一种LED芯片制造技术

本发明专利技术提供一种LED芯片，所述LED芯片包括发光二极管、电流阻挡结构和电极，电流阻挡结构包括第一电流阻挡结构和第二电流阻挡结构，第一电流阻挡结构位于第一半导体层上，第二电流阻挡结构位于第二半导体层上，第一电极通过第一电流阻挡结构连接第一半导体层，第二电极通过第二电流阻挡结构连接第一半导体层。在本发明专利技术提供的LED芯片中，由第一电极通过第一电流阻挡结构连接第一半导体层，以及由第二电极通过第二电流阻挡结构连接所述第二半导体层，当电流由电极流经发光二极管时，电流阻挡结构可以改变电流的流向，达到有效改善发光分布的作用；同时，电流阻挡结构增加电极对光的反射能力，对于超出全反射角的光线全部都会反射回LED芯片内部。

A LED chip

The invention provides an LED chip, which comprises a light-emitting diode, a current-blocking structure and an electrode. The current-blocking structure comprises a first current-blocking structure and a second current-blocking structure. The first current-blocking structure is located on the first semiconductor layer, the second current-blocking structure is located on the second semiconductor layer, and the first electricity. The electrode is connected to the first semiconductor layer through a first current barrier structure, and the second electrode is connected to the first semiconductor layer through a second current barrier structure. In the LED chip provided by the present invention, the first semiconductor layer is connected by the first electrode through the first current blocking structure, and the second semiconductor layer is connected by the second electrode through the second current blocking structure. When the current flows through the light emitting diode by the electrode, the current blocking structure can change the current flow direction, so as to be effective. At the same time, the current barrier structure increases the reflectivity of the electrode to light, and all the light beyond the total reflection angle will be reflected back to the LED chip.

