鳍式晶体管的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种鳍式晶体管的制备方法，涉及集成电路制造技术，该鳍式晶体管的制造方法包括：步骤110提供一原始鳍式晶体管，所述原始鳍式晶体管至少包括一第一区域和一第二区域，所述第一区域上包括至少一个第一鳍，所述第二区域上包括至少一个第二鳍；步骤120，在所述原始鳍式晶体管上方沉积一层硅化物层；步骤130，进行第一次刻蚀工艺，使所述第一区域与所述第二区域之间形成一台阶；以及步骤140，进行第二次刻蚀工艺，以使所述第一鳍的高度与所述第二鳍的高度不同；以得到不同鳍高的鳍式晶体管，满足集成电路对不同特性的晶体管的需求。

Preparation method of fin transistor

The invention relates to a fabrication method of fin transistor, which relates to integrated circuit manufacturing technology. The fabrication method of the fin transistor includes: step 110 provides a primitive fin transistor, the primitive fin transistor comprises at least a first region and a second region, and the first region comprises at least one first fin. The second region comprises at least one second fin; step 120, a layer of silicide is deposited above the original fin transistor; step 130, a first etching process is performed to form a step between the first region and the second region; and step 140, a second etching process is performed to cause the second etching process to occur. The height of one fin is different from that of the second fin to obtain fin transistors with different fin heights to meet the requirements of integrated circuits for transistors with different characteristics.

【技术实现步骤摘要】
鳍式晶体管的制备方法
本专利技术涉及一种集成电路制造技术，尤其涉及一种不同鳍高的鳍式晶体管的制备方法。
技术介绍
随着集成电路制造技术的发展，集成电路的工艺节点不断减小，半导体技术特征尺寸不断减小，传统的平面式晶体管已经无法满足需求，鳍式晶体管(如鳍式场效应晶体管)因运而生，并得到广泛应用。另外，随着集成电路对集成度要求的提高，需要在一个衬底上集成多个鳍式晶体管，然而，集成电路对不同晶体管的性能需求往往不同，如晶体管的驱动电流等，这些参数通常与鳍式晶体管的鳍高有关。因此在集成电路制造中，需要制造不同鳍高的晶体管，来满足对不同特性的晶体管的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种鳍式晶体管的制备方法，以得到不同鳍高的鳍式晶体管，满足集成电路对不同特性的晶体管的需求。本专利技术提供的鳍式晶体管的制备方法，包括：步骤110，提供一原始鳍式晶体管，原始鳍式晶体管至少包括一第一区域和一第二区域，第一区域上包括至少一个第一鳍，第二区域上包括至少一个第二鳍；步骤120，在原始鳍式晶体管上方沉积一层硅化物层；步骤130，进行第一次刻蚀工艺，使第一区域与第二区域之间形成一台阶，以及步骤140，进行第二次刻蚀工艺，以使第一鳍的高度与第二鳍的高度不同。更进一步的，步骤130更包括步骤1301，在硅化物层上形成光刻胶，之后去除第二区域上的硅化物层上的光刻胶，并以第一区域上的硅化物层上的光刻胶为掩膜进行第一次刻蚀工艺。更进一步的，步骤130更包括步骤1302，完成第一次刻蚀工艺后，去除第一区域上的硅化物层上的光刻胶。更进一步的，台阶为一下降的台阶。更进一步的，第二鳍的高度大于第一鳍的高度。更进一步的，第二鳍的高度与第一鳍的高度差等于台阶的高度。更进一步的，原始鳍式晶体管更包括衬底，第一鳍之间、第二鳍之间以及第一鳍与第二鳍之间，并且在衬底之上沉积有硅化物隔离区，硅化物隔离区与硅化物层的材料相同。更进一步的，硅化物层和硅化物隔离区的材料均为二氧化硅。更进一步的，原始鳍式晶体管更包括衬底，第一鳍之间、第二鳍之间以及第一鳍与第二鳍之间，并且在衬底之上沉积有硅化物隔离区，台阶的高度为第一区域的衬底的底部至第一区域的硅化物层的顶部的高度与第二区域的衬底的底部至第二区域的硅化物层的顶部的高度的差。更进一步的，原始鳍式晶体管更包括衬底，第一鳍之间、第二鳍之间以及第一鳍与第二鳍之间，并且在衬底之上沉积有硅化物隔离区，台阶的高度为第一区域的衬底的底部至第一区域的硅化物层的顶部的高度与第二区域的衬底的底部至第二区域的硅化物隔离区的顶部的高度的差。本专利技术提供的鳍式晶体管的制备方法，通过在原始鳍式晶体管上方沉积一层硅化物层，并经过两次刻蚀工艺得到具有不同鳍高的鳍式晶体管，满足了集成电路对不同特性的晶体管的需求。附图说明图1为专利技术一实施例的鳍式晶体管的制备方法流程图。图2至图5为本专利技术一实施例的鳍式晶体管的制备过程的示意图。图中主要元件附图标记说明如下：230、第一区域；240、第二区域；232、第一鳍；242、第二鳍；260、台阶；250、硅化物层；220、硅化物隔离区；210、衬底。具体实施方式请参阅图1，图1为专利技术一实施例的鳍式晶体管的制备方法流程图。并请参阅图2至图5，图2至图5为本专利技术一实施例的鳍式晶体管的制备过程的示意图。本专利技术的鳍式晶体管的制备方法包括：步骤110，提供一原始鳍式晶体管200，至少包括一第一区域230和一第二区域240，第一区域230上包括至少一个第一鳍232，第二区域上包括至少一个第二鳍242；步骤120，在原始鳍式晶体管200上方沉积一层硅化物层250；步骤130，进行第一次刻蚀工艺，使第一区域230与第二区域240之间形成一台阶260；步骤140，进行第二次刻蚀工艺，以使第一区域230的第一鳍232的高度与第二区域240的第二鳍242的高度不同。如此，通过在原始鳍式晶体管200上方沉积一层硅化物层250，并经过两次刻蚀工艺得到具有不同鳍高的鳍式晶体管，满足了集成电路对不同特性的晶体管的需求。具体地，请参阅图2，步骤110提供的原始鳍式晶体管200，更包括衬底210，第一鳍232之间、第二鳍242之间以及第一鳍232与第二鳍242之间，并且在衬底210之上沉积有硅化物隔离区220，衬底210、至少一个第一鳍232及第一鳍232间的硅化物隔离区220构成第一区域230；衬底210、至少一个第二鳍242及第一鳍242间的硅化物隔离区220构成第二区域240。当然，在本专利技术一实施例中，更可包括第三区域，第三区域包括至少一第三鳍，本专利技术对原始鳍式晶体管的区域个数并不做限定。在本实施例中，第一鳍232及第二鳍242均包括三个，当然本专利技术对鳍的个数并不做限定，只要每个区域包括至少一个鳍即可。具体地，参阅图3，步骤120，在原始鳍式晶体管200上方沉积一层硅化物层250，更具体地，通过淀积工艺形成硅化物层250，如化学气相淀积或物理气相淀积，本专利技术对沉积硅化物层250的具体工艺并不做限定。具体地，参阅图4A，步骤130，进行第一次刻蚀工艺，使第一区域230与第二区域240之间形成一台阶260，即第一区域230与第二区域240之间具有一高度差。更具体地，包括步骤1301，在硅化物层250上形成光刻胶(图中未示出)，之后去除第二区域240上的硅化物层250上的光刻胶(如采用光刻显影方式去除)，并以第一区域230上的硅化物层250上的光刻胶为掩膜进行第一次刻蚀工艺。