电子元件容器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种电子元件容器及其制造方法，所述电子元件容器包括：基底层；第一及第二防静电层，其分别形成于所述基底层上部及下部表面；收容槽，其是由所述基底层和第一及第二防静电层以矩阵形状排列成型M×N个而形成的；导电层，其以与所述第一及第二防静电层电连接的形式形成于所述基底层的侧面。据此，导电层对第一及第二防静电层进行电连接，所以即使在多个电子元件容器层叠的状态下，也可以容易地去除产生的静电，从而可以防止位于收容槽内的电子元件因静电而被破坏，毛刺和细微粒子由耐溶剂性树脂形成，从而即使没有溶解于有机溶剂，在导电层形成时因埋没至内部而不被露出，所以，减少去除时间，从而提高生产性。

Electronic component container and manufacturing method thereof

The invention relates to an electronic component container and a manufacturing method thereof. The electronic component container comprises a substrate layer, a first and a second antistatic layer formed on the upper and lower surfaces of the substrate layer respectively, and a receptacle slot shaped by the substrate layer and the first and second antistatic layers arranged in a matrix shape to form M*N pieces. A conductive layer is formed on the side of the base layer in the form of an electric connection with the first and second antistatic layers. Accordingly, the conductive layer electrically connects the first and second anti-static layers, so that the generated static electricity can be easily removed even in the case of a plurality of electronic element containers stacked, thereby preventing the electronic element located in the storage tank from being destroyed by static electricity, burrs and fine particles formed from solvent-resistant resins. Even if it is not dissolved in organic solvents, the conductive layer is buried in the interior and not exposed when it is formed, so the removal time is reduced and the productivity is improved.

【技术实现步骤摘要】
电子元件容器及其制造方法
本专利技术涉及一种电子元件容器及其制造方法，尤其，涉及一种电子元件容器及其制造方法，所述电子元件容器包括用于对半导体器件等的电子元件进行包装的托盘(tray)或载带(CarrierTape)等。
技术介绍
为了将电子元件包装成M×N(M及N为自然数)个，目前使用托盘或载带等，电子元件是将半导体器件等每个单独的电子元件或每个相互不同的单独的电子元件组装为模块而制成的。为了防止电子元件等因静电而被破坏，所述包装容器在构成主体的由非传导性的合成树脂形成的基底层的上部及下部表面分别形成有第一及第二防静电层,电子元件是将包装好的半导体器件等每个单独的电子元件或每个相互不同的单独的电子元件组装为模块而制成的,第一及第二防静电层包含导电性材料从而具有防静电特性。因为所述第一及第二防静电层，所以即使在包括托盘或者载带等在内的容器中发生静电，也不会向收容于收容槽内的电子元件传递，而是向外部放电，从而防止所述电子元件被破坏。所述托盘或载带通过如下方式形成：在由非传导性的合成树脂的板材形成的基底层的上部及下部表面分别形成有具有传导性的第一及第二防静电层后，对板进行加热后，到达托盘模具，上下模具相接触的同时用空气加压成型，从而形成收容电子元件的收容槽，所述收容槽截断为具有M×N(M及N为自然数)个的单位。在所述成型后，在截断为单位托盘或载带时，基底层、第一及第二防静电层没有被全部去除，而是在截断面生成残留有任意一个层的一部分或多个层的一部分的细微的毛刺(burr)，不仅如此，截断面不平滑反而变得粗糙，从而产生微弱地粘附的细微粒子。所述毛刺(burr)和细微粒子在使用时附着于收容在收容槽的电子元件，从而使得所述电子元件短路进而被破坏。因此，包括单位托盘或者载带在内的电子元件容器要去除形成于截断面的毛刺(burr)和细微粒子。根据现有技术的去除毛刺(burr)和细微粒子的装置公开在韩国公开专利第2002-0075684号(专利技术名称：用于电子芯片元件的载带的毛刺去除装置)。根据现有技术的用于电子芯片元件的载带的毛刺去除装置包括：主体；引导装置，其设置于所述主体上，托住(holding)从穿孔(punching)装置被引导的用于电子元件容器的载带，同时引导至重绕(rewinding)装置；燃烧(burning)装置，其燃烧产生于载带的芯片插入孔的毛刺，载带通过所述引导装置得到引导。所述用于电子芯片元件的载带在基底层的上部表面及下部表面至少包括第一及第二防静电层，基底层由合成树脂形成从而具有能够保持形状的强度。在去除所述毛刺时，也一起去除微弱地粘附于截断面的细微粒子，用于去除所述毛刺和细微粒子的燃烧装置包括至少一个以上的加热器(heater)，所述加热器的发热温度为100～1000℃。此外，在所述加热器的相对侧还包括支撑装置，支撑装置对用于电子元件容器的载带的加热(heating)面相反侧进行支撑，以便防止载带因从加热器产生的热风而被挤出。然而，根据现有技术的装置具有如下问题：在燃烧去除形成于电子元件容器的毛刺(burr)和微弱地粘附于截断面的细微粒子时，在100℃左右的低温去除的情况下，增加去除时间，从而降低生产性，此外，在利用1000℃左右的高温去除的情况下，电子元件容器因热而发生变形。并且，去除了毛刺和细微粒子的电子元件容器具有如下问题：因为形成于基底层的上部表面及下部表面的第一及第二防静电层被电分离，所以很难去除在层叠的状态下产生的静电。
技术实现思路
据此，本专利技术的目的在于提供一种电子元件容器及其制造方法，所述电子元件容器即使在低温下也可以去除毛刺和细微粒子，防止由热导致的变形，同时可以使得去除时间缩短，从而使得生产性提高。本专利技术的其他目的在于提供一种电子元件容器及其制造方法，所述电子元件容器即使在以第一及第二防静电层电连接的形式被层叠的状态下，也可以容易地去除产生的静电，第一及第二防静电层形成于基底层的上部表面及下部表面。根据用于实现所述目的的本专利技术的电子元件容器包括：基底层；第一及第二防静电层，其分别形成于所述基底层上部及下部表面；收容槽，其是由所述基底层和第一及第二防静电层以矩阵(matrix)形状排列成型M×N(M及N为自然数)个而形成的；导电层，其以与所述第一及第二防静电层电连接的形式形成于所述基底层的侧面。所述基底层由溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成。所述基底层形成为0.5～3mm的厚度。所述第一及第二防静电层和所述导电层由包括传导性物质或导电性金属的溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成。所述传导性物质包括碳纳米管或传导性碳。所述第一及第二防静电层和导电层由聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-EthyleneDiOxyThiophene))、PSS(聚苯乙烯磺酸钠，PolyStyleneSulfonate)、吡咯(Pyrrole)及聚苯胺(PolyAniline)的传导性高分子中任意一种形成。所述第一及第二防静电层形成为0.05～0.3mm的厚度。根据用于实现所述目的的本专利技术的电子元件容器的制造方法包括如下工艺：将第一及第二防静电层形成于由板材形成的基底层的上部及下部表面；用空气将所述基底层和第一及第二防静电层加压成型，将多个收容槽形成为矩阵形状；将形成有所述多个收容槽的材料状态分别截断为具有M×N(M及N为自然数)个收容槽的单位电子元件容器；将与第一及第二防静电层电连接的导电层形成于所述单位电子元件容器的截断面。使用溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成所述基底层。使得所述基底层形成为0.5～3mm的厚度。使用包括传导性物质或导电性金属的溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成所述第一及第二防静电层和导电层。在所述基底层上部及下部表面涂布聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-EthyleneDiOxyThiophene))、PSS(聚苯乙烯磺酸钠，PolyStyleneSulfonate)、吡咯(Pyrrole)及聚苯胺(PolyAniline)的传导性高分子中任意一种，从而形成所述第一及第二防静电层。在将传导性高分子混合于有机溶剂的状态下，利用由手动或自动方式来执行的浸渍法、辊涂(rollercoating)法或喷涂(spray)法形成所述导电层。在将传导性高分子混合于有机溶剂的状态下，通过自动或者手动方式用布、海绵(sponge)或刷子(brush)来涂布，从而形成所述导电层。使得所述导电层在25～90℃的温度下形成为0.05～0.3mm的厚度。使用聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-EthyleneDiOxyThiophene))、PSS(聚苯乙烯磺酸钠，PolyStyleneSulfonate)、吡咯(Pyrrole)及聚苯胺(PolyAniline)的传导性高分子中任意一种形成所述导电层。使用甲苯(Toluene)、MEK(丁酮，MethylEthylKetone)、丙酮(acetone)、乙酸乙酯(EthylAcetate)、TCE(三氯乙烯，TrichloroEthylene)、DMSO(二甲基亚砜，DiMethylSulfoxide)、DCM(二氯甲烷，DiChloroMethane)、HFP(六氟丙烯，HexaFluoro-2-Pr本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子元件容器，其包括：基底层；第一及第二防静电层，其分别形成于所述基底层上部及下部表面；收容槽，其是由所述基底层和第一及第二防静电层以矩阵形状排列成型M×N(M及N为自然数)个而形成的；导电层，其以与所述第一及第二防静电层电连接的形式形成于所述基底层的侧面。

