处理流体-抽吸装置和包含其的蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种抽吸装置，所述抽吸装置用于从处理基底的基本上平坦的处理表面（3a）处抽吸处理流体，借助运输辊（8、10）沿着基本上水平的运输方向来运输所述处理基底，所述抽吸装置具有抽吸源、操控所述抽吸源的抽吸控制单元和具有至少一个抽吸枪的抽吸管单元，所述抽吸管单元与所述抽吸源连接，所述抽吸枪能够利用一个或者多个入口侧的抽吸喷嘴开口以至所述处理表面的抽吸距离来定位。此外，本发明专利技术涉及一种配备有这种抽吸装置的蚀刻装置。就根据本发明专利技术的抽吸装置而言，抽吸源和抽吸控制单元被设计为每抽吸枪至少30m3/h的抽吸体积流量和不大于8kPa的抽吸‑负压。附加地或者可替代的，抽吸枪具有梳状的抽吸结构，所述抽吸结构具有一个抽吸收集管（17）和多个从其处梳状突出的抽吸管（18），所述抽吸管在入口侧具有所述抽吸喷嘴开口（19）。例如用于蚀刻印刷电路板、导体箔或者半导体晶片的应用。

Processing fluid suction device and etching device including the same

The present invention relates to a suction device for sucking treatment fluids from a substantially flat treatment surface (3a) of a treatment substrate and transporting the treatment substrate along a substantially horizontal transport direction by means of a transport roller (8, 10). The suction device has a suction source and operates the suction source. The control unit and the suction pipe unit having at least one suction gun are connected with the suction source, and the suction gun can be positioned by opening of one or more suction nozzles on the inlet side to the suction distance of the processing surface. In addition, the invention relates to an etching device equipped with such a suction device. As far as the suction device according to the invention is concerned, the suction source and the suction control unit are designed to have a suction volume flow rate of at least 30 m3/h per suction gun and a suction negative pressure of not more than 8 kPa. Additionally or alternatively, the suction gun has a comb-shaped suction structure having one suction manifold (17) and a plurality of comb-shaped protruding suction tubes (18) from which the suction pipe has the suction nozzle opening (19) on the inlet side. For example, for etching printed circuit boards, conductor foil or semiconductor wafer applications.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】处理流体-抽吸装置和包含其的蚀刻装置
本专利技术涉及一种抽吸装置，所述抽吸装置用于从处理基底的基本上平坦的处理表面处抽吸处理流体，借助运输辊沿着基本上水平的运输方向来运输所述处理基底，其中，所述抽吸装置具有抽吸源、操控所述抽吸源的抽吸控制单元和具有至少一个抽吸枪的抽吸管单元，所述抽吸管单元与所述抽吸源连接，所述抽吸枪能够利用一个或者多个入口侧的抽吸喷嘴开口以至所述处理表面的抽吸距离来定位。此外，本专利技术涉及一种配备有这种抽吸装置的蚀刻装置，所述蚀刻装置借助蚀刻流体来湿化学蚀刻所述处理基底的基本上平坦的处理表面，其中，所述蚀刻装置此外包括至少一个蚀刻模块以及蚀刻流体输送器件和具有运输辊的运输单元，所述蚀刻模块具有蚀刻流体贮存器，所述蚀刻流体输送器件用于将所述蚀刻流体从所述蚀刻流体贮存器输送到所述处理表面，所述运输单元用于沿着基本上水平的运输方向来运输所述处理基底，并且，抽吸装置被设置用于从所述处理表面处抽吸所述蚀刻流体。这种蚀刻装置例如被用于印制电路板、导体箔或者半导体晶片的湿化学表面蚀刻。
技术介绍
公开文献DE4121032A1公开了一种装置，所述装置利用流体的处理介质沿着基本上水平的运输路径来处理板状的物体，其中，借助施加装置或者借助驻波而将处理介质施加到待处理的表面上。在运输方向上看，在处理介质的施加位置之前或者之后布置有抽吸管，所述抽吸管具有抽吸开口，所述抽吸开口面向待处理的表面并且基本上在运输路径的整个宽度上延伸。通过抽吸开口的这种布置，能够将所处理的表面区域（所述表面区域在处理时刻与所述处理介质接触）沿着运输方向定义或者限定在其膨胀部中。抽吸管分别包括抽吸喷嘴，其中，抽吸喷嘴连接在容器处，所述容器用于分离所抽吸的液体份额和空气份额，所述容器就其而言与真空泵连接，所述真空泵提供用于抽吸喷嘴的负压。开头所提到类型的、另外的抽吸装置在公开文献DE10039558A1中的、在用于喷涂处理印刷电路板的装置的应用中得到公开。那里的抽吸装置包括抽吸喷嘴组件以及流体运行的喷射器设备，所述抽吸喷嘴组件用于在喷涂操作期间从印刷电路板的上侧抽吸所喷涂的处理流体，所述喷射器设备用于产生用于抽吸喷嘴组件的负压，其中，喷射器设备优选被布置在存储容器（在该存储容器中存储有处理流体）中并且由用于处理流体的循环回路馈送，所述循环回路配备有循环泵。喷射器设备尤其能够配备有文丘里喷嘴。公开文献DE3022146A1公开了一种用于板状的物体的抽吸装置，如利用液态的介质预先处理的并且由钻孔贯穿的印刷电路板，所述抽吸装置具有抽吸头，所述抽吸头能够与抽吸风扇连接，所述抽吸头具有至少一个在其端部处闭合的抽吸槽，物体借助输送装置能够横向于其纵向方向地运动经过所述抽吸槽。为了优化抽吸功率，设置了抽吸槽盖，所述抽吸槽盖包括多个盖元件，所述盖元件能够彼此独立地在覆盖或者释放在对应的区域中的抽吸槽的位置之间运动，其中，它们能够通过相应的物体的经过而被控制到释放的打开位置中，并且，在物体的经过之后自动地返回到覆盖位置中。
技术实现思路
本专利技术基于的技术问题为：提供开头所提到类型的抽吸装置，所述抽吸装置实现了用于对应的应用的、对处理流体的、改进的抽吸，并且，在应用在蚀刻装置时能够有助于改进蚀刻工艺。此外，本专利技术基于提供对应改进的蚀刻装置。通过提供具有权利要求1的特征的抽吸装置以及具有权利要求9的特征的蚀刻装置，本专利技术解决了这种问题。根据本专利技术的一个方面，将抽吸装置的所述抽吸源和所述抽吸控制单元设计为每抽吸枪至少30m3/h的抽吸体积流量和不大于8kPa的抽吸-负压。在这里，当前能够将概念“抽吸-负压”理解为与周围大气的差值-负压。因此，与典型地用于当前使用目的的抽吸装置相比，根据本专利技术的抽吸装置被设置用于，提供显著更高的抽吸体积流量和显著更小的压差以用于抽吸处理流体。因此，处理流体利用这种抽吸装置主要通过相对高的体积流量并且与就常规的、传统的抽吸装置而言不同地主要通过高的差值-负压而被抽吸。这为改进的抽吸行为并且在蚀刻装置的应用中为改进的蚀刻工艺提供了良好的前提条件。相应地，每抽吸枪的相对较高的抽吸体积流量和相对较低的压差导致在抽吸喷嘴开口处的、高的流速，使得抽吸装置按照流速的原理工作并且抽吸功率受不同介质（例如空气和处理流体）的非显著的负面影响，所述抽吸体积流量例如也能够在200m3/h至300m3/h的范围中，所述压差例如也能够仅为2kPa至3kPa，所述介质具有不同的密度。此外，相对较小的压差的使用降低了这种风险：处理基底粘附在抽吸枪处。根据本专利技术的、另外的方面，根据本专利技术的抽吸装置的抽吸枪具有梳状的抽吸结构，所述抽吸结构具有一个抽吸收集管和多个从其处梳状突出的抽吸管，在所述抽吸管处在入口侧设置有抽吸喷嘴开口。在对应的应用情况中，这种梳状的抽吸结构通过以下方式提供了明显改进的抽吸行为：施加到处理表面上的处理流体能够非常均匀并且有效地被从这个处理表面再次抽吸出。特别有利地，这两个专利技术方面能够应要求地彼此组合。对于相应的运输辊设有相互间隔地布置在其上的运输滚轮的应用来说，本专利技术的改型方案是有利地，其中，所述梳状的抽吸结构的所述抽吸管从所述抽吸收集管出发延伸到间隙中，所述间隙在所述运输辊的运输滚轮之间。由此，处理流体能够在非常靠近相关的运输辊的区域中被抽吸，这能够有利于对处理流体的、良好的并且均匀的抽吸。