一种新式硅片切割装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种新式硅片切割装置，包括一机架，机架上端设有架体，架体底部设有滑槽，滑槽上设有伺服滑块，伺服滑块底部连接有横向支架，横向支架底部纵向连接有伺服液压伸缩装置，伺服液压伸缩装置底部连接有电动液压钳，机架上端竖向连接有第一刻蚀刀；同时机架上端右侧还设有一盛有腐蚀液的、用于湿法腐蚀的腐蚀箱体；本实用新型专利技术采用多个刻蚀装置和腐蚀相结合的方式对硅片进行切割，通过对硅的各向异性刻蚀达到分离切割的效果。不但不会损坏薄膜，而且切割成本较低。

A new silicon wafer cutting device

The utility model discloses a novel silicon wafer cutting device, which comprises a frame with a frame body at the upper end, a slide at the bottom of the frame, a servo slider on the slide, a transverse support at the bottom of the servo slider, a servo hydraulic telescopic device at the bottom of the transverse support, and a servo hydraulic telescopic device at the bottom of the transverse support. There are electric hydraulic clamps, the upper end of the rack is vertically connected with a first etching knife; at the same time, the upper right side of the rack is also provided with a corrosive box for wet etching; the utility model adopts a plurality of etching devices and a combination of corrosion to cut the silicon wafer, and achieves separation and cutting through anisotropic etching of silicon. The effect of cutting. It not only does not damage the film, but also has lower cutting cost.