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片
本专利技术涉及半导体制造领域，特别涉及一种LED芯片。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode)芯片形成的光源相对于其它光源具有散热好，能够承载大电流、发光强度高、耗电量小、寿命长等优点，被广泛应用于通用照明、景观照明、特种照明、汽车照明等多个领域，让大功率LED芯片成为极具潜力的解决方案，正受到业界越来越多的关注和研究。然而中LED芯片结构中，在电极附近是电流注入最集中的区域，这部分光通常会被电极遮挡或吸收最终成为无效发光，从而降低了LED芯片发光的性能。因此，如何提高LED芯片的性能是本领域技术人员需要解决的一个技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种LED芯片，以解决现有技术中LED芯片的性能有待提高的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种LED芯片，所述LED芯片包括发光二极管、电流阻挡结构和电极，所述发光二极管包括第一半导体层以及与所述第一半导体层连接的第二半导体层，所述电流阻挡结构包括第一电流阻挡结构和第二电流阻挡结构，所述第一电流阻挡结构位于所述第一半导体层上，所述第二电流阻挡结构位于所述第二半导体层上，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极通过第一电流阻挡结构连接所述第一半导体层，所述第二电极通过第二电流阻挡结构连接所述第一半导体层。可选的，在所述LED芯片中，所述第一电极包括第一部分和与所述第一部分连接的第二部分，与所述第一部分连接的所述第一电流阻挡结构的横截面积大于所述第一部分的横截面积。可选的，在所述LED芯片中，与所述第二部分连接的所述第一电流阻挡结构为断续设置的结构。可选的，在所述LED芯片中，所述电流阻挡结构包括二氧化硅层或者分布式布拉格反射镜层，所述分布式布拉格反射镜层由二氧化硅与五氧化三钛形成。可选的，在所述LED芯片中，所述二氧化硅层采用化学气相沉积制备，所述二氧化硅层的厚度为可选的，在所述LED芯片中，所述分布式布拉格反射镜层的厚度为2um～5um。可选的，在所述LED芯片中，所述电极通过氧化铟锡层连接所述电流阻挡层。可选的，在所述LED芯片中，所述第一电极和所述第二电极的形态匀呈具有多个梳柱的梳状，所述第一电极的梳柱与所述第二电极的梳柱交替分布。可选的，在所述LED芯片中，所述第一半导体层通过多量子阱层与所述第二半导体层连接。可选的，在所述LED芯片中，所述第一半导体层的材料为N型氮化镓，所述第二半导体层的材料为P型氮化镓。综上所述，在本专利技术提供的LED芯片中，由第一电极通过第一电流阻挡结构连接第一半导体层，以及由第二电极通过第二电流阻挡结构连接所述第二半导体层，当电流由电极流经发光二极管时，电流阻挡结构可以改变电流的流向，扩展电流的路径，达到有效改善发光分布的作用；同时，电流阻挡结构增加电极对光的反射能力，对于超出全反射角的光线全部都会反射回LED芯片内部再通过其它的途径选出，有效的提高了LED芯片发光的性能。附图说明图1是本专利技术实施例的LED芯片的剖面示意图；图2是本专利技术实施例的LED芯片的俯视图；图3是本专利技术另一实施例的电流阻挡结构与电极的剖面示意图；其中，10-发光二极管，11-第一半导体层，12-第二半导体层，13-多量子阱层，20-电流阻挡结构，21-第一电流阻挡结构，22-第二电流阻挡结构，30-电极，31-第一电极，32-第二电极，40-氧化铟锡层。具体实施方式为了使本专利技术的目的、特征和优点能够更加明显易懂，请参阅附图。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。本专利技术的核心思想在于通过电流阻挡结构对电流流经的路径进行调整，由第一电极通过第一电流阻挡结构连接第一半导体层以及由第二电极通过第二电流阻挡结构连接所述第二半导体层，即通过位于电极与半导体层之间的电流阻挡结构来改变电流的流向，从而扩展电流的路径。如图1所示，本专利技术提供一种LED芯片，所述LED芯片包括发光二极管10、电流阻挡结构20和电极30，所述发光二极管10包括第一半导体11层以及与所述第一半导体层11连接的第二半导体层12，所述电流阻挡结构20包括第一电流阻挡结构21和第二电流阻挡结构22，所述第一电流阻挡结构21位于所述第一半导体层11上，所述第二电流阻挡结构22位于所述第二半导体层12上，所述电极30包括第一电极31和第二电极32，所述第一电极31通过第一电流阻挡结构21连接所述第一半导体层11，所述第二电极32通过第二电流阻挡结构22连接所述第二半导体层12。继续参考图2所示，所述第一电极31包括第一部分311和与所述第一部分311连接的第二部分312，所述第一部分311连接的所述第一电流阻挡结构21的横截面积大于所述第一部分311的横截面积，当第一电流阻挡结构21的横截面积较大时，其反光效率更高，使得发光二极管发光时亮度更高。可以理解的是，如图3所示，电流阻挡结构20的横截面积在某些区域也可以小于电极30的横截面积，满足不同产品的需要。继续参考图2所示，与所述第二部分312连接的所述第一电流阻挡结构21为断续设置的结构，也就是说电流阻挡结构20可分为多个间隔设置的分立的结构，从而使电流在流经时可经过断续或间隔处，从而达到进一步调整或设置电流路径的目的，扩展电流路径。其中电流阻挡结构是位于电极与发光二极管之间来阻隔电流，可通过不同的组合结构形成从而更佳的实现调整电流的路径，在附图中所示仅为了方便表达结构，并非作为限制。在本实施例中，所述电流阻挡结构20包括二氧化硅层或者分布式布拉格反射镜层(DBR，DistributedBraggReflection)，所述分布式布拉格反射镜层由二氧化硅与五氧化三钛形成，通过二氧化硅与五氧化三钛以“ABAB”的方式交替排列组成的周期结构，每层材料的光学厚度可为中心反射波长的1/4，分布式布拉格反射镜的反射率可达99％以上。当电流流经电流阻挡结构时，由于电流阻挡结构的非导电性，电流会绕过电流阻挡结构，从而达到调电流流向的目的，扩展电流流经的路径；同时电流阻挡结构还可提高光线的反射比率。可选的，所述二氧化硅层采用化学气相沉积(PECVD，PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)制备，所述二氧化硅层的厚度为通过上述厚度满足不同产品的要求。可选的，所述分布式布拉格反射镜层的厚度为2um～5um。二氧化硅层和分布式布拉格反射镜层可分别或共同形成为第一电流阻挡结构和第二电流阻挡结构，通过不同的搭配实现不同产品的需要。继续参考图1所示，所述电极30通过氧化铟锡层40连接所述电流阻挡层20，也就是通过氧化铟锡层40来实现较佳的电性连接而并非限制为直接的连接接触，在附图中仅图示了第二电流阻挡结构与第二电极之间形成氧化铟锡层，同理，在第一电流阻挡结构与第一电极之间同样适应。继续参考图2所示，所述第一电极31和所述第二电极32的形状匀呈具有多个梳柱的梳状，多个梳柱即在2个以上，所述第一电极31的梳柱与所述第二电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：发光二极管，所述发光二极管包括第一半导体层以及与所述第一半导体层连接的第二半导体层；电流阻挡结构，所述电流阻挡结构包括第一电流阻挡结构和第二电流阻挡结构，所述第一电流阻挡结构位于所述第一半导体层上，所述第二电流阻挡结构位于所述第二半导体层上；电极，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极通过第一电流阻挡结构连接所述第一半导体层，所述第二电极通过第二电流阻挡结构连接所述第二半导体层。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：发光二极管，所述发光二极管包括第一半导体层以及与所述第一半导体层连接的第二半导体层；电流阻挡结构，所述电流阻挡结构包括第一电流阻挡结构和第二电流阻挡结构，所述第一电流阻挡结构位于所述第一半导体层上，所述第二电流阻挡结构位于所述第二半导体层上；电极，所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极通过第一电流阻挡结构连接所述第一半导体层，所述第二电极通过第二电流阻挡结构连接所述第二半导体层。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极包括第一部分和与所述第一部分连接的第二部分，与所述第一部分连接的所述第一电流阻挡结构的横截面积大于所述第一部分的横截面积。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，与所述第二部分连接的所述第一电流阻挡结构为断续设置的结构。4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡结构包括二氧化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱秀山，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31