在这种措施的、另外的构型中，所述抽吸管利用其抽吸喷嘴开口以至所述处理表面的抽吸距离在所述运输滚轮的下水平面的上方并且在竖直平面中或者从这个竖直平面间隔开至多10mm地终止，所述竖直平面穿过所述运输辊的旋转轴线。在许多情形中，抽吸喷嘴开口的这种布置比其在两个相继的运输辊之间的区域中的布置明显更有利。在这种措施的、另外的构型中，所述抽吸管利用其抽吸喷嘴开口终止在所述运输滚轮的下水平面的上方的至多7mm的距离处。这意味着，抽吸喷嘴开口处于运输滚轮的最低点的区域中或者在任何情况下仅相对稍微地处于运输滚轮的这个最低水平面的上方，由此，能够进一步地优化抽吸装置的抽吸行为。在本专利技术的改型方案中，所述抽吸源包括径流式通风机或者侧通道式压缩机。这种类型的抽吸源证明对于当前的抽吸装置来说是特别有利的，因为利用所述抽吸装置能够无问题地仅在适度的差值-负压时提供所提到的、高的抽吸体积流量。在本专利技术的改型方案中，抽吸装置的抽吸源利用冲洗管线入口和冲洗管线出口被接合到冲洗管线中。在需要时，这允许了对抽吸源的、简单的冲洗，以便例如从所抽吸的处理流体的剩余物中清洁它。在本专利技术的改型方案中，抽吸装置具有处理介质-收集箱，所述处理介质-收集箱在入口处与所述至少一个抽吸枪连接并且在出口处与所述抽吸源连接，并且，具有有效流动横截面，所述有效流动横截面大于汇入其中的、至少一个抽吸枪的有效流动横截面。后者实现了，抽吸速度在收集箱的区域中明显下降，这有助于从抽吸流中收集或者分离处理介质。因此，在收集箱中能够将液态的处理介质与气态的抽吸流份额分离。在这种措施的构型中，相应的抽吸枪的所述抽吸收集管在所述处理介质-收集箱的方向上被布置为具有斜坡。这有助于在收集箱的方向上运输从处理表面处所抽吸的处理流体。根据本专利技术的蚀刻装置配备有根据本专利技术的抽吸装置，并且，由此对应地实现了有利的蚀刻工艺。在本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.抽吸装置，所述抽吸装置用于从处理基底（3）、尤其是印刷电路板或者导体箔或者半导体晶片的、基本上平坦的处理表面（3a）处抽吸处理流体（4）、尤其是蚀刻流体，借助运输辊（8、10）沿着基本上水平的运输方向（T）来运输所述处理基底，所述抽吸装置具有：‑ 抽吸源（14），‑ 抽吸控制单元（15），所述抽吸控制单元操控所述抽吸源，以及‑ 具有至少一个抽吸枪（16）的抽吸管单元，所述抽吸管单元与所述抽吸源连接，所述抽吸枪能够利用一个或者多个入口侧的抽吸喷嘴开口（19）以至所述处理表面的抽吸距离（As）来定位，其特征在于，‑ 所述抽吸源（14）和所述抽吸控制单元（15）被设计为每抽吸枪至少30m3/h的抽吸体积流量和不大于8kPa的抽吸‑负压，和/或‑ 所述抽吸枪（16）具有梳状的抽吸结构，所述抽吸结构具有一抽吸收集管（17）和多个从其处梳状突出的抽吸管（18），所述抽吸管在入口侧具有所述抽吸喷嘴开口（19）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.04 DE 102015221646.21.抽吸装置，所述抽吸装置用于从处理基底（3）、尤其是印刷电路板或者导体箔或者半导体晶片的、基本上平坦的处理表面（3a）处抽吸处理流体（4）、尤其是蚀刻流体，借助运输辊（8、10）沿着基本上水平的运输方向（T）来运输所述处理基底，所述抽吸装置具有：-抽吸源（14），-抽吸控制单元（15），所述抽吸控制单元操控所述抽吸源，以及-具有至少一个抽吸枪（16）的抽吸管单元，所述抽吸管单元与所述抽吸源连接，所述抽吸枪能够利用一个或者多个入口侧的抽吸喷嘴开口（19）以至所述处理表面的抽吸距离（As）来定位，其特征在于，-所述抽吸源（14）和所述抽吸控制单元（15）被设计为每抽吸枪至少30m3/h的抽吸体积流量和不大于8kPa的抽吸-负压，和/或-所述抽吸枪（16）具有梳状的抽吸结构，所述抽吸结构具有一抽吸收集管（17）和多个从其处梳状突出的抽吸管（18），所述抽吸管在入口侧具有所述抽吸喷嘴开口（19）。2.根据权利要求1所述的抽吸装置，其特征进一步在于，所述梳状的抽吸结构的所述抽吸管从所述抽吸收集管出发延伸到间隙中，所述间隙在所述运输辊中的一个运输辊的运输滚轮（13）之间，所述运输滚轮彼此间隔开地布置在所述运输辊上。3.根据权利要求2所述的抽吸装置，其特征进一步在于，所述抽吸管利用其抽吸喷嘴开口以至所述处理表面的抽吸距离在所述运输滚轮的下水平面（Nu）的上方并且在竖直平面（Ev）中或者与这个竖直平面间隔开至多10mm地终止，所述竖直平面穿过所述运输辊的旋转轴线（11）。4.根据权利要求2或者3所述的抽吸装置，其特征进一步在于，所述抽吸管利用其抽吸喷嘴开口终止在所述运输滚轮...

【专利技术属性】
技术研发人员：J豪恩格斯，S拉普，
申请(专利权)人：吉布尔·施密德有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE