一种小型化双谐振抗金属RFID标签制造技术

技术编号:18815429 阅读:26 留言:0更新日期:2018-09-01 10:42
本实用新型专利技术提供一种小型化双谐振抗金属RFID标签,包括介质基底和设置在所述介质基底表面的微带天线;所述微带天线包括:设置在所述介质基底正面的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极之间设置有第一狭缝;设置在所述介质基底背面的接地电极;设置在所述介质基底第一侧面的馈电电极,所述馈电电极分为第一馈电电极和第二馈电电极,两者之间设置有第二狭缝,在所述第二狭缝处设置有驱动芯片,所述驱动芯片和所述第一馈电电极和第二馈电电极分别连接,并且所述第一馈电电极和第二电极连接,所述第二馈电电极和接地电极连接;还包括第三电极,所述第三电极与所述第一电极、第二电极、接地电极分别电性连接。

A miniaturized dual resonance metal resistant RFID tag

The utility model provides a miniaturized dual resonant metal RFID tag, including a dielectric substrate and a microstrip antenna arranged on the surface of the dielectric substrate; the microstrip antenna comprises a first electrode and a second electrode arranged on the front face of the dielectric substrate, and a first slit arranged between the first electrode and the second electrode; A ground electrode is arranged on the back of the dielectric substrate, and a feed electrode is arranged on the first side of the dielectric substrate. The feed electrode is divided into a first feed electrode and a second feed electrode. A second slit is arranged between the two, and a driving chip is arranged at the second slit. The driving chip and the first feed are arranged at the second slit. The electrode and the second feed electrode are respectively connected, and the first feed electrode and the second electrode are connected, the second feed electrode and the ground electrode are connected, and the third electrode is also included, and the third electrode is electrically connected with the first electrode, the second electrode and the ground electrode respectively.

