一种超宽带平面魔T制造技术

本发明专利技术公开了一种超带宽新型平面魔T，其包括由下至上依次设置的第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，耦合线CL3、耦合线CL4、耦合线CL5、耦合线CL6、耦合线CL7、耦合线CL8、开路加载枝节T3、开路加载枝节T4、开路加载枝节T5和开路加载枝节T6构成了3节级联3dB、90度混合电桥；由传输线L1、传输线L2、传输线L3、传输线L4、耦合线CL1、耦合线CL2、连接通孔V1、开路加载枝节T1和开路加载枝节T2构成了90度移相器；由传输线L1、传输线L2、传输线L3、耦合线CL1、耦合线CL2、连接通孔V1、开路加载枝节T1和开路加载枝节T2构成了移相通道，由传输线L4构成了参考通道，进而组合成魔T结构。本发明专利技术结构紧凑、体积小巧，能进一步扩展带宽。

A new ultra flat bandwidth magic T

The invention discloses a novel super-bandwidth planar magic T, which comprises a first metal layer, a second metal layer, a third metal layer and a fourth metal layer, a coupling line CL3, a coupling line CL4, a coupling line CL5, a coupling line CL6, a coupling line CL7, a coupling line CL8, an open-circuit loading branch T3, an open-circuit loading branch T4, and an open-circuit loading branch T4. The circuit loading branch T5 and the open circuit loading branch T6 constitute three cascaded 3dB and 90 degree hybrid bridges, and the 90 degree phase shifter is composed of the transmission line L1, the transmission line L2, the transmission line L3, the transmission line L4, the coupling line CL1, the coupling line CL2, the connection via V1, the open circuit loading branch T1 and the open circuit loading branch T2. Line L3, coupling line CL1, coupling line CL2, connecting via V1, open-circuit loading branch T1 and open-circuit loading branch T2 constitute the phase-shifting channel, and the transmission line L4 constitutes the reference channel, which is then combined into a magic T structure. The invention has compact structure and compact size, and can further expand the bandwidth.

【技术实现步骤摘要】
一种超带宽新型平面魔T
本专利技术涉及微波器件，尤其涉及一种超带宽新型平面魔T。
技术介绍
魔T是一种四端口器件，该器件将功分器与巴伦的特性相结合，能够输出两路输入信号的和与差，在微波
中有着广泛的应用，可用来组成微波阻抗电桥、平衡混频器、功率分配器、和差器、天线双工器、平衡相位检波器、鉴频器、调制器等。但是传统的波导魔T采用立体结构，不仅体积大，而且因宽带的匹配电路难以实现，导致其工作带宽较窄，尽管后来出现的基于槽线结构的平面魔T在一定程度上拓展了带宽，但是仍然不能满足紧凑性、小体积以及进一步拓宽带宽的要求。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是，针对现有技术的不足，提供一种结构紧凑、体积小巧、能进一步扩展带宽的超带宽新型平面魔T。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案。一种超带宽新型平面魔T，其包括有输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5、接地端口P6、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、连接通孔V1、连接通孔V2、连接通孔V3、连接通孔V4和连接通孔V5，其中：所述第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层由下至上依次设置；所述第一金属层的前端由左至右依次间隔设有输出端口P3、接地端口P6和输出端口P2，所述第一金属层的后端由左至右依次间隔设有输入端口P1、接地端口P5和输入端口P4；所述第一金属层上设有接地屏蔽层GND；所述第二金属层上设有传输线L1、传输线L2、传输线L3、传输线L4、传输线L5、传输线L6、耦合线CL1、耦合线CL2、加载开路枝节T1和加载开路枝节T2；所述第三金属层上设有耦合线CL3、耦合线CL6、耦合线CL7、开路加载枝节T3和开路加载枝节T6；所述第四金属层上设有耦合线CL4、耦合线CL5、耦合线CL8、开路加载枝节T4和开路加载枝节T5；所述加载开路枝节T1设于加载开路枝节T2的后侧，开路加载枝节T3设于开路加载枝节T4的后侧，开路加载枝节T5设于开路加载枝节T6的后侧，加载开路枝节T2间隔设于开路加载枝节T3的后侧，开路加载枝节T5间隔设于开路加载枝节T3的右侧；所述传输线L1的一端与输入端口P1连接，另一端与耦合线CL1连接，所述耦合线CL1的一端与传输线L1连接，另一端与传输线L2连接，所述耦合线CL2的一端与传输线L2连接，另一端与传输线L3连接，所述传输线L2通过连接通孔V1与接地屏蔽层GND连接，耦合线CL1和耦合线CL2分别连接加载开路枝节T1和加载开路枝节T2，加载开路枝节T1和加载开路枝节T2均与传输线L2连接，所述传输线L3的一端与耦合线CL2连接，另一端通过连接通孔V2与传输线CL3连接，所述传输线L5的一端通过连接通孔V3与耦合线CL4连接，另一端与输出端口P3连接，所述传输线L4的一端与输入端口P4连接，另一端通过连接通孔V4与耦合线CL5连接，所述传输线L6的一端通过连接通孔V5与耦合线CL6连接，另一端与输出端口P2连接，所述耦合线CL3的一端与连接通孔V2连接，另一端与耦合线CL7连接，所述耦合线CL3与耦合线CL7的连接处连接有开路加载枝节T3，耦合线CL7与耦合线CL6的连接处连接有开路加载枝节T6，所述耦合线CL6的一端与耦合线CL7连接，另一端与连接通孔V5连接，所述耦合线CL4的一端与连接通孔V3连接，另一端与耦合线CL8连接，所述耦合线CL4与耦合线CL8的连接处连接有开路加载枝节T4，所述耦合线CL8与耦合线CL5的连接处连接有开路加载枝节T5，所述耦合线CL5的一端与耦合线CL8连接，另一端与连接通孔V4连接，所述接地端口P5和接地端口P6均与接地屏蔽层GND连接。优选地，所述输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5和接地端口P6均为50欧姆特性阻抗的端口；所述传输线L1、传输线L3、传输线L4、传输线L5和传输线L6的特性阻抗均为50欧姆。优选地，所述耦合线CL1和所述耦合线CL2之间为侧边耦合结构，所述耦合线CL3和所述耦合线CL4之间为侧边错位耦合结构，耦合线CL5和耦合线CL6之间为侧边错位耦合结构，耦合线CL7和耦合线CL8之间为宽边耦合结构。优选地，所述输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5、接地端口P6、第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、连接通孔V1、连接通孔V2、连接通孔V3、连接通孔V4和连接通孔V5均采用LTCC低温共烧陶瓷工艺制作加工。本专利技术公开的超带宽新型平面魔T中，由耦合线CL3、耦合线CL4、耦合线CL5、耦合线CL6、耦合线CL7、耦合线CL8、开路加载枝节T3、开路加载枝节T4、开路加载枝节T5和开路加载枝节T6构成了3节级联3dB、90度混合电桥；由传输线L1、传输线L2、传输线L3、传输线L4、耦合线CL1、耦合线CL2、连接通孔V1、开路加载枝节T1和开路加载枝节T2构成了90度移相器；由传输线L1、传输线L2、传输线L3、耦合线CL1、耦合线CL2、连接通孔V1、开路加载枝节T1和开路加载枝节T2构成了移相通道，由传输线L4构成了参考通道，进而组合成魔T结构。相比现有技术而言，本专利技术将90度移相器与3节级联3dB、90度混合电桥相结合，采用三维立体的多层集成结构，使得平面魔T的结构布局更加紧凑、体积更小、重量更轻、可靠性更高，经过微波仿真软件测试得出，本专利技术平面魔T具有更低的插入损耗、隔离度更高、相对带宽能达到89％，进一步扩展了平面魔T的带宽，有助于满足更宽带宽的应用需求，此外，本专利技术平面魔T的电路结构简单，可实现大批量生产，且使用过程中安装方便，可单独作为零部件使用，亦可通过全自动贴片机安装和焊接，具有较好的实用性和易用性。附图说明图1为本专利技术平面魔T的立体图；图2为第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层的结构图；图3为本专利技术平面魔T的等效原理图；图4为本专利技术平面魔T的S参数曲线图；图5为本专利技术平面魔T的VSWR曲线图；图6为本专利技术平面魔T的隔离度曲线图；图7为本专利技术平面魔T的相位特性曲线图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作更加详细的描述。本专利技术公开了一种超带宽新型平面魔T，结合图1至图3所示，其包括有输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5、接地端口P6、第一金属层1、第二金属层2、第三金属层3、第四金属层4、连接通孔V1、连接通孔V2、连接通孔V3、连接通孔V4和连接通孔V5，其中：所述第一金属层1、第二金属层2、第三金属层3和第四金属层4由下至上依次设置；所述第一金属层1的前端由左至右依次间隔设有输出端口P3、接地端口P6和输出端口P2，所述第一金属层1的后端由左至右依次间隔设有输入端口P1、接地端口P5和输入端口P4；所述第一金属层1上设有接地屏蔽层GND；所述第二金属层2上设有传输线L1、传输线L2、传输线L3、传输线L4、传输线L5、传输线L6、耦合线CL1、耦合线CL2、加载开路枝节T1和加载开路枝节T2；所述第三金属层3上设有耦合线CL3、耦合线CL6、耦合线CL7、开路加载枝节T3和开路加载枝节T6；所述第四金属层4上设有耦合线CL4、耦合线CL5、耦合线CL8、开路加载枝节T4和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超带宽新型平面魔T，其特征在于：包括有输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5、接地端口P6、第一金属层(1)、第二金属层(2)、第三金属层(3)、第四金属层(4)、连接通孔V1、连接通孔V2、连接通孔V3、连接通孔V4和连接通孔V5，其中：所述第一金属层(1)、第二金属层(2)、第三金属层(3)和第四金属层(4)由下至上依次设置；所述第一金属层(1)的前端由左至右依次间隔设有输出端口P3、接地端口P6和输出端口P2，所述第一金属层(1)的后端由左至右依次间隔设有输入端口P1、接地端口P5和输入端口P4；所述第一金属层(1)上设有接地屏蔽层GND；所述第二金属层(2)上设有传输线L1、传输线L2、传输线L3、传输线L4、传输线L5、传输线L6、耦合线CL1、耦合线CL2、加载开路枝节T1和加载开路枝节T2；所述第三金属层(3)上设有耦合线CL3、耦合线CL6、耦合线CL7、开路加载枝节T3和开路加载枝节T6；所述第四金属层(4)上设有耦合线CL4、耦合线CL5、耦合线CL8、开路加载枝节T4和开路加载枝节T5；所述加载开路枝节T1设于加载开路枝节T2的后侧，开路加载枝节T3设于开路加载枝节T4的后侧，开路加载枝节T5设于开路加载枝节T6的后侧，加载开路枝节T2间隔设于开路加载枝节T3的后侧，开路加载枝节T5间隔设于开路加载枝节T3的右侧；所述传输线L1的一端与输入端口P1连接，另一端与耦合线CL1连接，所述耦合线CL1的一端与传输线L1连接，另一端与传输线L2连接，所述耦合线CL2的一端与传输线L2连接，另一端与传输线L3连接，所述传输线L2通过连接通孔V1与接地屏蔽层GND连接，耦合线CL1和耦合线CL2分别连接加载开路枝节T1和加载开路枝节T2，加载开路枝节T1和加载开路枝节T2均与传输线L2连接，所述传输线L3的一端与耦合线CL2连接，另一端通过连接通孔V2与传输线CL3连接，所述传输线L5的一端通过连接通孔V3与耦合线CL4连接，另一端与输出端口P3连接，所述传输线L4的一端与输入端口P4连接，另一端通过连接通孔V4与耦合线CL5连接，所述传输线L6的一端通过连接通孔V5与耦合线CL6连接，另一端与输出端口P2连接，所述耦合线CL3的一端与连接通孔V2连接，另一端与耦合线CL7连接，所述耦合线CL3与耦合线CL7的连接处连接有开路加载枝节T3，耦合线CL7与耦合线CL6的连接处连接有开路加载枝节T6，所述耦合线CL6的一端与耦合线CL7连接，另一端与连接通孔V5连接，所述耦合线CL4的一端与连接通孔V3连接，另一端与耦合线CL8连接，所述耦合线CL4与耦合线CL8的连接处连接有开路加载枝节T4，所述耦合线CL8与耦合线CL5的连接处连接有开路加载枝节T5，所述耦合线CL5的一端与耦合线CL8连接，另一端与连接通孔V4连接，所述接地端口P5和接地端口P6均与接地屏蔽层GND连接。...

