第一及第二多个栅极结构以在该第一间隔件的多个部分之间界定多个栅极空腔；在该栅极空腔中形成一栅极介电层；以及在该栅极空腔中形成一导电材料于该栅极介电层之上。8.如权利要求7所述的方法，其中，该栅极介电层只内衬该栅极空腔的一部分。9.如权利要求7所述的方法，更包含：执行一倒角工艺以从该栅极空腔的上区移除该栅极介电层的一部分。10.一种方法，包含：形成第一多个栅极结构；形成第二多个栅极结构；在该第一多个栅极结构中的每一者上形成有一第一宽度的一第一间隔件，其中，在该第一多个栅极结构中的第一对的该第一间隔件之间界定一第一空腔；在该第二多个栅极结构中的每一者上形成有大于该第一宽度的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢瑞龙，大西克典，特克·波·瑞恩斯·李，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY