一种脉冲电磁阀驱动电路及阀位记忆方法技术

本发明专利技术提供一种脉冲电磁阀驱动电路及阀位记忆方法；一种脉冲电磁阀驱动电路，包括单片机U1、第一储能模块、第二储能模块、开关SW1、P型场效应管、N型场效应管、至少两个NPN三极管、若干第一电阻、至少两个第二电阻、至少两个第三电阻。本发明专利技术提供的脉冲电磁阀驱动电路，结构简单、实用；通过NPN三极管、P型场效应管和N型场效应管，实现了脉冲电磁阀的打开和关闭；并通过第一储能模块和第二储能模块，保证在掉电阀位记忆时，单片机进行有效的状态记忆存储和维持脉冲电磁阀动作的完成。本发明专利技术另外提供的脉冲电磁阀的阀位记忆方法，不需要通过增加机械结构或传感器即可实现对脉冲电磁阀的阀位记忆，同时保证了脉冲电磁阀的开启速度。

A pulse electromagnetic valve drive circuit and valve position memory method

The invention provides a pulse solenoid valve driving circuit and a valve position memory method; a pulse solenoid valve driving circuit includes a single chip microcomputer U1, a first energy storage module, a second energy storage module, a switch SW1, a P-type field effect transistor, a N-type field effect transistor, at least two NPN transistors, a number of first resistors, at least two second resistors, to Two less third resistors. The driving circuit of the pulse solenoid valve provided by the invention has simple structure and practicability, realizes the opening and closing of the pulse solenoid valve through the NPN transistor, the P-type field effect transistor and the N-type field effect transistor, and ensures the effective state memory of the single chip computer when the power-off valve position is memorized by the first energy storage module and the second energy storage module. Store and maintain pulse electromagnetic valve action. The valve position memory method of the pulse solenoid valve provided by the invention can realize the valve position memory of the pulse solenoid valve without adding mechanical structure or sensors, and ensure the opening speed of the pulse solenoid valve.

【技术实现步骤摘要】
一种脉冲电磁阀驱动电路及阀位记忆方法
本专利技术涉及电磁阀驱动及阀位记忆领域，特别涉及一种脉冲电磁阀驱动电路及阀位记忆方法。
技术介绍
脉冲电磁阀通过导线将电磁阀体内线圈输入脉冲信号，脉冲阀受脉冲喷吹控制仪输出信号的控制，依靠阀的前后两个气室的压力变化，使橡胶膜片曲挠变形实现脉冲阀的开启和关闭。传统的脉冲电磁阀存在无法反馈阀位状态的问题，导致其真实状态无法得到准确判断。造成损失，如自动灌溉系统的水路控制应用脉冲电磁阀时,如果该关闭的时候脉冲电磁阀没有关闭，不仅造成了水资源的浪费，同时灌溉过多的水也会导致作物根系腐烂或其他问题。为解决上述问题，如申请号为200810069358.4，名称为一种双稳态脉冲电磁阀及其驱动电路的中国专利中，通过设置开关位置传感器及阀芯来实现阀位检测，而通过上述机械结构实现阀位记忆的方法，需要对脉冲电磁阀的内部结构进行改造，增加了生产成本，并且，该脉冲电磁阀每次开启时，均需要通过开关位置传感器重新识别真实阀位状态，然后再反馈给控制系统，造成反应时间的增加，导致每次开机反应速度变慢。
技术实现思路
为解决上述
技术介绍
中的问题，本专利技术提供一种脉冲电磁阀驱动电路及阀位记忆方法，其中，脉冲电磁阀驱动电路，包括单片机U1、第一储能模块、第二储能模块、开关SW1、P型场效应管、N型场效应管、至少两个NPN三极管、若干第一电阻、至少两个第二电阻、至少两个第三电阻；所述单片机U1依次通过所述开关SW1和第一储能模块与第一电源正端耦接；所述开关SW1和第一储能模块的连接节点与单片机U1的地端耦合；所述P型场效应管源极与N型场效应管漏极连接；所述P型场效应管栅极一路与N型场效应管栅极均通过第一电阻耦合至第二电源正端和/或地端；所述第二电源正端还与P型场效应管漏极耦合；所述N型场效应管源极耦合至地端；所述脉冲电磁阀的A侧和B侧分别连接有所述P型场效应管；所述脉冲电磁阀与所述P型场效应管的源极连接；所述P型场效应管栅极另一路均连接有NPN三极管；所述NPN三极管基极均依次通过第二电阻、第三电阻与所述N型场效应管栅极耦接；所述第二电阻与第三电阻的连接节点分别与单片机U1耦接；至少一个所述第一电阻与所述第二电源正端的连接节点与所述第二储能模块连接。进一步地，所述第一储能模块包括电容E2；所述电容E2的阳极与所述单片机U1的第一电源正端连接；所述电容E2阴极与所述单片机U1的地端均接地。进一步地，所述第二储能模块包括电容E1和电容E3；所述电容E1阴极与电容E3阴极均接地；所述电容E1阳极与电容E3阳极均与至少一个所述第一电阻与所述第二电源正端的连接节点连接。进一步地，所述电容E2的型号为470μF/16V。进一步地，所述电容E1和电容E3的型号均为1000μF/35V。本专利技术提供的脉冲电磁阀驱动电路，结构简单、实用；通过NPN三极管、P型场效应管和N型场效应管，实现了脉冲电磁阀的打开和关闭；并通过第一储能模块和第二储能模块，保证在掉电阀位记忆时，单片机进行有效的状态记忆存储和维持脉冲电磁阀动作的完成；本专利技术提供的脉冲电磁阀驱动电路，能够对脉冲电磁阀真实阀位状态进行监测，无需额外的机械结构，通过单片机记忆存储识别真实阀位状态，无需每次开机均重新识别真实阀位状态，节省了开机时间，具有良好的市场前景。本专利技术另外提供的脉冲电磁阀的阀位记忆方法，采用如上任意项所述的脉冲电磁阀驱动电路，所述阀位记忆方法具体步骤如下：S10、首次启动脉冲电磁阀时，单片机U10输出控制信号到脉冲电磁阀驱动电路，使脉冲电磁阀的两端产生驱动电压；S20、判断该驱动电压下脉冲电磁阀作用在产品上阀位的开、关状态；S30、根据产品阀位的开、关阀位状态，确定按键SW1按下时间的长短；S40、单片机U1通过识别按键SW1按下时间的长短，确定产品阀位的开、关状态分别对应的控制信号；S50、当产品掉电或异常停止时，脉冲电磁阀从第二储能模块获取电压维持动作的完成；单片机U1从第一储能模块获取电压，并将产品最后的状态进行EEPROM记忆存储；S60、非首次启动脉冲电磁阀时，单片机U1根据EEPROM记忆存储数据，自动判断当前产品的开、关状态。进一步地，步骤S30中，阀位判断结果与按键按下时间的关系如下：当阀位判断结果为开，则按键SW1按下的时间T1为3s-6s；当阀位判断结果为关，则按键SW1按下的时间T2大于6s。进一步地，所述步骤S40中，单片机U1识别按键SW1按下时间长短确定产品阀位的方法步骤如下：当识别按键SW1按下时间为T1时，单片机U1确定产品阀位为开启状态；当识别按键SW1按下时间为T2时，单片机U1确定产品阀位为关闭状态。进一步地，所述步骤S50中，单片机U1通过将产品最后阀位的开、关状态写入固定地址内进行EEPROM记忆存储。进一步地，单片机U1通过读取固定地址内的EEPROM记忆存储数据，自动判断当前产品阀位的开、关状态。本专利技术另外提供的脉冲电磁阀的阀位记忆方法，不需要通过增加机械结构或传感器即可实现对脉冲电磁阀的阀位记忆。首次使用录入阀位信息后，单片机通过读取固定地址内的数据即可获取脉冲电磁阀阀位信息，相较于现有技术中每次启动均通过传感器检测阀位信息更加快速，从而大大减短了每次开启时间。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术提供的脉冲电磁阀驱动电路的电路图。附图标记：10第一储能模块20第二储能模块具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”以及类似的词语仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。“连接”或者“相连”等类似词语并非限定与物理或者机械的连接，而是可以包括电性的连接、光连接等，不管是直接的还是间接的。本专利技术实施例提供一种脉冲电磁阀驱动电路及阀位记忆方法，其中，脉冲电磁阀驱动电路，包括单片机U1、第一储能模块10、第二储能模块20、开关SW1、P型场效应管、N型场效应管、至少两个NPN三极管、若干第一电阻、至少两个第二电阻、至少两个第三电阻；所述单片机U1依次通过所述开关SW1和第一储能模块10与第一电源正端耦接；所述开关SW1和第一储能模块10的连接节点与单片机U1的地端耦合；所述P型场效应管源极与N型场效应管漏极连接；所述P型场效本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种脉冲电磁阀驱动电路，其特征在于：包括单片机U1、第一储能模块(10)、第二储能模块(20)、开关SW1、P型场效应管、N型场效应管、至少两个NPN三极管、若干第一电阻、至少两个第二电阻、至少两个第三电阻；所述单片机U1依次通过所述开关SW1和第一储能模块(10)与第一电源正端耦接；所述开关SW1和第一储能模块(10)的连接节点与单片机U1的地端耦合；所述P型场效应管源极与N型场效应管漏极连接；所述P型场效应管栅极一路与N型场效应管栅极均通过第一电阻耦合至第二电源正端和/或地端；所述第二电源正端还与P型场效应管漏极耦合；所述N型场效应管源极耦合至地端；所述脉冲电磁阀的A侧和B侧分别连接有所述P型场效应管；所述脉冲电磁阀与所述P型场效应管的源极连接；所述P型场效应管栅极另一路均连接有NPN三极管；所述NPN三极管基极均依次通过第二电阻、第三电阻与所述N型场效应管栅极耦接；所述第二电阻与第三电阻的连接节点分别与单片机U1耦接；至少一个所述第一电阻与所述第二电源正端的连接节点与所述第二储能模块(20)连接。

【技术特征摘要】
1.一种脉冲电磁阀驱动电路，其特征在于：包括单片机U1、第一储能模块(10)、第二储能模块(20)、开关SW1、P型场效应管、N型场效应管、至少两个NPN三极管、若干第一电阻、至少两个第二电阻、至少两个第三电阻；所述单片机U1依次通过所述开关SW1和第一储能模块(10)与第一电源正端耦接；所述开关SW1和第一储能模块(10)的连接节点与单片机U1的地端耦合；所述P型场效应管源极与N型场效应管漏极连接；所述P型场效应管栅极一路与N型场效应管栅极均通过第一电阻耦合至第二电源正端和/或地端；所述第二电源正端还与P型场效应管漏极耦合；所述N型场效应管源极耦合至地端；所述脉冲电磁阀的A侧和B侧分别连接有所述P型场效应管；所述脉冲电磁阀与所述P型场效应管的源极连接；所述P型场效应管栅极另一路均连接有NPN三极管；所述NPN三极管基极均依次通过第二电阻、第三电阻与所述N型场效应管栅极耦接；所述第二电阻与第三电阻的连接节点分别与单片机U1耦接；至少一个所述第一电阻与所述第二电源正端的连接节点与所述第二储能模块(20)连接。2.根据权利要求1所述的脉冲电磁阀驱动电路，其特征在于：所述第一储能模块(10)包括电容E2；所述电容E2的阳极与所述单片机U1的第一电源正端连接；所述电容E2阴极与所述单片机U1的地端均接地。3.根据权利要求1所述的脉冲电磁阀驱动电路，其特征在于：所述第二储能模块(20)包括电容E1和电容E3；所述电容E1阴极与电容E3阴极均接地；所述电容E1阳极与电容E3阳极均与至少一个所述第一电阻与所述第二电源正端的连接节点连接。4.根据权利要求2所述的脉冲电磁阀驱动电路，其特征在于：所述电容E2的型号为470μF/16V。5.根据权利要求3所述的脉冲电磁阀驱动电路，其特征在于：所述电容E1和电容E3的型号均为1000μF/35V...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘双春，王志勇，魏肃，柴智，黄志强，刘全喜，
申请(专利权)人：厦门芯阳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35