【技术实现步骤摘要】
一种小型化双谐振抗金属RFID标签
本技术涉及RFID标签领域,尤其涉及到一种小型化双谐振抗金属的RFID标签。
技术介绍
RFID(RadioFrequencyIdentification)标签,又称电子标签、无线射频识别技术,是一种通信技术,可通过无线电讯号识别特定目标并读写相关数据,无需识别系统与特定目标之间建立机械或光学接触,即可进行快速、批量识别,可以使用在IT、医疗、工具等资产管理的场合。RFID系统一般包括电子标签、读写器两部分。电子标签装设在被标识物体上,用来存储被标识物体的身份信息。读写器与电子标签进行无线通信,可以实现对标签中数据信息的写入和读取。电子标签中的天线是整个系统中的关键部件,其设计和性能水平很大程度上决定着标签的性能,包括作用距离,一致性等。随着全球RFID标签技术的发展日趋成熟,人们在感受RFID标签带给人们高效管理和便利的同时,对标签的要求逐步提高:标签体积要小,而且还要能在金属环境下工作。介于这种情况,基于PIFA天线(PlanarInverted-FAntenna,即平面倒F天线)原理等,采用低损耗、高介电常数的、区域性的陶瓷标签天线应运而生,然而区域性的陶瓷标签天线并不能完全满足全球性的需求,主要是因为小型化的陶瓷天线,带宽比较窄,只能满足欧洲频段(866-868MHz)或者美国频段(902-928MHz)中的某一个频段;或者能覆盖两个频段,但标签体积过大,不满足标签天线隐蔽性要求;或者同时满足体积小,又能抗金属环境,但只能覆盖一个频段。全球经济一体化,越来越多的行业需要全球化的RFID标签天线,管理全球化的物品资产,既小又能覆盖两个频段,同时又能适应各种金属和非金属环境的标签天线,被广大的RFID应用行业期盼着。
技术实现思路
本技术提供一种小型化双谐振抗金属RFID标签,所述RFID标签包括介质基底和设置在所述介质基底表面的微带天线;所述微带天线包括:设置在所述介质基底正面的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极之间设置有第一狭缝;设置在所述介质基底背面的接地电极;设置在所述介质基底第一侧面的馈电电极,所述馈电电极分为第一馈电电极和第二馈电电极,两者之间设置有第二狭缝,在所述第二狭缝处设置有驱动芯片,所述驱动芯片和所述第一馈电电极和第二馈电电极分别连接,并且所述第一馈电电极和第二电极连接,所述第二馈电电极和接地电极连接;还包括第三电极,所述第三电极与所述第一电极、第二电极、接地电极分别电性连接。可选地,所述RFID标签具有第一工作频段和第二工作频段。可选地,所述第一工作频段为866Hz~868MHz,所述第二工作频段为902MHz~928MHz;或者,所述第一工作频段为902MHz~928MHz,所述第二工作频段为866Hz~868MHz。可选地,所述第三电极设置在所述介质基底背面的第二侧面上,所述第二侧面和所述第一侧面为相对的两个侧面。可选地,所述第三电极的形状为“Y”形、“丁”形、“F”形、“丁”的镜像形或“F”的镜像形。可选地,所述第三电极包括第一部分和第二部分,所述第一部分分别连接第一电极和接地电极,所述第二部分分别连接第二电极和接地电极,所述第一部分和第二部分相互连接或者不相互连接。可选地,所述第三电极的第一部分和第二部分位于所述介质基底的同一侧面;或者,所述第三电极的第一部分和第二部分位于所述介质基底的不同侧面。可选地,所述介质基底为陶瓷块或高频板。可选地,所述第一电极和所述第二电极的形状为可分别为矩形、圆形、椭圆形、三角形、折线状、曲线状。本技术提供的RFID标签可以在两个频段工作,即具有双谐振。另外,本技术实施例提供的小型化双谐振RFID标签,当需要贴付在金属物件上使用时,将背面和该金属物件接触,也就是接地电极一侧和金属物件接触,而辐射面即除了接地电极所在面以外的面未和金属物件接触,因此还具备良好的读写性能,也就是良好的抗金属性,可以在金属环境或者非金属环境中使用,适应性好。再者,使用具有低损耗和高介电常数的介质基底,如陶瓷块或者高频板,可以减小标签的尺寸。附图说明图1为本技术一实施例提供的小型化双谐振抗金属RFID标签的立体结构示意图;图2为图1所示的小型化双谐振抗金属RFID标签各面的结构示意图;图3为第一电极的结构示意图;图4为一种实施方式中第三电极的结构示意图;图5为另一种实施方式中第三电极的结构示意图;图6为再一种实施方式中第三电极的结构示意图。具体实施方式下面介绍的是本技术的多个可能实施例中的一些,旨在提供对本技术的基本了解,并不旨在确认本技术的关键或决定性的要素或限定所要保护的范围。根据本技术的技术方案,在不变更本技术的实质精神下,本领域的一般技术人员可以提出可相互替换的其它实现方式。因此,以下具体实施方式以及附图仅是对本技术的技术方案的示例性说明,而不应当视为本技术的全部或者视为对本技术技术方案的限定或限制。请参考图1和图2,图1为本技术一实施例提供的小型化双谐振抗金属RFID标签的立体结构示意图,图2为图1所示的小型化双谐振抗金属RFID标签各面的结构示意图。本技术提供的小型化双谐振抗金属RFID标签包括介质基底10和设置在介质基底10表面的微带天线,该微带天线包括:设置在介质基底正面的第一电极11和第二电极12,并且第一电极11和第二电极12之间设置有第一狭缝13,第一电极11和第二电极12在第一狭缝13处无连接;还包括设置在介质基底10的背面的接地电极14;设置在介质基底第一侧面的馈电电极,该馈电电极分为第一馈电电极151和第二馈电电极152,两者之间设置有第二狭缝16,第一馈电电极151和第二馈电电极152在第二狭缝16处两者无相互连接,在第二狭缝16处设置有驱动芯片17,驱动芯片17和第一馈电电极151、第二馈电电极152分别连接;并且第一馈电电极151和第二电极12连接,第二馈电电极152和接地电极14连接;还包括第三电极18,第三电极18与第一电极11、第二电极12、接地电极14分别电性连接。可选地,实施例一中的介质基底10为陶瓷块或者高频板,其具有低损耗和高介电常数。基于微带天线的辐射机理,在本技术提供的结构中,可以使RFID标签具有两个工作频段。第一工作频段由第一电极11提供,第三电极18将第一电极11、接地电极14、第二电极12相互电性连接,可以将第一电极11看作一个与地连接的耦合寄生单元,并且第一电极11通过电磁耦合的方式从第二电极12得到耦合激励,从而实现第一工作频段的启振,设置第一电极11的实际走线长度为第一工作频段的四分之一波长的电流长度,可以实现其在第一工作频段中工作。第二个工作频段由第二电极12提供,基于四分之一微带天线辐射机理,设置第二电极12的实际走线长度为第二工作频段的四分之一波长的电流长度,即通过调整第二电极12的实际走线长度使其工作在对应的第二频段中。第一工作频段可以是欧洲频段(866Hz~868MHz),也可以是美国频段(902MHz~928MHz),或者其他工作频段,只要设置第一电极11的实际走线长度为第一工作频段的四分之一波长的电流长度。在图1和图2所示的结构中,第一电极为矩形,可以通过设置第一电本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种小型化双谐振抗金属RFID标签,其特征在于,所述RFID标签包括介质基底和设置在所述介质基底表面的微带天线;所述微带天线包括:设置在所述介质基底正面的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极之间设置有第一狭缝;设置在所述介质基底背面的接地电极;设置在所述介质基底第一侧面的馈电电极,所述馈电电极分为第一馈电电极和第二馈电电极,两者之间设置有第二狭缝,在所述第二狭缝处设置有驱动芯片,所述驱动芯片和所述第一馈电电极和第二馈电电极分别连接,并且所述第一馈电电极和第二电极连接,所述第二馈电电极和接地电极连接;还包括第三电极,所述第三电极与所述第一电极、第二电极、接地电极分别电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种小型化双谐振抗金属RFID标签,其特征在于,所述RFID标签包括介质基底和设置在所述介质基底表面的微带天线;所述微带天线包括:设置在所述介质基底正面的第一电极和第二电极,所述第一电极和第二电极之间设置有第一狭缝;设置在所述介质基底背面的接地电极;设置在所述介质基底第一侧面的馈电电极,所述馈电电极分为第一馈电电极和第二馈电电极,两者之间设置有第二狭缝,在所述第二狭缝处设置有驱动芯片,所述驱动芯片和所述第一馈电电极和第二馈电电极分别连接,并且所述第一馈电电极和第二电极连接,所述第二馈电电极和接地电极连接;还包括第三电极,所述第三电极与所述第一电极、第二电极、接地电极分别电性连接。2.如权利要求1所述的小型化双谐振抗金属RFID标签,其特征在于,所述RFID标签具有第一工作频段和第二工作频段。3.如权利要求2所述的小型化双谐振抗金属RFID标签,其特征在于,所述第一工作频段为866Hz~868MHz,所述第二工作频段为902MHz~928MHz;或者,所述第一工作频段为902MHz~928MHz,所述第二工作频段为866Hz~868MHz。4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员:周露涛
申请(专利权)人:上海数斐信息科技有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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