载置构件制造技术

提供抓持力(gripping force)及耐热性优异、并且低起尘性优异、不易污染被载置物的载置构件。本发明专利技术的载置构件为载置面由碳纳米管的集合体构成的载置构件，在硅晶圆上以碳纳米管集合体侧表面接触该硅晶圆的方式放置该载置构件，从该载置构件上方施加100g的载荷并放置30秒时，转印至该硅晶圆的直径0.2μm以上的颗粒的数量为100个/cm2以下。

Loading component

Provides gripping force and load components with excellent heat resistance, low dust emission and low contamination of loaded objects. The loading member of the present invention is a loading member consisting of an aggregate of carbon nanotubes on the loading surface. The loading member is placed on a silicon wafer in a manner of contacting the silicon wafer on the side surface of the carbon nanotube aggregate. When a load of 100g is applied above the loading member and placed for 30 seconds, the silicon wafer with a diameter of more than 0.2 micron is transferred to the silicon wafer. The number of grains is less than 100 /cm2.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】载置构件
本专利技术涉及载置构件。
技术介绍
在半导体元件等的制造工序中，在输送材料、制造中间品、制品等(以下，也称为被加工物)时，使用移动臂、移动工作台等输送基材进行该被加工物的输送(例如，参照专利文献1、2)。进行这样的输送时，对载置被加工物的构件(载置构件)要求被加工物在输送中不偏移这样的强的抓持力。另外，随着制造工序高速化的要求，这样的要求逐年增高。但是，以往的载置构件由树脂等弹性材料构成，存在该弹性材料容易附着残留于被加工物、污染被加工物这样的问题。另外，由树脂等弹性材料构成的载置构件存在耐热性低、在高热环境下其抓持力会降低的问题。若使用陶瓷等材料作为载置构件，则能防止被加工物的污染，并且抓持力的温度依赖性变低。但是，由这种材料构成的载置构件存在本质上抓持力低、即使在常温下也不能充分保持被加工物的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2001-351961号公报专利文献2：日本特开2013-138152号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术的课题在于，提供抓持力及耐热性优异、并且低起尘性优异、不易污染被载置物的载置构件。用于解决问题的方案本专利技术的载置构件为载置面由碳纳米管的集合体构成的载置构件，在硅晶圆上以碳纳米管集合体侧表面接触该硅晶圆的方式该载置构件，从该载置构件上方施加100g的载荷并放置30秒时，转印至该硅晶圆的直径0.2μm以上的颗粒的数量为9000个/cm2以下。1个实施方式中，本专利技术的载置构件包含基材，上述碳纳米管的集合体固定于该基材。1个实施方式中，上述碳纳米管的直径的平均值为1nm～800nm。1个实施方式中，上述碳纳米管的包含前端的部分被无机材料覆盖。1个实施方式中，本专利技术的载置构件用于半导体部件的输送。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供抓持力及耐热性优异、并且低起尘性优异、不易污染被载置物的载置构件。附图说明图1为本专利技术的1个实施方式的载置构件的示意截面图。图2为本专利技术的另一实施方式的载置构件的示意截面图。图3为本专利技术的1个实施方式的碳纳米管集合体的制造装置的示意截面图。具体实施方式本专利技术的载置构件包含碳纳米管集合体。碳纳米管集合体构成载置构件的载置面。碳纳米管集合体具有良好的粘合性(摩擦性)，能够良好地保持置于载置构件上的被载置物。A.载置构件图1为本专利技术的1个实施方式的载置构件的示意截面图。载置构件100由碳纳米管集合体10构成。1个实施方式中，如图1所示，载置构件100还具备基材20。需要说明的是，图1(及后述的图2)中示出了在基材20的单侧配置碳纳米管集合体10的形态，但碳纳米管集合体10也可以配置于基材20的两侧。碳纳米管集合体10由多个碳纳米管11构成。碳纳米管11的一端固定于基材20。碳纳米管11沿长度L的方向取向，碳纳米管集合体10构成为纤维状柱状结构体。碳纳米管11优选沿相对于基材20大致垂直的方向取向。此处，“大致垂直的方向”是指，相对于基材20的表面的角度优选为90°±20°、更优选为90°±15°、进一步优选为90°±10°、特别优选为90°±5°。另一实施方式中，如图2所示，载置构件200还具备基材20和粘结剂30。该实施方式中，碳纳米管11的一端固定于粘结剂30。通过将碳纳米管11固定于粘结剂30，从而能够得到低起尘性优异的载置构件。本专利技术的载置构件的低起尘性优异。使用这样的载置构件时，能够显著地防止被载置物的污染。本专利技术的载置构件由于其低起尘性，因此可适宜用于要求高清洁性的被载置物。例如，本专利技术的载置构件适宜在半导体元件的制造工序、光学构件的制造工序等中用于被加工物(例如，半导体晶圆、半导体元件等半导体部件、玻璃基板等)的输送，将被加工物载置于该载置构件上而输送该被加工物时，能够在维持被加工物的清洁性的状态下进行工序。另外，本专利技术的载置构件也可以适宜用作分析装置中所用的载置构件。另外，由碳纳米管集合体构成的载置构件由于耐热性优异，因此即使在高温环境下(例如，400℃以上、优选500℃～1000℃、更优选500℃～700℃)，也表现出优异的摩擦特性。本专利技术的载置构件由于低起尘性及耐热性优异，因此例如在半导体元件的制造工序中的晶圆处理工序(所谓前工序)中特别有用。本专利技术的载置构件例如可以通过提高碳纳米管的均匀性、具体而言提高多个碳纳米管的直径的均匀性、具有多层结构的该碳纳米管的层数的均匀性等来获得。在硅晶圆上以碳纳米管集合体侧表面接触该硅晶圆的方式放置上述载置构件，从载置构件上方施加100g的载荷并放置30秒时，转印至该硅晶圆的直径0.2μm以上的颗粒(转印颗粒)的数量为9000个/cm2以下、优选为8500个/cm2以下、更优选为1000个/cm2以下、进一步优选为200个/cm2以下。该颗粒的数量越少越优选，其下限例如为10个/cm2(优选5个/cm2)。“碳纳米管集合体侧表面”是指载置构件的载置面，在图1及图2中，为碳纳米管集合体10的与基材20处于相反侧的表面10a。在上述载置构件的碳纳米管集合体侧表面产生的凹部的俯视面积的比例相对于碳纳米管集合体侧表面的总面积优选为5％以下、更优选为4％以下、进一步优选为3％以下、进一步优选为2％以下、特别优选为1％以下、最优选为0％。为这样的范围时，能够得到低起尘性优异的载置构件。需要说明的是，“凹部的俯视面积”是指碳纳米管集合体侧表面的凹部的开口部的面积的总和，可以使用SEM等显微镜观察碳纳米管集合体侧表面进行测定。另外，“凹部”是指其开口部的直径为10μm以上。“凹部”代表性的是因碳纳米管集合体的缺损而产生。上述凹部的开口部的直径优选为1000μm以下、更优选为500μm以下、进一步优选为100μm以下。上述凹部的数量优选为80个/cm2以下、更优选为50个/cm2以下、进一步优选为20个/cm2以下、进一步优选为10个/cm2以下、特别优选为5个/cm2以下、最优选为0个/cm2。上述载置构件的碳纳米管集合体侧表面相对于玻璃表面的静摩擦系数优选为1.0以上、更优选为2.0以上。上述静摩擦系数的上限值优选为20。利用如上所述那样转印颗粒少的本申请专利技术的载置构件时，能够得到静摩擦系数高、抓持性优异的载置构件。需要说明的是，当然，相对于玻璃表面的摩擦系数大的上述载置构件即使对由除玻璃以外的材料构成的被载置物(例如半导体晶圆)，也可表现出强的抓持性。A-1.碳纳米管集合体碳纳米管集合体由多个碳纳米管构成。上述碳纳米管的直径(各个值)优选为0.3nm～1000nm、更优选为1nm～500nm、进一步优选为2nm～200nm、特别优选为2nm～100nm。通过将碳纳米管的长度调整至上述范围内，从而该碳纳米管能够兼具优异的机械特性及高比表面积，进而，该碳纳米管可成为表现优异的摩擦特性的碳纳米管集合体。上述碳纳米管的直径的平均值优选为1nm～800nm、更优选为2nm～100nm、进一步优选为5nm～50nm、特别优选为5nm～40nm、最优选为5nm以上且不足10nm。为这样的范围时，能够得到低起尘性优异的载置构件。碳纳米管的直径的平均值是指通过透射型电子显微镜(TEM)对构成碳纳米管集合体的碳纳米管进行观察，测定随机抽出的30根碳纳米管的直径，由该测定值算出的平均值(个数基准)。需要说明的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种载置构件，其中，载置面由碳纳米管的集合体构成，在硅晶圆上以碳纳米管集合体侧表面接触该硅晶圆的方式放置该载置构件，从该载置构件上方施加100g的载荷并放置30秒时，转印至该硅晶圆的直径0.2μm以上的颗粒的数量为9000个/cm2以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.15 JP 2016-0061451.一种载置构件，其中，载置面由碳纳米管的集合体构成，在硅晶圆上以碳纳米管集合体侧表面接触该硅晶圆的方式放置该载置构件，从该载置构件上方施加100g的载荷并放置30秒时，转印至该硅晶圆的直径0.2μm以上的颗粒的数量为9000个/cm2以下。2.根据权利要求1所述的载置构件，其包含基材，所述碳纳...

【专利技术属性】
技术研发人员：增田将太郎，市川智昭，前野洋平，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP