具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔与线路板组件的制造方法技术

本发明专利技术公开一种具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔与线路板组件的制造方法。具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法包括通过电解方法以形成生箔层，且生箔层具有一预定表面。接着，在生箔层的预定表面形成一表面处理层，以形成表层具有绒毛结构的电解铜箔。表面处理层包括多个绒毛状铜瘤，且每两个相邻的绒毛状铜瘤之间形成一绒毛状容置空间。形成表面处理层的步骤还进一步包括：执行一第一次电镀粗化处理以及执行一第一次电镀固化处理，其中，第一次电镀粗化处理所使用的一第一电镀液中含3至40g/L的铜、100至120g/L的硫酸、不超过20ppm的氧化砷以及5至20ppm的钨酸根离子。借此，由于表层具有近似绒毛结构的电解铜箔和树脂基板之间具有更大的接触面积，从而可具有更高的剥离强度。

Electrolytic copper foil with a similar villous copper tumor and manufacturing method of circuit board assembly

The invention discloses a manufacturing method of electrolytic copper foil and circuit board assembly with an approximate villous copper tumor. The manufacturing method of electrolytic copper foil with similar villous copper nodules includes forming a raw foil layer by electrolytic method, and the raw foil layer has a predetermined surface. A surface treatment layer is then formed on the predetermined surface of the raw foil layer to form an electrolytic copper foil with a fluffy structure on the surface layer. The surface treatment layer comprises a plurality of villous copper nodules, and a villous accommodation space is formed between each two adjacent villous copper nodules. The steps for forming a surface treatment layer further include performing a first plating coarsening treatment and a first plating solidification treatment, wherein the first plating coarsening treatment uses a first plating bath containing 3 to 40 g/L copper, 100 to 120 g/L sulphuric acid, arsenic oxide not exceeding 20 ppm, and tungstate 5 to 20 ppm. Ions. As a result, the contact area between the electrolytic copper foil and the resin substrate is larger, and the peeling strength is higher.