【技术实现步骤摘要】
一种新式硅片切割装置
本技术涉及一种切割装置，尤其涉及一种新式硅片切割装置，属于硅片切割器械

技术介绍
硅片切割是半导体加工很重要的工艺步骤，目前硅片切割大多采用的是刀轮切割和激光切割，但是对于带有纳米薄膜结构的芯片来说，刀轮切割会损坏薄膜，激光切割成本太高，因此，需要选择其他的更合适的切割方式来替代。
技术实现思路
本技术就是针对上述问题，提出一种新式硅片切割装置，该新式硅片切割装置主要采用湿法腐蚀制作切割道，通过对硅的各向异性刻蚀达到分离切割的效果。不但不会损坏薄膜，而且切割成本较低。为解决上述技术问题，本技术提供的一种新式硅片切割装置，包括一机架，所述机架上端设有架体，所述架体底部设有滑槽，所述滑槽上滑动连接有基于伺服控制的伺服滑块，所述伺服滑块底部连接有横向支架，所述横向支架底部纵向连接有三个基于伺服控制的伺服液压伸缩装置，分别为第一伺服液压伸缩装置、第二伺服液压伸缩装置和第三伺服液压伸缩装置，所述第一伺服液压伸缩装置底部连接有第一电动液压钳，所述第二伺服液压伸缩装置底部连接有第二电动液压钳，所述第三伺服液压伸缩装置底部连接有第三电动液压钳，所述机架上端竖向连接有第一刻蚀刀、第二刻蚀刀和第三刻蚀刀，且所述第一刻蚀刀、第二刻蚀刀和第三刻蚀刀分别对应第一电动液压钳、第二电动液压钳和第三电动液压钳；同时所述机架上端右侧还设有一盛有腐蚀液的、用于湿法腐蚀的腐蚀箱体。作为本技术之改进，所述腐蚀箱体上端盖设有防溅层，所述机架上端设有防溅透明围栏。本技术采用多个刻蚀装置和腐蚀相结合的方式对硅片进行切割，通过对硅的各向异性刻蚀达到分离切割的效果。不但不会损坏薄膜，而且切割成本较低。附图说明图1所示的是本技术的外观结构图。其中：1、机架；2、架体；3、滑槽；4、伺服滑块；5、横向支架；6、第一伺服液压伸缩装置；7、第二伺服液压伸缩装置；8、第三伺服液压伸缩装置；9、第一电动液压钳；10、第二电动液压钳；11、第三电动液压钳；12、第一刻蚀刀；13、第二刻蚀刀；14、第三刻蚀刀；15、腐蚀箱体；16、防溅层；17、防溅透明围栏。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细地说明。由图1可知，一种新式硅片切割装置，包括一机架1，该机架1上端设有架体2，在架体2底部设有滑槽3，在滑槽3上滑动连接有基于伺服控制的伺服滑块4，伺服滑块4底部连接有横向支架5，在横向支架5底部纵向连接有三个基于伺服控制的伺服液压伸缩装置，分别为第一伺服液压伸缩装置6、第二伺服液压伸缩装置7和第三伺服液压伸缩装置8，在第一伺服液压伸缩装置6底部连接有第一电动液压钳9，在第二伺服液压伸缩装置7底部连接有第二电动液压钳10，在第三伺服液压伸缩装置8底部连接有第三电动液压钳11，在机架1上端竖向连接有第一刻蚀刀12、第二刻蚀刀13和第三刻蚀刀14，且第一刻蚀刀12、第二刻蚀刀13和第三刻蚀刀14分别对应第一电动液压钳9、第二电动液压钳10和第三电动液压钳11；同时在机架1上端右侧还设有一盛有腐蚀液的、用于湿法腐蚀的腐蚀箱体15。上述结构是这样使用的：第一电动液压钳9、第二电动液压钳10和第三电动液压钳11分别夹住一块待加工的硅片，然后通过第一伺服液压伸缩装置6、第二伺服液压伸缩装置7和第三伺服液压伸缩装置8使三块硅片分别和第一刻蚀刀12、第二刻蚀刀13和第三刻蚀刀14接触进行刻蚀加工。刻蚀加工完毕后，通过第一伺服液压伸缩装置6、第二伺服液压伸缩装置7和第三伺服液压伸缩装置8上升，再通过伺服滑块4向右滑动以及第一伺服液压伸缩装置6、第二伺服液压伸缩装置7和第三伺服液压伸缩装置8的伸缩，将三块进行刻蚀加工放入腐蚀箱体15内进行腐蚀。在腐蚀箱体15上端盖设有防溅层16，在机架1上端设有防溅透明围栏17。主要是为了防止腐蚀液体溅射到人体。总的来说，本技术采用多个刻蚀装置和腐蚀相结合的方式对硅片进行切割，通过对硅的各向异性刻蚀达到分离切割的效果。不但不会损坏薄膜，而且切割成本较低。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新式硅片切割装置，包括一机架，所述机架上端设有架体，所述架体底部设有滑槽，所述滑槽上滑动连接有基于伺服控制的伺服滑块，所述伺服滑块底部连接有横向支架，其特征在于，所述横向支架底部纵向连接有三个基于伺服控制的伺服液压伸缩装置，分别为第一伺服液压伸缩装置、第二伺服液压伸缩装置和第三伺服液压伸缩装置，所述第一伺服液压伸缩装置底部连接有第一电动液压钳，所述第二伺服液压伸缩装置底部连接有第二电动液压钳，所述第三伺服液压伸缩装置底部连接有第三电动液压钳，所述机架上端竖向连接有第一刻蚀刀、第二刻蚀刀和第三刻蚀刀，且所述第一刻蚀刀、第二刻蚀刀和第三刻蚀刀分别对应第一电动液压钳、第二电动液压钳和第三电动液压钳；同时所述机架上端右侧还设有一盛有腐蚀液的、用于湿法腐蚀的腐蚀箱体。

【技术特征摘要】
1.一种新式硅片切割装置，包括一机架，所述机架上端设有架体，所述架体底部设有滑槽，所述滑槽上滑动连接有基于伺服控制的伺服滑块，所述伺服滑块底部连接有横向支架，其特征在于，所述横向支架底部纵向连接有三个基于伺服控制的伺服液压伸缩装置，分别为第一伺服液压伸缩装置、第二伺服液压伸缩装置和第三伺服液压伸缩装置，所述第一伺服液压伸缩装置底部连接有第一电动液压钳，所述第二伺服液压伸缩装置底部连接有第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘尧，
申请(专利权)人：苏州锐材半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32