静电吸附装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种静电吸附装置。所述静电吸附装置，包括静电吸附盘，还包括设置于所述静电吸附盘中的吹扫组件，用于对所述静电吸附盘表面的杂质粒子进行气体吹扫，且所述吹扫组件能够沿竖直方向进行升降运动。本实用新型专利技术能够有效、及时的去除静电吸附盘表面的杂质粒子，不需要将处理腔室停机并进行人工维护，确保了晶圆处理工序正常、高效的进行，减少了人力成本的投入，缩短了晶圆的生产周期。

Electrostatic adsorption device

The utility model relates to the field of semiconductor manufacturing technology, in particular to an electrostatic adsorption device. The electrostatic adsorption device includes an electrostatic adsorption disc and a purging assembly arranged in the electrostatic adsorption disc for purging impurity particles on the surface of the electrostatic adsorption disc, and the purging assembly can be lifted and lowered in a vertical direction. The utility model can effectively and timely remove impurity particles on the surface of the electrostatic adsorption disc without stopping the processing chamber and performing manual maintenance, thus ensuring the normal and efficient process of the wafer processing, reducing the input of labor cost and shortening the production cycle of the wafer.

【技术实现步骤摘要】
静电吸附装置
本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种静电吸附装置。
技术介绍
在晶圆的刻蚀、物理气相沉积和化学气相沉积等工艺步骤中，通常需要采用静电吸附装置来固定和支撑晶圆。静电吸附装置一般包括基座以及设置在基座上用于吸附晶圆的静电吸附盘。静电吸附装置利用静电吸附原理将待加工的晶圆吸附在静电吸附盘表面，避免了晶圆在进行工艺处理过程中发生移位或者错位。但是，现有的静电吸附装置中的静电吸附盘表面常常会聚集一些杂质粒子，而现有的静电吸附装置仅仅用于吸附晶圆，对于静电吸附盘表面的杂质粒子无任何去除措施，这不仅会导致静电吸附机台产生错误报警，影响晶圆处理工序的正常进行，而且还有可能造成晶圆表面的损伤。目前，对静电吸附装置中静电吸附盘表面杂质粒子的清除，只能依靠工作人员定期开腔、人工维护。而这种定期维护的方式，需要在处理腔室停机的状态下进行，这无疑又增大了晶圆的生产周期。因此，如何有效去除静电吸附装置中静电吸附盘表面的杂质粒子，确保晶圆处理工序正常、高效的进行，是目前亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本技术提供一种静电吸附装置，用以解决现有的静电吸附装置中静电吸附盘表面的杂质粒子无法及时去除、影响晶圆处理工序正常进行的问题。为了解决上述问题，本技术提供了一种静电吸附装置，包括静电吸附盘，还包括设置于所述静电吸附盘中的吹扫组件，用于对所述静电吸附盘表面的杂质粒子进行气体吹扫，且所述吹扫组件能够沿竖直方向进行升降运动。优选的，还包括用于支撑所述静电吸附盘的基座、以及从所述基座延伸至所述静电吸附盘且贯穿所述静电吸附盘的通道，所述吹扫组件设置于所述通道内。优选的，所述通道沿所述基座的轴向延伸并贯穿所述静电吸附盘的中心。优选的，所述吹扫组件包括管道、升降器和控制器；所述管道，设置于所述通道内，吹扫气体经所述管道向所述静电吸附盘表面喷射；所述升降器，连接所述控制器、所述管道，用于根据所述控制器的指令控制所述管道在所述通道内沿竖直方向进行升降运动。优选的，所述控制器，能够通过所述升降器控制所述管道竖直上升至高于所述静电吸附盘吸附表面的第一预设位置，且能够通过所述升降器控制所述管道竖直下降至低于所述静电吸附盘吸附表面的第二预设位置。优选的，所述控制器还用于检测所述静电吸附装置是否发生错误报警，若是，则通过所述升降器控制所述管道竖直上升至高于所述静电吸附盘吸附表面的第一预设位置，并开始向所述静电吸附盘表面进行气体吹扫。优选的，还包括真空泵，所述真空泵用于吸收经所述吹扫组件吹扫的杂质粒子。优选的，所述真空泵设置于所述基座下方，且所述真空泵的轴线与所述基座的轴线重合。优选的，所述真空泵包括涡轮分子泵和/或干式真空泵。优选的，所述气体为惰性气体。本技术提供的静电吸附装置，通过在静电吸附盘中增加一能够沿竖直方向升降运动的吹扫组件，以对所述静电吸附盘表面的杂质粒子进行气体吹扫，从而能够有效、及时的去除静电吸附盘表面的杂质粒子，不需要将处理腔室停机并进行人工维护，确保了晶圆处理工序正常、高效的进行，减少了人力成本的投入，缩短了晶圆的生产周期。附图说明附图1是本技术具体实施方式中管道竖直上升至第一预设位置时的结结构示意图；附图2是本技术具体实施方式中管道竖直下降至第二预设位置时的结结构示意图；附图3是本技术具体实施方式中吹扫组件的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术提供的静电吸附装置的具体实施方式做详细说明。本具体实施方式提供了一种静电吸附装置，附图1是本技术具体实施方式中管道竖直上升至第一预设位置时的结结构示意图，附图2是本技术具体实施方式中管道竖直下降至第二预设位置时的结结构示意图。如图1、2所示，本具体实施方式提供的静电吸附装置，包括静电吸附盘11。所述静电吸附盘11利用静电吸附原理将待加工的晶圆吸附于吸附表面111，以实现对晶圆的固定，避免晶圆在加工过程中出现位移或错位。为了有效清除所述静电吸附盘11表面的杂质粒子，避免对晶圆的性能以及晶圆加工工序造成影响，本具体实施方式提供的静电吸附装置还包括设置于所述静电吸附盘11中的吹扫组件12，所述吹扫组件12用于对所述静电吸附盘11表面的杂质粒子进行气体吹扫，且所述吹扫组件12能够沿竖直方向进行升降运动。通过所述吹扫组件12沿竖直方向的升降运动，从而在实现对所述静电吸附盘11表面杂质粒子吹扫的同时，也不影响所述静电吸附盘11对待加工晶圆的吸附。优选的，所述吹扫组件12能够向所述静电吸附盘11的整个吸附表面111吹扫气体。具体来说，所述吹扫组件12能够从多个方向向所述吸附表面111吹扫气体，使得气体能够吹扫至整个吸附表面111，从而全面清除所述静电吸附盘表面的杂质粒子。为了不对所述晶圆处理工艺造成影响，优选的，所述气体为惰性气体。为了便于所述吹扫组件12进行升降运动，优选的，本具体实施方式提供的静电吸附装置还包括用于支撑所述静电吸附盘11的基座14、以及从所述基座14延伸至所述静电吸附盘11且贯穿所述静电吸附盘11的通道13，所述吹扫组件12设置于所述通道13内。这样，通过将所述吹扫组件12限定于所述通道13内，从而能够实现所述吹扫组件12按照预设的路径(即通道13)进行升降运动，也便于对所述吹扫组件12的运动状态进行控制，进一步提高了所述吹扫组件12吹扫所述静电吸附盘11表面杂质粒子的灵活性。为了便于向所述静电吸附盘的整个吸附表面111进行气体吹扫，从而实现对整个所述吸附表面111杂质粒子的清除，更优选的，所述通道13沿所述基座14的轴向延伸并贯穿所述静电吸附盘11的中心。附图3是本技术具体实施方式中吹扫组件的结构示意图。为了简化所述静电吸附装置整体的结构，降低所述静电吸附装置的成本，优选的，如图3所示，所述吹扫组件12包括管道123、升降器122和控制器121；所述管道123，设置于所述通道13内，吹扫气体经所述管道123向所述静电吸附盘11表面喷射；所述升降器122，连接所述控制器121、所述管道123，用于根据所述控制器121的指令控制所述管道123在所述通道13内沿竖直方向进行升降运动。为了简化所述静电吸附装置的控制电路结构，优选的，所述控制器121，能够通过所述升降器122控制所述管道123竖直上升至高于所述静电吸附盘11吸附表面111的第一预设位置(如图1所示)，且能够通过所述升降器122控制所述管道123竖直下降至低于所述静电吸附盘11吸附表面111的第二预设位置(如图2所示)。其中，所述第一预设位置本领域技术人员可以根据实际需要进行设置，只要能实现从所述管道123喷出的气体能够对所述吸附表面111的杂质粒子进行吹扫即可；所述第二预设位置本领域技术人员也可以根据实际需要进行设置，只要不影响所述静电吸附盘11对待加工晶圆的吸附即可。为了进一步实现所述静电吸附装置清除杂质粒子的自动化程度，优选的，所述控制器121还用于检测所述静电吸附装置是否发生错误报警，若是，则通过所述升降器122控制所述管道123竖直上升至高于所述静电吸附盘11吸附表面111的第一预设位置，并开始向所述静电吸附盘11表面进行气体吹扫。为了对从所述静电吸附盘表面吹扫下来的杂质粒子进行收集，避免杂质粒子在晶圆处理腔室中飞溅，同时进一步彻底清除所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电吸附装置，包括静电吸附盘，其特征在于，还包括设置于所述静电吸附盘中的吹扫组件，用于对所述静电吸附盘表面的杂质粒子进行气体吹扫，且所述吹扫组件能够沿竖直方向进行升降运动。

【技术特征摘要】
1.一种静电吸附装置，包括静电吸附盘，其特征在于，还包括设置于所述静电吸附盘中的吹扫组件，用于对所述静电吸附盘表面的杂质粒子进行气体吹扫，且所述吹扫组件能够沿竖直方向进行升降运动。2.根据权利要求1所述的静电吸附装置，其特征在于，还包括用于支撑所述静电吸附盘的基座、以及从所述基座延伸至所述静电吸附盘且贯穿所述静电吸附盘的通道，所述吹扫组件设置于所述通道内。3.根据权利要求2所述的静电吸附装置，其特征在于，所述通道沿所述基座的轴向延伸并贯穿所述静电吸附盘的中心。4.根据权利要求3所述的静电吸附装置，其特征在于，所述吹扫组件包括管道、升降器和控制器；所述管道，设置于所述通道内，吹扫气体经所述管道向所述静电吸附盘表面喷射；所述升降器，连接所述控制器、所述管道，用于根据所述控制器的指令控制所述管道在所述通道内沿竖直方向进行升降运动。5.根据权利要求4所述的静电吸附装置，其特征在于，所述控制器...

【专利技术属性】
技术研发人员：王敏磊，栾剑峰，刘家桦，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32