【技术实现步骤摘要】
具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔与线路板组件的制造方法
本专利技术涉及一种电解铜箔以及线路板组件的制造方法，特别是涉及一种表层具有绒毛结构的电解铜箔的制造方法，以及一种使用表层具有绒毛结构的电解铜箔的线路板组件的制造方法。
技术介绍
现有应用于印刷电路基板的铜箔，会通过电镀在阴极轮上形成原箔，再经过后段处理制程而形成最终的产品。后段处理包括对原箔的粗糙面执行粗化处理，以在原箔的粗糙面形成多个铜瘤，从而增加铜箔与电路基板之间的接着强度，也就是增加铜箔的剥离强度。然而，电子产品近年来趋向高频高速化，在传递高频信号时，会产生所谓的趋肤效应(skineffect)。在专利文献1(日本专利特许第5116943号)中，提供一种高频电路用铜箔及其制造方法，说明铜箔表面的形状对传输损耗有很大的影响，粗糙度大的铜箔，其信号的传播距离变长，就会产生信号衰减和延迟的问题。换句话说，铜箔的表面越平滑则信号在导体中传递的损耗越小。因此，铜箔表面的平整性便扮演非常重要的角色。若铜箔表面粗糙度越高，则在传输高频信号时越容易损耗。请参考图1，其显示现有技术中的铜箔的局部剖面示意图。如图1所示，在现有技术中铜箔F1的表面所形成的多个铜瘤F10大致上呈圆球状，且大部分圆球状铜瘤F10在水平方向的最大尺寸会大于在垂直方向上的最大尺寸。如此，虽然可以使铜箔的粗糙度维持在一默认值，但是会造成铜箔在和高频基板接合时，铜箔的剥离强度不足。但是，若尝试以降低铜箔表面的粗糙度来降低高频信号传输损耗，又会降低铜箔和电路基板压合的剥离强度。因此，如何在提升铜箔的剥离强度时，又能同时保持铜箔表面的平整性是目前业界人员研发的一大课题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种电解铜箔以及线路板组件的制造方法。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是，提供一种具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法。具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法包括通过电解方法以形成生箔层，且生箔层具有一预定表面。接着，在生箔层的预定表面形成一表面处理层，以形成表层具有近似绒毛结构的电解铜箔。表面处理层包括多个近似绒毛状的铜瘤，且每两个相邻的近似绒毛状的铜瘤之间形成一近似绒毛状的容置空间。形成表面处理层的步骤还进一步包括：执行一第一次电镀粗化处理以及执行一第一次电镀固化处理，其中，第一次电镀粗化处理所使用的一第一电镀液中含3至40g/L的铜、100至120g/L的硫酸、不超过20ppm的氧化砷以及5至20ppm的钨酸根离子。优选地，在执行所述第一电镀粗化处理时所使用的电流密度是15至40A/dm2，且所述预定表面为粗糙面或者光滑面。优选地，形成所述表面处理层的步骤还进一步包括：执行一第二次电镀粗化处理以及执行一第二次电镀固化处理，所述第二次电镀粗化处理的参数与所述第一次电镀粗化处理的参数相同，且所述第二次电镀固化处理的参数与所述第一次电镀固化处理的参数相同。优选地，形成所述表面处理层的步骤是依序执行所述第一次电镀粗化处理、所述第一次电镀固化处理、所述第二次电镀粗化处理及所述第二次电镀固化处理。优选地，形成所述表面处理层的步骤是依序执行所述第一次电镀粗化处理、所述第二次电镀粗化处理、所述第一次电镀固化处理及所述第二次电镀固化处理。优选地，在执行所述第一次电镀固化处理时所使用的一第二电镀液中含50至70g/L的铜、70至100g/L的硫酸以及低于30ppm的氧化砷，且在执行所述第一次电镀固化处理时所使用的电流密度是2至9A/dm2。优选地，执行一抗热处理，以在所述表面处理层上形成一锌合金抗热层，其中，在执行所述抗热处理时所使用的电解液组成包括1至4g/L的锌以及0.3至2.0g/L的镍，且在执行所述抗热处理时所使用的电流密度是0.4至2.5A/dm2。优选地，执行一抗氧化处理，以在所述表面处理层上形成一抗氧化层，其中，在执行所述抗氧化处理时所使用的电解液组成包括1至4g/L的氧化铬以及5至20g/L的氢氧化钠，且在执行所述抗热处理时所使用的电流密度是0.3至3.0A/dm2。优选地，执行一硅烷耦合处理，以在所述表面处理层上形成一硅烷耦合剂处理层，其中，在执行所述硅烷耦合处理时使用0.3至1.5％重量硅烷耦合剂。优选地，多个所述近似绒毛状的铜瘤具有一最大的长轴直径以及一最大的短轴直径，最大的长轴直径介于0.5μm至1.5μm之间，最大的短轴直径介于0.1μm至1.0μm之间，且最大短轴直径与最大长轴直径之间的比值是0.2至0.7。优选地，多个所述近似绒毛状的铜瘤的分布密度为每平方微米2至5颗，且每两个相邻的所述近似绒毛状的铜瘤之间的间距是介于0.1至0.4μm之间。本专利技术所采用的其中一技术方案是，提供一种线路板组件的制造方法，其包括提供由所述制造方法所形成的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔；以及将具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔与一树脂基板面对面压合，以形成一线路板组件，其中，表面处理层面对树脂基板。优选地，所述具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的剥离强度至少大于3lb/in。优选地，所述具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔与所述树脂基板通过一黏着胶结合，且所述黏着胶的一部分填入所述近似绒毛状的容置空间内。优选地，所述树脂基板为半固化基板或液晶高分子基板，且当所述具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔与所述树脂基板压合时，所述树脂基板的一部分填入所述近似绒毛状的容置空间内。本专利技术的有益效果在于，通过上述制造方法，可以使电解铜箔的表面处理层具有多个绒毛状铜瘤或近似绒毛状的铜瘤。也就是说，绒毛状铜瘤或近似绒毛状的铜瘤的宽度比现有技术中的圆球状铜瘤的宽度小。因此，当表层具有近似绒毛结构的电解铜箔和树脂基板接着时，相较于现有技术中具有圆球状铜瘤的电解铜箔而言，表层具有近似绒毛结构的电解铜箔和树脂基板之间具有更大的接触面积，从而可具有更高的剥离强度。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制者。附图说明图1为现有技术中的电解铜箔的局部剖面示意图。图2为本专利技术实施例的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法的流程图。图3为用以执行图2的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法的系统的示意图。图4为本专利技术实施例的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的局部剖面示意图。图5为图4的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔在区域V的局部放大示意图。图6为本专利技术实施例的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔在扫描式电子显微镜(SEM)的照片。图7为比较例的电解铜箔在扫描式电子显微镜(SEM)的照片。图8为本专利技术实施例的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的聚焦离子束(FIB)照片。图9为本专利技术实施例的线路板组件的剖面示意图。图10为图9的线路板组件在区域X的局部放大图。图11为本专利技术另一实施例的线路板组件的剖面示意图。具体实施方式以下是通过特定的具体实施例来说明本专利技术所公开有关“具近似绒毛状铜瘤的电电解铜箔以及线路板组件的制造方法”的实施方式。本专利技术实施例所提供的制造方法可获得具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔，其具有低粗度及高剥离强度。另外，以前述方法所制造的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔和树脂基板相互接合所形成的线路板组件可应用于高频信号传输。请参照图2及图3。图2显示本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，所述具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法包括：通过一电解方法以形成一生箔层，其中，所述生箔层具有一预定表面；以及形成一表面处理层于所述生箔层的所述预定表面，以形成一表层具有近似绒毛结构的电解铜箔，其中，所述表面处理层包括多个近似绒毛状的铜瘤，且每两个相邻的所述近似绒毛状的铜瘤之间形成一近似绒毛状的容置空间；其中，形成所述表面处理层的步骤还进一步包括：执行一第一次电镀粗化处理以及执行一第一次电镀固化处理，其中，所述第一次电镀粗化处理所使用的一第一电镀液中含3至40g/L的铜、100至120g/L的硫酸、不超过20ppm的氧化砷以及5至20ppm的钨酸根离子。