从而使第一次刻蚀后鳍式晶体管的第一区域230与第二区域240之间形成下降的台阶260，即第一区域230的衬底210的底部211至第一区域230的硅化物层250的顶部251的高度H1大于第二区域240的衬底210的底部211至第二区域240的硅化物层250的顶部252的高度H2，台阶260的高度H3即为第一区域230的衬底210的底部211至第一区域230的硅化物层250的顶部251的高度H1与第二区域240的衬底210的底部211至第二区域240的硅化物层250的顶部252的高度H2的差，即H3＝H1-H2。如图4A所示，通过第一次刻蚀工艺后，第二区域240上仍有一层硅化物层250，即第二鳍242并未露出，即台阶的高度H3小于硅化物层250的高度，但本专利技术对比并不做限定；如图4B所示，通过第一次刻蚀工艺后，第二鳍242露出，台阶的高度H3大于硅化物层250的高度，即H2为第二区域240的衬底210的底部211至第二区域240的硅化物隔离区220的顶部222的高度。更具体地，步骤130更包括步骤1302，完成第一次刻蚀工艺后，去除第一区域230上的硅化物层250上的光刻胶。本专利技术对台阶的高度H3的大小并不做限定，台阶的高度H3可根据晶体管的特性需求进行设置，并通过调整第一次刻蚀工艺的参数来达到。且本专利技术对第一次刻蚀工艺并不做限定，本领域内的干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺均适用于本专利技术。具体地，参阅图5，步骤140，进行第二次刻蚀工艺，以使第一区域230的第一鳍232的高度与第二区域240的第二鳍242的高度不同。更具体地，鳍式晶体管的第一鳍232的高度H4小于第二鳍242的高度H5，其中，第一鳍232的高度H4为第一区域230内的硅化物隔离区220的顶部223至第一鳍232的顶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种鳍式晶体管的制备方法，其特征在于，包括：步骤110，提供一原始鳍式晶体管，所述原始鳍式晶体管至少包括一第一区域和一第二区域，所述第一区域上包括至少一个第一鳍，所述第二区域上包括至少一个第二鳍；步骤120，在所述原始鳍式晶体管上方沉积一层硅化物层；步骤130，进行第一次刻蚀工艺，使所述第一区域与所述第二区域之间形成一台阶；以及步骤140，进行第二次刻蚀工艺，以使所述第一鳍的高度与所述第二鳍的高度不同。

【技术特征摘要】
1.一种鳍式晶体管的制备方法，其特征在于，包括：步骤110，提供一原始鳍式晶体管，所述原始鳍式晶体管至少包括一第一区域和一第二区域，所述第一区域上包括至少一个第一鳍，所述第二区域上包括至少一个第二鳍；步骤120，在所述原始鳍式晶体管上方沉积一层硅化物层；步骤130，进行第一次刻蚀工艺，使所述第一区域与所述第二区域之间形成一台阶；以及步骤140，进行第二次刻蚀工艺，以使所述第一鳍的高度与所述第二鳍的高度不同。2.根据权利要求1所述的鳍式晶体管的制备方法，其特征在于，步骤130更包括步骤1301，在所述硅化物层上形成光刻胶，之后去除所述第二区域上的所述硅化物层上的光刻胶，并以所述第一区域上的所述硅化物层上的光刻胶为掩膜进行所述第一次刻蚀工艺。3.根据权利要求2所述的鳍式晶体管的制备方法，其特征在于，步骤130更包括步骤1302，完成所述第一次刻蚀工艺后，去除所述第一区域上的所述硅化物层上的光刻胶。4.根据权利要求2所述的鳍式晶体管的制备方法，其特征在于，所述台阶为一下降的台阶。5.根据权利要求4所述的鳍式晶体管的制备方法，其特征在于，所述第二鳍的高度大于所述第一鳍的高度。6.根据权利要求5所述的鳍式晶体管的制备方法，其特征在于，所述第二鳍的高度与所述第一鳍的高度差等于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李镇全，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31