【技术特征摘要】
2017.02.22 KR 10-2017-00235381.一种电子元件容器，其包括：基底层；第一及第二防静电层，其分别形成于所述基底层上部及下部表面；收容槽，其是由所述基底层和第一及第二防静电层以矩阵形状排列成型M×N(M及N为自然数)个而形成的；导电层，其以与所述第一及第二防静电层电连接的形式形成于所述基底层的侧面。2.根据权利要求1所述的电子元件容器，其特征在于，所述基底层由溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成。3.根据权利要求1所述的电子元件容器，其特征在于，所述基底层形成为0.5～3mm的厚度。4.根据权利要求1所述的电子元件容器，其特征在于，所述第一及第二防静电层和所述导电层由包括传导性物质或导电性金属的溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成。5.根据权利要求4所述的电子元件容器，其特征在于，所述传导性物质包括碳纳米管或传导性碳。6.根据权利要求1所述的电子元件容器，其特征在于，所述第一及第二防静电层和导电层由聚乙烯二氧噻吩(PEDOT:3,4-乙烯二氧噻吩)、PSS、吡咯及聚苯胺的传导性高分子中任意一种形成。7.根据权利要求1所述的电子元件容器，其特征在于，所述第一及第二防静电层形成为0.05～0.3mm的厚度。8.一种电子元件容器的制造方法，其包括如下工艺：将第一及第二防静电层形成于由板材形成的基底层的上部及下部表面；用空气将所述基底层和第一及第二防静电层加压成型，将多个收容槽形成为矩阵形状；将形成有所述多个收容槽的材料状态分别截断为具有M×N(M及N为自然数)个收容槽的单位电子元件容器；将与第一及第二防静电层电连接的导电层形成于所述单位电子元件容器的截断面。9.根据权利要求8所述的电子元件容器的制造方法，其特征在于，使用溶剂性树脂或耐溶剂性树脂形成所述基底...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹势元，
申请(专利权)人：尹势元，
类型：发明
国别省市：韩国,KR