【技术特征摘要】
2017.02.24 TW 1061064561.一种具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，所述具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法包括：通过一电解方法以形成一生箔层，其中，所述生箔层具有一预定表面；以及形成一表面处理层于所述生箔层的所述预定表面，以形成一表层具有近似绒毛结构的电解铜箔，其中，所述表面处理层包括多个近似绒毛状的铜瘤，且每两个相邻的所述近似绒毛状的铜瘤之间形成一近似绒毛状的容置空间；其中，形成所述表面处理层的步骤还进一步包括：执行一第一次电镀粗化处理以及执行一第一次电镀固化处理，其中，所述第一次电镀粗化处理所使用的一第一电镀液中含3至40g/L的铜、100至120g/L的硫酸、不超过20ppm的氧化砷以及5至20ppm的钨酸根离子。2.如权利要求1所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，在执行所述第一电镀粗化处理时所使用的电流密度是15至40A/dm2，且所述预定表面为粗糙面或者光滑面。3.如权利要求2所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，形成所述表面处理层的步骤还进一步包括：执行一第二次电镀粗化处理以及执行一第二次电镀固化处理，所述第二次电镀粗化处理的参数与所述第一次电镀粗化处理的参数相同，且所述第二次电镀固化处理的参数与所述第一次电镀固化处理的参数相同。4.如权利要求3所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，形成所述表面处理层的步骤是依序执行所述第一次电镀粗化处理、所述第一次电镀固化处理、所述第二次电镀粗化处理及所述第二次电镀固化处理。5.如权利要求3所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，形成所述表面处理层的步骤是依序执行所述第一次电镀粗化处理、所述第二次电镀粗化处理、所述第一次电镀固化处理及所述第二次电镀固化处理。6.如权利要求1所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，在执行所述第一次电镀固化处理时所使用的一第二电镀液中含50至70g/L的铜、70至100g/L的硫酸以及低于30ppm的氧化砷，且在执行所述第一次电镀固化处理时所使用的电流密度是2至9A/dm2。7.如权利要求1所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法，其特征在于，所述的具近似绒毛状铜瘤的电解铜箔的制造方法还进一步包括：执行一抗热处理，以在所述表面处理层上形成一锌合金抗热层，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈黼泽，邹明仁，林士晴，
申请(专利权)人：南亚塑胶工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71