【技术特征摘要】
2017.06.07 CN 20171042423421.一种超带宽新型平面魔T，其特征在于：包括有输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5、接地端口P6、第一金属层(1)、第二金属层(2)、第三金属层(3)、第四金属层(4)、连接通孔V1、连接通孔V2、连接通孔V3、连接通孔V4和连接通孔V5，其中：所述第一金属层(1)、第二金属层(2)、第三金属层(3)和第四金属层(4)由下至上依次设置；所述第一金属层(1)的前端由左至右依次间隔设有输出端口P3、接地端口P6和输出端口P2，所述第一金属层(1)的后端由左至右依次间隔设有输入端口P1、接地端口P5和输入端口P4；所述第一金属层(1)上设有接地屏蔽层GND；所述第二金属层(2)上设有传输线L1、传输线L2、传输线L3、传输线L4、传输线L5、传输线L6、耦合线CL1、耦合线CL2、加载开路枝节T1和加载开路枝节T2；所述第三金属层(3)上设有耦合线CL3、耦合线CL6、耦合线CL7、开路加载枝节T3和开路加载枝节T6；所述第四金属层(4)上设有耦合线CL4、耦合线CL5、耦合线CL8、开路加载枝节T4和开路加载枝节T5；所述加载开路枝节T1设于加载开路枝节T2的后侧，开路加载枝节T3设于开路加载枝节T4的后侧，开路加载枝节T5设于开路加载枝节T6的后侧，加载开路枝节T2间隔设于开路加载枝节T3的后侧，开路加载枝节T5间隔设于开路加载枝节T3的右侧；所述传输线L1的一端与输入端口P1连接，另一端与耦合线CL1连接，所述耦合线CL1的一端与传输线L1连接，另一端与传输线L2连接，所述耦合线CL2的一端与传输线L2连接，另一端与传输线L3连接，所述传输线L2通过连接通孔V1与接地屏蔽层GND连接，耦合线CL1和耦合线CL2分别连接加载开路枝节T1和加载开路枝节T2，加载开路枝节T1和加载开路枝节T2均与传输线L2连接，所述传输线L3的一端与耦合线C...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴永胜，杨茂雅，陈相治，孙超，
申请(专利权)人：深圳市永盛微波技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44